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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·带
MT- 200封装
.Complement
键入2SD745 / 745A / 745B
应用
·音频
频功率放大器
适用
为60 120W的音频输出级
放大器和稳压器
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
2SB705/705A/705B
Fig.1简化外形（ MT- 200 ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
℃
)
符号
固电
IN
导½
半
参数
条件
2SB705
2SB705A
V
CBO
集电极 - 基极电压
ES
昂
CH
2SB705B
2SB705
2SB705A
2SB705B
发射极开路
ND
ICO
EM
OR
UCT
价值
-140
-150
-160
-140
-150
-160
单位
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
开基
V
V
EBO
I
C
I
CM
P
T
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
集电极开路
-5
-10
-15
V
A
A
W
℃
℃
T
C
=25℃
120
150
-55~150
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2SB705
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
2SB705A
2SB705B
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
I
C
=-5A;I
B
=-0.5 A
I
C
=-5A;I
B
=-0.5 A
V
CB
= -140V ;我
E
=0
V
EB
= -3V ;我
C
=0
I
C
= -50mA ; V
CE
=-5V
I
C
= -2A ; V
CE
=-5V
I
C
= -25mA ;我
B
=0
条件
2SB705/705A/705B
民
-140
-150
-160
典型值。
最大
单位
V
-1.5
-2.0
-50
-50
20
40
V
V
μA
μA
固电
IN
直流电流增益
导½
半
跃迁频率
输出电容
h
FE-2
分类
S
40-80
R
60-120
ES
昂
CH
Q
100-200
I
C
= -0.2A ; V
CE
=-5V
I
E
=0; V
CB
=-10V;f=1MHz
ND
ICO
EM
OR
UCT
200
17
430
兆赫
pF
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB705/705A/705B
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·采用MT- 200封装
·补键入2SD745 / 745A / 745B
应用
·音频功放
·适用于60 120W的音频输出级
放大器和稳压器
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
2SB705/705A/705B
Fig.1简化外形（ MT- 200 ）和符号
绝对最大额定值（ TA = 25 ）
符号
参数
2SB705
V
CBO
集电极 - 基极电压
2SB705A
2SB705B
2SB705
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2SB705A
2SB705B
V
EBO
I
C
I
CM
P
T
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
-140
-150
-160
-140
-150
-160
-5
-10
-15
120
150
-55~150
V
A
A
W
V
V
单位
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
2SB705
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
2SB705A
2SB705B
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
I
C
=-5A;I
B
=-0.5 A
I
C
=-5A;I
B
=-0.5 A
V
CB
= -140V ;我
E
=0
V
EB
= -3V ;我
C
=0
I
C
= -50mA ; V
CE
=-5V
I
C
= -2A ; V
CE
=-5V
I
C
= -0.2A ; V
CE
=-5V
I
E
=0; V
CB
=-10V;f=1MHz
I
C
= -25mA ;我
B
=0
条件
2SB705/705A/705B
符号
民
-140
-150
-160
典型值。
最大
单位
V
-1.5
-2.0
-50
-50
20
40
17
430
200
V
V
A
A
兆赫
pF
h
FE-2
分类
S
40-80
R
60-120
Q
100-200
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB705/705A/705B
图2外形尺寸
3
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·带
MT- 200封装
.Complement
键入2SD745 / 745A / 745B
应用
·音频
频功率放大器
适用
为60 120W的音频输出级
放大器和稳压器
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
2SB705/705A/705B
Fig.1简化外形（ MT- 200 ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
℃
)
符号
参数
2SB705
V
CBO
集电极 - 基极电压
2SB705A
2SB705B
2SB705
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2SB705A
2SB705B
V
EBO
I
C
I
CM
P
T
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
-140
-150
-160
-140
-150
-160
-5
-10
-15
120
150
-55~150
V
A
A
W
℃
℃
V
V
单位
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2SB705
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
2SB705A
2SB705B
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
I
C
=-5A;I
B
=-0.5 A
I
C
=-5A;I
B
=-0.5 A
V
CB
= -140V ;我
E
=0
V
EB
= -3V ;我
C
=0
I
C
= -50mA ; V
CE
=-5V
I
C
= -2A ; V
CE
=-5V
I
C
= -0.2A ; V
CE
=-5V
I
E
=0; V
CB
=-10V;f=1MHz
I
C
= -25mA ;我
B
=0
条件
2SB705/705A/705B
民
-140
-150
-160
典型值。
最大
单位
V
-1.5
-2.0
-50
-50
20
40
17
430
200
V
V
μA
μA
兆赫
pF
h
FE-2
分类
S
40-80
R
60-120
Q
100-200
2
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB705/705A/705B
图2外形尺寸
3
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2015A13
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2SC4109N
2SC4718
2SA205S
2015D12
2SD1762
290-03B-0800
2SK427R
2SC3582
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