订购数量： ENN575D
PNP / NPN外延平面硅晶体管
2SB764/2SD863
电压调节器，继电器灯驱动器
电气设备应用
包装尺寸
单位：mm
2006B
[2SB764/2SD863]
6.0
5.0
4.7
0.5
0.6
6.0
14.0
3.0
8.5
0.5
0.5
1 2 3
（）： 2SB764
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在Ta = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
TSTG
条件
1.45
1.45
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
三洋： MP
评级
(–)60
(–)50
(–)5
(–)1
(–)2
0.9
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
C
C
电气特性
在Ta = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
符号
ICBO
IEBO
hFE1
hFE2
fT
COB
VCB = （ - ） 50V ， IE = 0
VEB = （ - ） 4V， IC = 0
VCE = （ - ） 2V ， IC = （ - ） 50毫安
VCE = （ - ） 2V ， IC = （ - ） 1A
VCE = （ - ） 10V ， IC = （ - ） 50毫安
VCB = （ - ） 10V ， F = 1MHz的
60*
30
150
(20)
12
兆赫
pF
pF
条件
评级
民
典型值
最大
(–)1
(–)1
320*
单位
A
A
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
90503TN （ KT ） / 91098HA （ KT ） / 4107KI / 3085MW ， TS No.575-1 / 4
2SB764/2SD863
从接下页。
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿Votage
符号
VCE （ SAT ）
条件
IC = （ - ） 500毫安， IB = （ - ） 50毫安
评级
民
典型值
(–0.2)
0.15
(–)0.85
(–)60
(–)50
(–)5
最大
(–0.7)
0.5
(–)1.2
单位
V
V
V
V
V
V
VBE （ sat）的IC = （ - ） 500毫安， IB = （ - ） 50毫安
V（ BR ） CBO IC = （ - ） 10μA ， IE = 0
V（ BR ） CEO IC = （ - ） 1mA时， RBE = ∞
V（ BR ） EBO
IE = （ - ） 10μA ， IC = 0
* ：在SB764 / 2SD863进行分类50毫安
FE
如下：
秩
的hFE
D
60至120
E
100至200
F
160到320
--1000
IC - VCE
2SB764
A
0m
--1
1000
IC - VCE
A
10m
8m
A
2SD863
A
4mA
集电极电流， IC - 毫安
--8mA
--6mA
集电极电流， IC - 毫安
--800
800
6m
--600
600
--4mA
--400
3mA
400
--3mA
--2mA
2mA
--200
--1mA
200
1mA
0
0
--2
--4
--6
--8
IB=0
--10
--12
ITR08345
0
0
2
4
6
8
IB=0
10
12
ITR08346
集电极 - 发射极电压VCE - V
--1000
集电极 - 发射极电压VCE - V
1000
IC - VCE
mA
--5
0
IC - VCE
50mA
30m
--
m
30
A
2SB764
--2
0mA
--10m
A
集电极电流， IC - 毫安
800
20m
A
10mA
2SD863
集电极电流， IC - 毫安
--800
A
--600
600
6mA
--6mA
--400
4mA
400
--4mA
2mA
200
--2mA
--200
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
IB=0
--0.8
--1.0
--1.2
ITR08347
0
0
0.2
0.4
0.6
IB=0
0.8
1.0
1.2
ITR08348
集电极 - 发射极电压VCE - V
1200
集电极 - 发射极电压VCE - V
1000
IC - VBE
VCE=2V
的hFE - IC
VCE=2V
集电极电流， IC - 毫安
1000
5
800
直流电流增益， hFE参数
3
2
2SD863
2S
B
764
600
100
63
2SD
8
764
2SB
400
5
3
200
0
0
（对于PNP ，减号
被省略了。 ）
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
ITR08349
2
10
1.0
（对于PNP ，减号省略。 ）
2
3
5
10
2
3
5
100
2
3
5
基极发射极电压VBE - V
集电极电流， IC - 毫安
1000 2 3
ITR08350
No.575–2/4
2SB764/2SD863
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能，
特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证
的性能，特点，以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个独立的装置来评估，
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障可能
事故或事件，危及人的生命，这可能导致冒烟或起火引起，
或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用安全的措施，
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。
在任何或所有SANYO产品（包括技术参数和服务）的事件或描述
此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制，
这样的产品不能鞋子箱包的出口泰德不受当局获得的鞋子箱包的出口吨执照
有关在按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或
机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，
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PS No.575-4 / 4
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