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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
2SB653
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= -100V （最小值）
高
电源Dissipation-
: P
C
= 60W （最大） @T
C
=25℃
.Complement
到类型2SD673
应用
·设计
低频功率放大器的应用。
绝对最大额定值（T
a
=25℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流连续
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
结温
储存温度
价值
-120
-100
-5
-7
-12
-2
60
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
℃
℃
P
C
T
J
T
英镑
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
电气特性
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
I
CBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
t
f
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
电流增益带宽积
下降时间
条件
I
C
= -50mA ;
BE
=
∞
I
E
= -5mA ;我
C
= 0
I
C
= -5A ;我
B
= -0.5A
B
2SB653
民
-100
-5
典型值。
最大
单位
V
V
-3.0
-1.5
-1
60
20
22
0.5
200
V
V
mA
I
C
= -1A ; V
CE
= -5V
V
CB
= -100V ;我
E
= 0
I
C
= -1A ; V
CE
= -5V
I
C
= -5A ; V
CE
= -5V
I
C
= -1A ; V
CE
= -5V
I
C
= -0.6A ;我
B1
= -0.6A ;我
B2
= 0
兆赫
μs
h
FE
分类
B
60-120
C
100-200
ISC的网站： www.iscsemi.cn
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB653
描述
·采用TO-3封装
·高功耗
应用
·对于低频功率放大器
应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
-120
-120
-6
-7
60
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
条件
I
C
= -30mA ;我
B
=0
I
C
= -1mA ，我
E
=0
I
E
= -1mA ，我
C
=0
I
C
= -3A ;我
B
=-0.3A
V
CB
= -120V ;我
E
=0
民
-120
-120
-6
2SB653
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
CBO
典型值。
最大
单位
V
V
V
-1.5
V
集电极截止电流
-0.1
mA
I
EBO
h
FE
f
T
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
V
EB
= -6V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
35
20
-0.1
200
mA
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB653
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
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2SC3426
299-43-312-11-001000
供货商
型号
厂家
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单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
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    2SB653
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