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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第75页 > 2SB798
SMD型
PNP硅外延晶体管
2SB798
晶体管
特点
世界标准的微型封装形式：SOT -89
低集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
<-0.4V(I
C
=-1.0A,I
B
=-100mA)
出色的直流电流增益线性度：H
FE
=100TYP.(V
CE
=-10.V,I
C
=-1.0A)
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲） *
总功耗
结温
存储温度范围
* PW
为10ms ，占空比50 ％ 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
-30
-25
-5
-1
1.5
2
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益*
集电极饱和电压*
基本饱和电压*
基极 - 发射极电压*
增益带宽积
输出电容
*脉冲： PW
350 ，占空比
2%
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
Testconditons
V
CB
= -30 V，I
E
= 0
V
EB
= -5.0 V，I
C
= 0
V
CE
= -1.0 V，I
C
= -100毫安
V
CE
= -1.0 V，I
C
= -1.0A
V
CE （ SAT ）
I
C
= -1A ，我
B
= -0.1A
V
BE （ SAT ）
I
C
= -1A ，我
B
= -0.1A
V
BE
f
T
C
ob
V
CE
= -6.0 V，I
C
= -10毫安
V
CE
= -6.0 V，I
E
= 10毫安
V
CB
= -6.0 V，I
E
= 0中，f = 1.0兆赫
-600
90
50
200
100
-0.25
-1.0
-640
110
36
-0.4
-1.2
-700
V
V
mV
兆赫
pF
民
典型值
最大
-100
-100
400
单位
nA
nA
h
FE
分类
记号
h
FE
DM
90 180
DL
135 270
DK
200 400
www.kexin.com.cn
1
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
2SB798
功率晶体管
描述
在UTC
2SB798
被设计用于音频功率放大器
应用，尤其是在混合集成电路。
1
PNP外延硅晶体管
特点
*低集电极饱和电压：
V
CE （ SAT ）
< -0.4V （ IC = -1.0A ，我
B
= -100mA ）
*优异的直流电流增益线性度：
h
FE
= 100典型。 （V
CE
= -1.0V ，我
C
= -1.0A)
SOT-89
订购信息
订购数量
无铅
无卤
2SB798L-X-AB3-R
2SB798G-X-AB3-R
2SB798L-X-AB3-R
包
SOT-89
引脚分配
1
2
3
B
C
E
填料
带盘
（ 1 ）包装类型
（ 2 ）封装类型
(3)Rank
（ 4 ）无铅
（ 1 ）R ：带卷轴
（ 2 ） AB3 ： SOT- 89
（3 ）× ：指h的分类
FE1
（ 4 ）无卤素， L：无铅
www.unisonic.com.tw
2011 Unisonic技术有限公司
1 4
QW-R208-020.B
2SB798
绝对最大额定值
(T
A
=25°C)
PNP外延硅晶体管
参数
符号
评级
单位
集电极 - 基极电压
V
CBO
-30
V
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
-25
V
发射极 - 基极电压
V
EBO
-5.0
V
DC
-1.0
A
集电极电流
I
C
脉冲（注1 ）
-1.5
A
集电极耗散（注2 ）
P
C
2
W
结温
T
J
150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
1. PW ≦ 10毫秒，占空比≦ 50 ％
2
2.当安装在16厘米× 0.7mm的陶瓷基板。
电气特性
(T
A
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
符号
集电极截止电流
I
CBO
发射极截止电流
I
EBO
直流电流增益
h
FE1
直流电流增益
h
FE2
基地发射极电压
V
BE
集电极 - 发射极饱和
V
CE （ SAT ）
电压
基射极饱和电压
V
BE （ SAT ）
增益带宽积
f
T
输出电容
C
ob
注： 3 PW ≦ 350μS ，占空比≦ 2 ％
测试条件
V
CB
= -30V ，我
E
= 0
V
EB
= -5.0V ，我
C
= 0
V
CE
= -1.0V ，我
C
= -100mA
V
CE
= -1.0V ，我
C
= -1.0A
V
CE
= -6.0V ，我
C
= -10mA
I
C
= -1.0A ，我
B
= -0.10A
I
C
= -1.0A ，我
B
= -0.10A
V
CE
= -6.0V ，我
E
= 10毫安
V
CB
= -6.0V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
民
典型值
最大
-100
-100
400
-700
-0.40
-1.2
单位
nA
nA
90
50
-600
200
100
-640
-0.25
-1.0
110
36
mV
V
V
兆赫
pF
中hFE1分类
记号
hFE1
DM
90-180
DL
135-270
DK
200-400
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2 4
QW-R208-020.B
2SB798
典型特征
集电极耗散与环境
温度
2.5
当安装在陶瓷
的16厘米基板
2
*0.7mm
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
PNP外延硅晶体管
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
V
CE
=-0.6V
PULSDE
-1000
-500
-200
-100
-50
-20
-10
-5
50
100
150
200
250
)
环境温度TA （
-2
-1
-0.4 -0.5 -0.6 -0.7 -0.8 -0.9 -1.0
基地发射极电压，V
BE
(V)
集电极电流，I
C
（MA ）
集电极电流，I
C
（MA ）
V
CE
=1.0V
脉冲
盐基饱和电压，V
BE （ SAT ）
(V)
集电极饱和电压，V
CE （ SAT ）
(V)
直流电流增益
vs.collector电流
集电极和基极饱和电压
与集电极电流
-10
-5
-2
-1
-0.5
-0.2
-0.1
-0.05
-0.02
-0.01
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
I
C
=10*I
B
500
200
100
50
20
10
集电极电流，I
C
(A)
Ta=-25
Ta=75
Ta=25
-1 -2 -5 -10 -20-50-100-200-500-1-2 -5
直流电流增益，H
FE
1000
集电极电流，I
C
(A)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
3 4
QW-R208-020.B
2SB798
1000
增益带宽积，女
T
（兆赫）
500
200
100
50
20
10
1
2
5 10 20 50100 2005001000
发射极电流，I
E
（MA ）
V
CE
=-6.0V
V
CE
=-1.0V
增益带宽积
与发射极电流
PNP外延硅晶体管
100
输出电容，C
ob
（PF ）
50
20
10
5
2
1
-0.1 -0.2 -0.5 -1 -2 -5 -10 -20 -50-100
集电极 - 基极电压，V
CB
(V)
输出电容与
集电极 - 基极电压
I
E
=0
f=1.0MHz
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
4 4
QW-R208-020.B
UTC 2SB798
PNP外延硅晶体管
功率晶体管
描述
在UTC 2SB798是专为音频功率
放大器的应用，特别是在混合式
电路。
1
特点
*低集电极饱和电压：
V
CE （ SAT ）
< -0.4V （ IC = -1.0A ，我
B
= -100mA ）
*优异的直流电流增益线性度：
的hFE = 100典型值（V
CE
= -1.0V ， IC = -1.0A ）
SOT-89
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
绝对最大额定值
（ TA = 25 ° C）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
等级
-30
-25
-5.0
-1.0
-1.5
2
150
-55 ~ +150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
DC
脉冲（注1 ）
Ic
集电极耗散（注2 ）
P
C
结温
T
j
储存温度
T
英镑
注1 ： PW ≦ 10毫秒，占空比≦ 50 ％
注2：当安装在16厘米陶瓷衬底
2
×0.7
mm.
电气特性
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
基地发射极电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
增益带宽积
输出电容
注3 ： PW ≦ 350μS ，占空比≦ 2 ％
符号
I
CBO
I
EBO
的hFE
1
的hFE
2
V
BE
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
f
T
COB
测试条件
V
CB
= -30V ，我
E
= 0
V
EB
= -5.0V ， IC = 0
V
CE
= -1.0V ， IC = -100mA
V
CE
= -1.0V ， IC = -1.0A
V
CE
= -6.0V ， IC = -10mA
IC = -1.0A ，我
B
= -0.10A
IC = -1.0A ，我
B
= -0.10A
V
CE
= -6.0V ，我
E
= 10毫安
V
CB
= -6.0V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
民
典型值
最大
-100
-100
400
-700
-0.40
-1.2
单位
nA
nA
90
50
-600
200
100
-640
-0.25
-1.0
110
36
mV
V
V
兆赫
pF
中hFE1分类
记号
hFE1
DM
90-180
DL
135-270
DK
200-400
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
1
QW-R208-020,A
UTC 2SB798
PNP外延硅晶体管
电气特性曲线
2.5
P
T
- 总功率耗散-W
2.0
集电极耗散VS.
环境温度
当安装在陶瓷
的16厘米基板
2
*0.7mm
-1000
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
V
CE
=-0.6V
-500脉冲
IC-集电极电流-MA
-200
-100
-50
-20
-10
-5
-2
-1
-0.4
Ta=75℃
TA
25
℃
1.5
Ta=-25℃
1.0
0.5
0
0
50
200
℃
TA-环境温度 -
100
150
250
-0.5
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1.0
V
BE
- 基极 - 发射极电压V
-100
-80
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
μ
A
-450
IB =
μ
0 A
IB = -40
0
μ
A
IB=-35
-1000
-800
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
I B = -4.0mA
I B = -4.5mA
I B = -5.0mA
IC-集电极电流-MA
-60
μA
0
IB = -25
μ
0
IB = -20
A
IC-集电极电流-MA
μA
0
IB = -30
I B = -3.5mA
-600
IB = -3.0mA
IB = -2.5mA
I B = -2.0mA
-40
-20
0
0
I
B
=-150
μA
-400
-200
0
0
I B = -1.5mA
IB = -1.0mA
I B = -0.5mA
IB = -100
μ
A
IB = -50μA
IB = 0
-2
-4
-6
-8
-10
V
CE
-collector到发射极电压-V
-0.4
-1.2
-1.6
-2.0
-0.8
V
CE
-collector到发射极电压-V
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
2
QW-R208-020,A
UTC 2SB798
PNP外延硅晶体管
直流电流增益
vs.collector电流
V
BE
（坐）基饱和电压-V
V
CE
=1.0V
脉冲
V
CE
（SAT） -collector饱和电压-V
集电极和基极饱和电压
vs.collector电流
Ic=10*I
B
脉冲
-10
-5
-2
-1
-0.5
-0.2
-0.1
-0.05
-0.02
-0.01
HFE- DC电流摹泉
1000
500
200
100
50
20
10
-1 -2
-5
-10 -20
-50 -100 -200 -500 -1 -2
-5
V
BE
（SAT）
T A = 75
℃
T A = 25
℃
T A = -25
℃
V
CE
（SAT）
-1 -2
-5
-10 -20
-50 -100 -200 -500 -1 -2
-5
IC-集电极电流-A
IC-集电极电流-A
1000
的fT - 获得带宽积-MHz
增益带宽积
vs.emitter电流
100
输出电容与
COLLEC器来巴斯ê电压
I
E
=0
f=1.0MHz
500
V
CE
=-6.0V
COB-输出电容-PF
50
200
100
20
10
V
CE
=-1.0V
50
5
20
10
1
2
5
10
20
50 100 200 500 1000
2
1
-0.1 -0.2 -0.5 -1
-2
-5 -10 -20 -50 -100
V
CB
-collector基极电压-V
I
E
-E米特当前-MA
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
3
QW-R208-020,A
产品speci fi cation
2SB798
特点
世界标准的微型封装形式：SOT -89
低集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
<-0.4V(I
C
=-1.0A,I
B
=-100mA)
出色的直流电流增益线性度：H
FE
=100TYP.(V
CE
=-10.V,I
C
=-1.0A)
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲） *
总功耗
结温
存储温度范围
* PW
为10ms ，占空比50 ％ 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
-30
-25
-5
-1
1.5
2
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益*
集电极饱和电压*
基本饱和电压*
基极 - 发射极电压*
增益带宽积
输出电容
*脉冲： PW
350 ，占空比
2%
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
Testconditons
V
CB
= -30 V，I
E
= 0
V
EB
= -5.0 V，I
C
= 0
V
CE
= -1.0 V，I
C
= -100毫安
V
CE
= -1.0 V，I
C
= -1.0A
V
CE （ SAT ）
I
C
= -1A ，我
B
= -0.1A
V
BE （ SAT ）
I
C
= -1A ，我
B
= -0.1A
V
BE
f
T
C
ob
V
CE
= -6.0 V，I
C
= -10毫安
V
CE
= -6.0 V，I
E
= 10毫安
V
CB
= -6.0 V，I
E
= 0中，f = 1.0兆赫
-600
90
50
200
100
-0.25
-1.0
-640
110
36
-0.4
-1.2
-700
V
V
mV
兆赫
pF
民
典型值
最大
-100
-100
400
单位
nA
nA
h
FE
分类
记号
h
FE
DM
90 180
DL
135 270
DK
200 400
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1
查看更多2SB798PDF信息
推荐型号
2N6563
27C128-17E/P
25PT16A
2SB1192AP
23S390
2410ML-05W-B10-E00
296UB501C3B
24LC16B-E/MNY
251921
2SC4520R
229002P
2-1437539-0
24AA01H-I/MS
258-532-64-38
24C01CT-I/MS
2256-03L
22-01-2067
275V824A501B1A1
2SA1615L
27C64-12/L
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SB798
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市百域芯科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3004264855 复制

电话：075582788161
联系人：王小姐
地址：深圳市华强北世纪汇都会轩4507
2SB798
BYchip/百域芯
24+
30000
原装正品，可含税供应。品质保障
深圳市灿亿佳电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2481682028 复制 点击这里给我发消息 QQ：936045363 复制

电话：13424184668
联系人：肖佳欣
地址：广东省深圳市福田区深南中路华强电子世界
2SB798
NEC
24+
8000000
DIP
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