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2SB825
PNP外延硅晶体管
低频功率放大器
TO-220
绝对最大额定值（T
A
=25℃)
℃
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极耗散（ TC = 25
℃)
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
TSTG
等级
-50
-60
-5
-7
40
150
-50~150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
电气特性（T
A
=25℃)
℃
特征
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
电流增益带宽积
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE1
V
CE （ SAT ）
f
T
测试条件
V
CB
= -50V ，我
E
=0
V
EB
= -5V ，我
C
=
0
V
CE
= -2V ，我
C
=-1.0A
I
C
= -4A ，我
B
=-0.4A
V
CE
= -2V ，我
C
=-0.5A
民
典型值
最大
-10
10
100
-0.4
8
V
兆赫
单位
A
A
永诚电脑配件有限公司， （香港）有限公司。
主页：
http://www.wingshing.com
联系电话： （ 852 ） 2341 9276传真： （ 852 ） 2797 8153
电子信箱： wsccltd@hkstar.com
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB825
描述
·带
的TO-220封装
ULOW
饱和电压
.Complement
键入2SD1061
应用
Universal
大电流开关的
电磁驱动;高速逆变器
和转换器应用
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-60
-50
-6
-7
-12
40
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= -1mA ; R
BE
=∞
I
C
= -1mA ，我
E
=0
I
E
= -1mA ，我
C
=0
I
C
= -4A ;我
B
=-0.4A
V
CB
=-40V;I
E
=0
V
EB
= -4V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-2V
I
C
= -5A ; V
CE
=-2V
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
70
30
10
民
-50
-60
-6
典型值。
2SB825
最大
单位
V
V
V
-0.4
-0.1
-0.1
280
V
mA
mA
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 2.0A ;我
B1
=- I
B2
=0.2A
0.2
0.7
0.1
μs
μs
μs
h
FE-1
分类
Q
70-140
R
100-200
S
140-280
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB825
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB825
4
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB825
描述
·采用TO- 220封装
·低饱和电压
·补键入2SD1061
应用
·通用大电流开关的
电磁驱动;高速逆变器
和转换器应用
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-60
-50
-6
-7
-12
40
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= -1mA ; R
BE
=8
I
C
= -1mA ，我
E
=0
I
E
= -1mA ，我
C
=0
I
C
= -4A ;我
B
=-0.4A
V
CB
=-40V;I
E
=0
V
EB
= -4V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-2V
I
C
= -5A ; V
CE
=-2V
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
70
30
10
民
-50
-60
-6
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
2SB825
典型值。
最大
单位
V
V
V
-0.4
-0.1
-0.1
280
V
mA
mA
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 2.0A ;我
B1
=- I
B2
=0.2A
0.2
0.7
0.1
s
s
s
h
FE-1
分类
Q
70-140
R
100-200
S
140-280
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB825
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB825
4
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB825
描述
·带
的TO-220封装
ULOW
饱和电压
.Complement
键入2SD1061
应用
Universal
大电流开关的
电磁驱动;高速逆变器
和转换器应用
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-60
-50
-6
-7
-12
40
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= -1mA ; R
BE
=∞
I
C
= -1mA ，我
E
=0
I
E
= -1mA ，我
C
=0
I
C
= -4A ;我
B
=-0.4A
V
CB
=-40V;I
E
=0
V
EB
= -4V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-2V
I
C
= -5A ; V
CE
=-2V
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
70
30
10
民
-50
-60
-6
典型值。
2SB825
最大
单位
V
V
V
-0.4
-0.1
-0.1
280
V
mA
mA
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 2.0A ;我
B1
=- I
B2
=0.2A
0.2
0.7
0.1
μs
μs
μs
h
FE-1
分类
Q
70-140
R
100-200
S
140-280
2
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB825
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB825
4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB825
描述
·带
的TO-220封装
ULOW
饱和电压
.Complement
键入2SD1061
应用
Universal
大电流开关的
电磁驱动;高速逆变器
和转换器应用
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
参数
固电
导½
半
的HAn
INC。
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
ES
G
发射极开路
ND
ICO
EM
条件
OR
UCT
价值
-60
-50
-6
-7
-12
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
开基
集电极开路
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
40
150
-55~150
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= -1mA ; R
BE
=∞
I
C
= -1mA ，我
E
=0
I
E
= -1mA ，我
C
=0
I
C
= -4A ;我
B
=-0.4A
V
CB
=-40V;I
E
=0
V
EB
= -4V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-2V
I
C
= -5A ; V
CE
=-2V
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
70
30
民
-50
-60
-6
典型值。
2SB825
最大
单位
V
V
V
-0.4
-0.1
-0.1
280
V
mA
mA
开关时间
t
on
t
s
t
f
固电
导½
半
开启时间
贮存时间
的HAn
INC。
下降时间
ES
G
I
C
= 2.0A ;我
B1
=- I
B2
=0.2A
ND
ICO
EM
OR
UCT
0.2
0.7
0.1
10
兆赫
μs
μs
μs
h
FE-1
分类
Q
70-140
R
100-200
S
140-280
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB825
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB825
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
4
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22-55-2481
295T324R103A12
2SA1255_07
2LP22
2N2222ABS
20015
2N2325A
2-1393252-0
251B000253A2N1
2SA808A
2SK1310A
258859
250PK33M10X20
210-91-640-41-001
20KPA88CA
250MXY390M20X50
28C64AFT-25/SO
2843006802
254966
26-20-2031
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    HECC GROUP CO，LIMITED
    QQ： 点击这里给我发消息
    电话：755-83241160（高端器件渠道商）/83950019/83950895/83950890
    联系人：Sante Zhang/Mollie
    地址：總部地址：UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址：深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    2SB825
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    深圳市鹏顺兴科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

    电话：0755-23063133/23042311
    联系人：谭小姐
    地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    2SB825
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

    2SB825
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市芯脉实业有限公司
QQ： 点击这里给我发消息

电话：19166203057
联系人：周
地址：广东省深圳市龙岗区坂田街道星河WORLD-A座2203A
2SB825
M/A-COM
21+
16500
原厂原包装
原装正品
深圳市恒佳微电子有限公司
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电话：0755-82533156 82710336
联系人：朱经理、张小姐
地址：深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
2SB825
M/A-COM
19+
15000
十年专营，供应原装正品！热卖现货！
深圳市春东电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息
电话：0755-82563615/82563213
联系人：朱先生/王小姐
地址：深圳华强北上步204栋520室
2SB825
MINI
2322+
1175
射频微波器件
mini原装正品!
深圳市腾昌芯科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息

电话：0755-28013727
联系人：朱先生
地址：深圳市龙华区龙华街道清华社区和平路62号优鼎企创园办公楼C栋5层502
2SB825
M/A-COM
23+
20000
NA
百分百原装现货，实单可谈！
深圳市宇明芯科技有限公司
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电话：0755-83051566
联系人：李小姐
地址：深圳市宝安区河东工业区A栋313-318
2SB825
MACOM
22+
32570
SOP16
进口原装公司现货
深圳双信达智能科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

电话：0755-83376489 83376282 83376549 83600718
联系人：销售部
地址：广东省深圳市深圳南山区科技园产学研楼706
2SB825
M/A-COM
23+
NA
进口原装特价特价特价优惠
1000￥/片,普通
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
2SB825
MACOM
22+
32570
SOP16
全新原装正品/质量有保证
北京显周科技有限公司
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电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
2SB825
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9673
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
2SB825
MACOM
22+
32570
SOP16
全新原装正品/质量有保证
深圳市金启宁科技有限公司
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联系人：曾小姐
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区华强北路2008号华联发综合楼810-812
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M/A-COM
23+
12556
假一赔十
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