UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
2SB766A
低频输出
放大器阳离子
特点
*大集电极耗散功率电脑。
*迷你功率型封装，使设备小型化
并通过带包装的自动插入
杂志的包装。
PNP硅晶体管
订购信息
订购数量
无铅
无卤
2SB766AL-x-AB3-R
2SB766AG-x-AB3-R
包
SOT-89
引脚分配
1
2
3
B
C
E
填料
带盘
www.unisonic.com.tw
版权所有 2012 Unisonic技术有限公司
1第3
QW-R204-028.B
2SB766A
绝对最大额定值
( T
A
=25°C )
PNP硅晶体管
参数
符号
等级
单位
集电极 - 基极电压
V
CBO
-60
V
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
-50
V
发射极 - 基极电压
V
EBO
-5
V
集电极电流
I
C
-1
A
峰值集电极电流
I
CP
-1.5
A
集电极耗散功率（注2 ）
P
C
1
W
结温
T
J
150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注： 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.印刷电路板： 1cm2的或更多的铜箔面积，以及1.7毫米板厚度为集电极
一部分
电气特性
(T
A
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极截止电流
直流电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
输出电容
注：脉冲测量
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
h
FE1
h
FE2
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
OB
测试条件
I
C
= -10μA ，我
E
=0
I
C
= -2mA ，我
B
= 0
I
E
= -10μA ，我
C
=0
V
CB
= -20V ，我
E
=0
V
CE
= -10V ，我
C
= -500mA （注）
V
CE
= -5V ，我
C
= -1A （注）
I
C
= -500mA ，我
B
= -50mA （注）
I
C
= -500mA ，我
B
= -50mA （注）
V
CB
= -10V ，我
E
= 50mA时F = 200MHz的
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
民
-60
-50
-5
85
50
-0.2
-0.85
200
20
典型值
最大单位
V
V
V
-0.1
μA
340
-0.4
-1.2
30
V
V
兆赫
pF
分类h及
FE1
秩
范围
Q
85-170
R
120-240
S
170-340
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2 3
QW-R208-028,B
2SB766A
典型特征
PNP硅晶体管
集电极电流，I
C
(A)
发射极电流，I
E
(A)
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
集电极电流，I
C
(A)
集电极电流，I
C
（MA ）
3 3
QW-R208-028,B
2SB7 66A
晶体管（ PNP ）
SOT-89
1.基地
特点
大集电极耗散功率P
C
补充2SD874A
2.收集
1
2
3
3.辐射源
最大额定值（T
A
= 25℃除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
价值
-60
-50
-5
-1
500
150
-55-150
单位
V
V
V
A
mW
℃
℃
电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
h
FE(2)
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
TEST
条件
民
-60
-50
-5
-0.1
-0.1
85
50
-0.2
-0.85
200
20
30
-0.4
-1.2
V
V
兆赫
pF
340
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
Ic=-10μA,I
E
=0
Ic=-2mA,I
B
=0
I
E
=-10μA,I
C
=0
V
CB
=-20V,I
E
=0
V
EB
=-4V,I
C
=0
V
CE
=-10V,I
C
=-500mA
V
CE
=-5V,I
C
=-1A
I
C
=-500mA,I
B
=-50mA
I
C
=-500mA,I
B
=-50mA
V
CE
=-10V,I
C
=-50mA,f=200MHz
V
CB
=-10V,I
E
=0,f=1MHz
分类
秩
范围
h
FE(1)
Q
85-170
R
120-240
S
170-340
制造
BQ
BR
BS
１
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／０５
2SB766A
公司Bauelemente
PNP
塑料封装晶体管
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
特点
大集电极耗散功率P
C
补充2SD874A
集热器
M
E
B
SOT-89
A
C
D
包装信息
重量0.05克（约）
辐射源
I
H
G
F
BASE
J
K
L
REF 。
记号
B
=的hFE排名
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
4.40
4.60
4.05
4.25
1.50
1.70
1.30
1.50
2.40
2.60
0.89
1.20
REF 。
G
H
I
J
K
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
3.00参考。
1.50 REF 。
0.40
0.52
1.40
1.60
0.35
0.41
5 ° TYP 。
0.70 REF 。
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结&储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
, T
英镑
评级
-60
-50
-5
-1
0.5
150, -55~150
单位
V
V
V
A
W
°C
PNP电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
h
FE(2)
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
OB
分钟。
-60
-50
-5
-
-
85
50
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-0.2
-0.85
200
20
马克斯。
-
-
-
-0.1
-0.1
340
-
-0.4
-1.2
-
30
单位
V
V
V
A
A
测试条件
I
C
= -10μA ，我
E
=0
I
C
= -2mA ，我
B
=0
I
E
= -10μA ，我
C
=0
V
CB
= -20V ，我
E
=0
V
EB
= -4 V，I
C
=0
V
CE
= -10V ，我
C
= -500mA
V
CE
= -5V ，我
C
= -1000mA
I
C
= -500mA ，我
B
= -50mA
I
C
= -500mA ，我
B
= -50mA
V
CE
= -10V ，我
C
= -50mA ， F = 200MHz的
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
V
兆赫
pF
中hFE2分类
秩
范围
记号
Q
85 - 170
BQ
R
120 - 240
BR
S
170 - 340
BS
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
01月， 2006年修订版A
第1页2
2SB766A
公司Bauelemente
PNP
塑料封装晶体管
特性曲线
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
01月， 2006年修订版A
第2页2
UTC 2SB766A
PNP外延硅晶体管
低频输出
放大器阳离子
特点
*大集电极耗散功率电脑。
*小型功率型封装，允许的瘦身
设备和自动插入通过磁带
包装盒包装。
1
SOT-89
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
绝对最大额定值
（ TA = 25 ° C）
参数
符号
等级
单位
集电极 - 基极电压
V
CBO
-60
V
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
-50
V
发射极 - 基极电压
V
EBO
-5
V
集电极电流
Ic
-1
A
峰值集电极电流
ICP
-1.5
A
集电极耗散功率
PC *
1
W
结温
T
j
150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
*印刷电路板：铜箔为1cm区域
2
以上，对1.7毫米板厚度为集电极部。
电气特性
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极截止电流
直流电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
输出电容
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
h
FE1
h
FE2
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
f
T
COB
测试条件
IC = -10μA ，我
E
=0
IC = -2mA ，我
B
= 0
I
E
= -10μA ，我
C
=0
V
CB
= -20V ，我
E
=0
V
CE
= -10V ， IC = -500mA *
V
CE
= -5V ， IC = -1A *
IC = -500mA ，我
B
=-50mA*
IC = -500mA ，我
B
=-50mA*
V
CB
= -10V ，我
E
= 50 mA时， F = 200MHz的
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
民
-60
-50
-5
85
50
典型值
最大单位
V
V
V
μA
-0.1
340
-0.2
-0.85
200
20
-0.4
-1.2
30
V
V
兆赫
pF
*
脉冲测量
中hFE1分类
秩
范围
Q
85-170
R
120-240
S
170-340
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
1
QW-R208-028,A
UTC 2SB766A
PC-的Ta
1.4
集电极耗散功率PC（ W）
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
PNP外延硅晶体管
I
C
-V
CE
T
A
=25
℃
-9m一
一个-8m
-7M一
-6m一
IB = -10m一
电气特性曲线
-1.50
-1.25
集电极电流Ic （ A）
-1.00
-0.75
-0.50
-0.25
100 120 140 160
0
0
-2
-4
-6
-8
印刷电路板：铜箔面积
1cm
2
或M矿石，以及董事会厚度
1.7米米的收集器部分。
我（ TOT ）
mA
我（ TOT ）
mA
-5M一
- 4米一
-3M一
-2M一
-1m一
-10
周围温度Ta （
℃
)
V
CE
（SAT） -Ic
集电极到发射极饱和电压
V
CE
（ SAT ） （V ）
-100
-30
-10
-3
-1
-0.3
-0.1
T
A
=-25
℃
-0.1
-0.3
h
FE
-IC
600
FOWARD当前Transter理性的hFE
V
CE
=-10V
过渡频率f
T
（兆赫）
500
400
T
A
=75
℃
300
T
A
=25
℃
200
100
T
A
=-25
℃
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
1
-1
-3
-10
T
A
=75
℃
T
A
=25
℃
基地发射极饱和电压
V
BE
（ SAT ） （V ）
I
C
/I
B
=10
-100
-30
-10
-3
-1
集电极到发射极电压V
CE
(V)
V
BE
（SAT） -Ic
I
C
/I
B
=10
T
A
=-25
℃
-0.3
-0.1
T
A
=25
℃
T
A
=75
℃
-0.03
-0.01
-0.01 -0.03
-0.03
-0.01
-0.01 -0.03
-0.1
-0.3
f
T
-I
E
-1
-3
-10
集电极电流Ic （ A）
集电极电流Ic （ A）
V
CB
=-10V
T
A
=25
℃
0
-0.01 -0.03
-0.1
-0.3
-1
-3
-10
3
10
30
100
集电极电流Ic （ A）
发射极电流I
E
（MA ）
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
2
QW-R208-028,A
UTC 2SB766A
50
收藏家安输出电容科夫（PF ）
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-1
-3
-10
PNP外延硅晶体管
COB -V
CB
I
E
=0
f=1MHz
集电极电流Ic （ A）
T
A
=25
℃
安全操作区（ ASO ）
-10
-3
-1
-0.3
-0.1
-0.03
-0.01
-0.003
-0.001
-1
-3
-0.1 -0.3
-0.01 -0.03
集电极到发射极电压V
CE （ V）
t=1s
ICP
Ic
单脉冲
T
A
=25
℃
t=10ms
-30
-100
-10
集电极基极电压V
CB
(V)
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
3
QW-R208-028,A
晶体管
P
C
- TA
1.4
2SB766 ， 2SB766A
I
C
— V
CE
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
–1.50
Ta=25C
–1.25
I
B
=–10mA
–9mA
–8mA
–7mA
–6mA
–5mA
–4mA
–3mA
–2mA
–1mA
–100
–30
–10
–3
–1
Ta=75C
25C
–25C
V
CE （ SAT ）
— I
C
I
C
/I
B
=10
集电极耗散功率P
C
(W)
1.2
印刷circut板：铜
为1cm箔领域
2
或更多，并且
的1.7毫米板厚度
对于集电部。
1.0
集电极电流I
C
(A)
–1.00
0.8
– 0.75
0.6
– 0.50
– 0.3
– 0.1
– 0.03
0.4
0.2
– 0.25
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
– 0.01
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
BE （ SAT ）
— I
C
–100
h
FE
— I
C
I
C
/I
B
=10
600
V
CE
=–10V
200
180
500
V
CB
=–10V
Ta=25C
f
T
— I
E
基地发射极饱和电压V
BE （ SAT ）
(V)
过渡频率f
T
（兆赫）
–1
–3
–10
–30
–10
–3
25C
–1
75C
Ta=–25C
正向电流传输比H
FE
160
140
120
100
80
60
40
20
400
Ta=75C
300
25C
200
–25C
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
100
–1
–3
–10
0
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
0
1
3
10
30
100
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
发射极电流I
E
（MA ）
C
ob
— V
CB
50
安全操作区（ ASO ）
–10
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25C
–3
I
CP
单脉冲
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
–1
集电极电流I
C
(A)
–1
I
C
t=10ms
t=1s
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
2SB766A
2SB766
– 0.003
– 0.001
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
–3
–10
–30
–100
–1
–3
–10
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2
2SB766A
PNP外延平面晶体管
P B
铅（Pb ） - 免费
1.基地
2.收集
3.辐射源
1
2
3
最大额定值（T
A
= 25℃除非另有说明）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
价值
-60
-50
-5
-1
500
150
-55-150
单位
V
V
V
A
mW
℃
℃
SOT-89
电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
TEST
I
C
= -10μA ，我
E
=0
I
C
= -2mA ，我
B
=0
I
E
= -10μA ，我
C
=0
V
CB
= -20V ，我
E
=0
V
EB
= -4V ，我
C
=0
V
CE
= -10V ，我
C
=-500mA
V
CE
= -5V ，我
C
=-1A
I
C
= -500mA ，我
B
=-50mA
I
C
= -500mA ，我
B
=-50mA
V
CE
= -10V ，我
C
= -50mA ， F = 200MHz的
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
条件
民
-60
-50
-5
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
-
-
-
-
-
-
-
-0.2
-0.85
200
20
-
-
-
-0.1
-0.1
340
-
-
85
50
-
-0.4
-1.2
V
V
兆赫
pF
-
-
-
-
-
30
分类
秩
范围
记号
h
FE
Q
85-170
BQ
R
120-240
BR
S
170-340
BS
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
1/3
26-Dec-08
2SB766A
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
2/3
26-Dec-08
2SB766A
SOT- 89外形尺寸
单位：mm
E
G
暗淡
A
SOT-89
J
C
H
K
L
B
D
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
民
最大
1.600
1.400
0.320
0.520
0.360
0.560
0.350
0.440
4.400
4.600
1.400
1.800
2.300
2.600
3.940
4.250
1.500TYP
3.100
2.900
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
3/3
26-Dec-08
威伦
SOT- 89塑封装晶体管
200V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V-
SOD-123
批量处理的设计，出色的功耗报价
FM120-M
2SB766A
THRU
FM1200-M
包
无铅全国生产
特点
包装外形
SOD-123H
晶体管（ PNP ）
表面贴装为了申请
低调
更好的反向漏电流和耐热性。
优化电路板空间。
低
特点
功率损耗，效率高。
高电流能力，低正向电压降。
大
高浪涌
功耗P
C
集热器
能力。
Guardring过电压保护。
无铅封装可用
RoHS指令
超高速开关。
产品包装代号后缀“G”
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
无卤素产品的包装代号后缀
of
无铅零件符合环保标准
“H”
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
收视率（T
a
= 25℃除非另有说明）
最大
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
SOT-89
1.基地
0.071(1.8)
0.056(1.4)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
机械数据
参数
价值
单位
2.收集
1
2
3
ry
0.031 （ 0.8 ）典型值。
环氧树脂： UL94 -V0
电压
集电极 - 基
额定阻燃
-60
V
案例：模压塑料， SOD- 123H
集电极 - 发射极电压
-50
V
,
端子：镀金端子，焊
-5
MIL-STD-750
每
发射极 - 基极电压
V
极性：由阴极频带指示
集电极电源
：任何
500
安装位置
耗散
结温
150
重量：的逼近0.011克
储存温度
集电极电流 - 连续
方法2026
0.040(1.0)
0.024(0.6)
3.辐射源
0.031 （ 0.8 ）典型值。
在收视率
特性（T
a
另有规定ED 。
电动
25 ℃环境温度下，除非
= 25 ℃除非另有规定）
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
符号
参数
评级
im
12
13
= 0
30
Ic=-2mA,I
B
V
（ BR ） CEO
RRM
20
V
-55~150
℃
最大额定值和电气特性
INA
mW
℃
测试条件
14
40
28
40
15
50
35
50
FSM
V
CE
=-10V,I
C
I
= -500mA
-1
A
尺寸以英寸（毫米）
民
-60
16
-50
60
典型值
18
80
56
80
最大
10
100
70
100
-0.1
单位
V
V
150
V
105
150
μA
115
120
200
140
200
集电极 - 发射极击穿电压
最大的经常峰值反向电压
发射极 - 基
RMS电压
电压
最大
击穿
最大直流阻断电压
集电极截止电流
标识代码
Pr
el
集电极 - 基极击穿电压
=
V
（ BR ） CBO
Ic=-10μA,I
E
0
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
= 0
21
V
（ BR ） EBO
RMS
I
E
=-10μA,I
C
14
V
-5
42
60
1.0
85
30
20
= 0
30
I
CBO
V
DC
V
CB
=-20V,I
E
最大正向平均整流电流
= 0
I
EBO
I
O
V
EB
=-4V,I
C
发射极截止电流
-0.1
340
μA
直流电流增益
额定负荷（ JEDEC的方法）
叠加
典型热阻（注2 ）
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
h
FE(1)
= -1A
V
CE
=-5V,I
C
h
FE(2)
R
θJA
50
集电极 - 发射极饱和
（注1 ）
典型结电容
电压
基射极饱和电压
跃迁频率
存储温度范围
特征
集电极输出电容
最大正向电压在1.0A DC
工作温度范围
=
V
CE （ SAT ）
C
J
I
C
=-500mA,I
B
-50mA
f
T
TSTG
=
V
BE （ SAT ）
T
J
I
C
=-500mA,I
B
-50mA
-55到+125
40
120
-0.2
-0.4
-1.2
V
V
兆赫
V
CE
=-10V,I
C
-50mA ，女为200MHz
= =
0.50
0.70
-
65
到+175
-0.85
200
-55到+150
= 0 ，女为1MHz
V
CB
=-10V,I
=
20
30
pF
C
ob
符号
FM120-MH
E
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
V
F
I
R
0.85
0.9
0.92
分类h及
FE(1)
额定阻断电压DC
秩
注意事项：
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
@T A = 125 ℃
0.5
10
Q
R
120-240
S
170-340
85-170
范围
从结点到环境的热阻
2-
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
制造
BQ
BR
BS
2012-
0
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司
威伦
SOT- 89塑封装晶体管
200V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V-
SOD-123
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
FM120-M
2SB766A
THRU
FM1200-M
包
无铅产品
特点
包装外形
外形绘图
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
低功耗，高效率。
高电流能力，低正向电压降。
高浪涌能力。
Guardring过电压保护。
超高速开关。
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
.181(4.60)
SOT-89
SOD-123H
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
ry
0.031 （ 0.8 ）典型值。
.173(4.39)
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
.061REF
(1.55)REF
极性：由阴极频带指示
安装位置：任意
重量：的逼近0.011克
方法2026
机械数据
0.040(1.0)
0.024(0.6)
.063(1.60)
.055(1.40)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
im
12
13
30
21
30
最大额定值和电气特性
.167(4.25)
标识代码
.154(3.91)
Pr
el
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
INA
.102(2.60)
.091(2.30)
14
40
28
40
15
50
35
50
20
I
O
I
FSM
尺寸以英寸（毫米）
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
.023(0.58)
20
V
RRM
.016(0.40)
14
V
RMS
V
DC
16
60
42
60
1.0
30
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
.047(1.2)
.031(0.8)
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
-55到+125
40
120
-55到+150
.060TYP
(1.50)TYP
-
65
到+175
特征
最大正向电压在1.0A DC
额定阻断电压DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
.017(0.44)
.014(0.35)
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
.118TYP
0.9
0.92
0.50
0.70
0.85
(3.0)TYP
V
F
I
R
0.5
10
.197(0.52)
.013(0.32)
@T A = 125 ℃
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
尺寸以英寸（毫米）
2012-
0
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司
REV.C
QQ：2881677436 复制
