【JMnic产品speci fi cation硅PNP功率晶体管描述·带TO- 126封装·达林顿高直】,IC型号2SB794,2SB794 PDF资料,2SB794经销商,ic,电子元器件-51电子网

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JMnic

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

描述

·带

TO- 126封装

·达林顿

高

直流电流增益

ULOW

集电极饱和电压

.Complement

键入2SD985 2SD986

应用

For

从IC不工作使用

预驱动器，如锤驱动

钉扎（参照图2）

针

1

2

3

描述

辐射源

集热器;连接到

安装底座

BASE

2SB794 2SB795

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

参数

2SB794

V

CBO

集电极 - 基极电压

2SB795

2SB794

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2SB795

V

EBO

I

C

I

CM

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流峰值

T

a

=25℃

P

D

总功耗

T

C

=25℃

T

j

T

英镑

结温

储存温度

10

150

-55~150

℃

℃

集电极开路

开基

-80

-8

-1.5

-3.0

1.0

W

V

A

A

发射极开路

-80

-60

V

条件

价值

-60

V

单位

JMnic

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

2SB794

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极

击穿电压

2SB795

V

CESAT

V

BESAT

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

2SB794

I

CBO

集热器

截止电流

2SB795

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

V

CB

= -80V ;我

E

=0

V

EB

= -5V ;我

C

=0

I

C

= -0.5A ; V

CE

=-2V

I

C

= -1A ; V

CE

=-2V

1000

2000

I

C

= -1A ，我

B

=-1mA

I

C

= -1A ，我

B

=-1mA

V

CB

= -60V ;我

E

=0

I

C

= -10mA ;我

B

=0

-80

条件

民

-60

2SB794 2SB795

典型值。

最大

单位

V

-1.5

-2.0

V

V

-1.0

μA

-2.0

mA

30000

开关时间

t

on

t

英镑

t

f

开启时间

贮存时间

下降时间

I

C

= -1.0A ;我

B1

=-I

B2

=-1.0mA

V

CC

=-50V;R

L

=50Ω

0.5

1.0

1.0

μs

μs

μs

h

FE-2

分类

M

2000-5000

L

4000-10000

K

8000-30000

2

JMnic

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2SB794 2SB795

图2外形尺寸

3

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

描述

·采用TO- 126封装

·达林顿

·高直流电流增益

·低集电极饱和电压

·补键入2SD985 2SD986

应用

·对于从IC的操作使用，而不

预驱动器，如锤驱动

钉扎（参照图2）

针

1

2

3

描述

辐射源

集热器;连接到

安装底座

BASE

2SB794 2SB795

绝对最大额定值（Ta = 25

)

符号

参数

2SB794

V

CBO

集电极 - 基极电压

2SB795

2SB794

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2SB795

V

EBO

I

C

I

CM

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流峰值

T

a

=25

P

D

总功耗

T

C

=25

T

j

T

英镑

结温

储存温度

10

150

-55~150

集电极开路

开基

-80

-8

-1.5

-3.0

1.0

W

V

A

A

发射极开路

-80

-60

V

条件

价值

-60

V

单位

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

2SB794

I

C

= -10mA ;我

B

=0

2SB795

V

CESAT

V

BESAT

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

2SB794

2SB795

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

I

C

= -1A ，我

B

=-1mA

I

C

= -1A ，我

B

=-1mA

V

CB

= -60V ;我

E

=0

-80

条件

2SB794 2SB795

符号

民

-60

典型值。

最大

单位

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极

击穿电压

V

-1.5

-2.0

V

V

I

CBO

集热器

截止电流

-1.0

V

CB

= -80V ;我

E

=0

V

EB

= -5V ;我

C

=0

I

C

= -0.5A ; V

CE

=-2V

I

C

= -1A ; V

CE

=-2V

1000

2000

30000

-2.0

A

mA

开关时间

t

on

t

英镑

t

f

开启时间

贮存时间

下降时间

I

C

= -1.0A ;我

B1

=-I

B2

=-1.0mA

V

CC

=-50V;R

L

=50B

0.5

1.0

1.0

s

s

s

h

FE-2

分类

M

2000-5000

L

4000-10000

K

8000-30000

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2SB794 2SB795

图2外形尺寸

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

描述

·带

TO- 126封装

·达林顿

高

直流电流增益

ULOW

集电极饱和电压

.Complement

键入2SD985 2SD986

应用

For

从IC不工作使用

预驱动器，如锤驱动

钉扎（参照图2）

针

1

2

3

描述

辐射源

集热器;连接到

安装底座

BASE

2SB794 2SB795

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

参数

2SB794

V

CBO

集电极 - 基极电压

2SB795

2SB794

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2SB795

V

EBO

I

C

I

CM

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流峰值

T

a

=25℃

P

D

总功耗

T

C

=25℃

T

j

T

英镑

结温

储存温度

10

150

-55~150

℃

℃

集电极开路

开基

-80

-8

-1.5

-3.0

1.0

W

V

A

A

发射极开路

-80

-60

V

条件

价值

-60

V

单位

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

2SB794

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极

击穿电压

2SB795

V

CESAT

V

BESAT

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

2SB794

I

CBO

集热器

截止电流

2SB795

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

V

CB

= -80V ;我

E

=0

V

EB

= -5V ;我

C

=0

I

C

= -0.5A ; V

CE

=-2V

I

C

= -1A ; V

CE

=-2V

1000

2000

I

C

= -1A ，我

B

=-1mA

I

C

= -1A ，我

B

=-1mA

V

CB

= -60V ;我

E

=0

I

C

= -10mA ;我

B

=0

-80

条件

民

-60

2SB794 2SB795

典型值。

最大

单位

V

-1.5

-2.0

V

V

-1.0

μA

-2.0

mA

30000

开关时间

t

on

t

英镑

t

f

开启时间

贮存时间

下降时间

I

C

= -1.0A ;我

B1

=-I

B2

=-1.0mA

V

CC

=-50V;R

L

=50Ω

0.5

1.0

1.0

μs

μs

μs

h

FE-2

分类

M

2000-5000

L

4000-10000

K

8000-30000

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2SB794 2SB795

图2外形尺寸

3

JMnic

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

描述

·带

TO- 126封装

·达林顿

高

直流电流增益

ULOW

集电极饱和电压

.Complement

键入2SD985 2SD986

应用

For

从IC不工作使用

预驱动器，如锤驱动

钉扎（参照图2）

针

1

2

3

描述

辐射源

集热器;连接到

安装底座

BASE

2SB794 2SB795

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

参数

2SB794

V

CBO

集电极 - 基极电压

2SB795

2SB794

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2SB795

V

EBO

I

C

I

CM

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流峰值

T

a

=25℃

P

D

总功耗

T

C

=25℃

T

j

T

英镑

结温

储存温度

10

150

-55~150

℃

℃

集电极开路

开基

-80

-8

-1.5

-3.0

1.0

W

V

A

A

发射极开路

-80

-60

V

条件

价值

-60

V

单位

JMnic

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

2SB794

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极

击穿电压

2SB795

V

CESAT

V

BESAT

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

2SB794

I

CBO

集热器

截止电流

2SB795

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

V

CB

= -80V ;我

E

=0

V

EB

= -5V ;我

C

=0

I

C

= -0.5A ; V

CE

=-2V

I

C

= -1A ; V

CE

=-2V

1000

2000

I

C

= -1A ，我

B

=-1mA

I

C

= -1A ，我

B

=-1mA

V

CB

= -60V ;我

E

=0

I

C

= -10mA ;我

B

=0

-80

条件

民

-60

2SB794 2SB795

典型值。

最大

单位

V

-1.5

-2.0

V

V

-1.0

μA

-2.0

mA

30000

开关时间

t

on

t

英镑

t

f

开启时间

贮存时间

下降时间

I

C

= -1.0A ;我

B1

=-I

B2

=-1.0mA

V

CC

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L

=50Ω

0.5

1.0

1.0

μs

μs

μs

h

FE-2

分类

M

2000-5000

L

4000-10000

K

8000-30000

2

JMnic

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2SB794 2SB795

图2外形尺寸

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

描述

·带

TO- 126封装

·达林顿

高

直流电流增益

ULOW

集电极饱和电压

.Complement

键入2SD985 2SD986

应用

For

从IC不工作使用

预驱动器，如锤驱动

钉扎（参照图2）

针

1

2

3

描述

辐射源

集热器;连接到

安装底座

BASE

2SB794 2SB795

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

参数

固电

导½

半

V

CBO

V

首席执行官

的HAn

INC。

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流峰值

ES

G

2SB794

2SB795

2SB794

2SB795

发射极开路

ND

ICO

EM

条件

OR

UCT

价值

-60

-80

-60

单位

V

开基

-80

集电极开路

-8

-1.5

-3.0

T

a

=25℃

1.0

V

V

EBO

I

C

I

CM

V

A

A

P

D

总功耗

T

C

=25℃

10

150

-55~150

W

T

j

T

英镑

结温

储存温度

℃

℃

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

2SB794

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极

击穿电压

2SB795

V

CESAT

V

BESAT

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

2SB794

I

CBO

集热器

截止电流

2SB795

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

发射极截止电流

V

CB

= -80V ;我

E

=0

V

EB

= -5V ;我

C

=0

I

C

= -0.5A ; V

CE

=-2V

I

C

= -1A ; V

CE

=-2V

1000

2000

I

C

= -1A ，我

B

=-1mA

I

C

= -1A ，我

B

=-1mA

V

CB

= -60V ;我

E

=0

I

C

= -10mA ;我

B

=0

-80

条件

民

-60

2SB794 2SB795

典型值。

最大

单位

V

-1.5

-2.0

V

V

-1.0

μA

-2.0

mA

电半

固

开启时间

贮存时间

下降时间

直流电流增益

直流电流增益

导½

开关时间

t

on

t

英镑

t

f

IN

ES

昂

CH

ND

ICO

EM

OR

UCT

30000

0.5

1.0

1.0

μs

μs

μs

I

C

= -1.0A ;我

B1

=-I

B2

=-1.0mA

V

CC

=-50V;R

L

=50Ω

h

FE-2

分类

M

2000-5000

L

4000-10000

K

8000-30000

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2SB794 2SB795

固电

IN

导½

半

ES

昂

CH

ND

ICO

EM

OR

UCT

图2外形尺寸

3

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-

-

-

终端采购配单精选

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终端采购配单精选

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NEC

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23000

TO-126

一级代理专营，原装现货，价格优势

深圳市芯满林科技有限公司

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24+

32000

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24+

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TO126

十五年专营金牌供应商

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√ 欧美㊣品

▲10/11+

9593

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21+

15360

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23+

518

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火爆销售.全新原装.深圳市场最低价!

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√ 欧美㊣品

▲10/11+

10213

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36

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联系人：何小姐

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