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2SB649 ， 2SB649A
PNP硅外延
应用
低频功率放大器互补配对2SD669 / A
概要
TO- 126 MOD
1
1.发射器
2.收集
3. BASE
2
3
2SB649 ， 2SB649A
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
评级
项
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C（峰值）
P
C
P
C
*
1
结温
储存温度
注意：
1.价值在T
C
= 25°C
Tj
TSTG
2SB649
–180
–120
–5
–1.5
–3
1
20
150
-55到+150
2SB649A
–180
–160
–5
–1.5
–3
1
20
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
W
°C
°C
2
2SB649 ， 2SB649A
电气特性
（ TA = 25°C ）
2SB649
项
收藏家基地
击穿电压
集电极到发射极
击穿电压
发射器基
击穿电压
收藏家Cuto FF电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
民
典型值
最大
—
—
—
–10
320
—
–1
–1.5
—
—
2SB649A
民
典型值
最大
—
—
—
–10
200
—
–1
–1.5
—
—
V
V
兆赫
pF
单位
V
V
V
A
测试条件
I
C
= -1毫安，我
E
= 0
I
C
= -10毫安，R
BE
=
∞
I
E
= -1毫安，我
C
= 0
V
CB
= -160 V，I
E
= 0
V
CE
= –5 V,
I
C
= ± 150毫安
V
CE
= –5 V,
I
C
= -500毫安*
2
I
C
= -500毫安，
I
B
= -50毫安
V
CE
= –5 V,
I
C
= ± 150毫安
V
CE
= –5 V,
I
C
= ± 150毫安
V
CB
= -10 V，I
E
= 0,
F = 1 MHz的
–180 —
–120 —
–5
—
60
30
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
140
27
–180 —
–160 —
–5
—
60
30
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
140
27
直流电流传输比H
FE1
*
1
h
FE2
集电极到发射极
饱和电压
V
CE （ SAT ）
基极至发射极电压V
BE
增益带宽乘积F
T
集电极输出
电容
COB
注：1. 2SB649和2SB649A是用h分组
FE1
如下。
2.脉冲测试
B
2SB649
2SB649A
60至120
60至120
C
100至200
100至200
D
160到320
—
3
2SB649 ， 2SB649A
最大集电极耗散
曲线
30
集电极耗散功率P
C
(W)
–3
I
CMAX
集电极电流I
C
(A)
–1.0
（ -40 V， -0.5 A）
–0.3
–0.1
DC操作（T
C
= 25°C)
（ -13.3 V， -1.5 A）
安全工作区
20
10
–0.03
2SB649
–0.01
–1
（ -120 V， -0.038 A）
（ -160 V， -0.02 A）
2SB649A
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
150
–3
–10
–30
–100 –300
集电极到发射极电压V
CE
(V)
典型的输出特性
–1.0
.5
–5
典型的传输特性
–500
V
CE
= –5 V
集电极电流I
C
（MA ）
–100
集电极电流I
C
(A)
–0.8
TA = 75
°
C
0
–0.6
0
5.
–
–4.5
.0
–4
.5
–3
0
–3.
–2.5
–2.0
T
C
= 25°C
–0.4
–1.5
–1.0
–10
–0.2
-0.5毫安
I
B
= 0
0
–30
–50
–10
–20
–40
集电极到发射极电压V
CE
(V)
–1
–0.2 –0.4 –0.6 –0.8 –1.0
基极至发射极电压V
BE
(V)
4
25
–25
P
C
=
20
W
2SB649 ， 2SB649A
直流电流传输比
与集电极电流
V
CE
= –5V
TA = 75
°C
25
°C
集电极到发射极饱和
电压与集电极电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
(V)
–1.2
I
C
= 10 I
B
–1.0
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
–0
–1
350
直流电流传输比H
FE
350
250
200
150
100
50
–25°C
Ta
–100
–10
集电极电流I
C
（MA ）
V
CE
= –5 V
80
40
0
–10
=7
–25
25
–1,000
增益带宽积
与集电极电流
–100
–300
–30
集电极电流I
C
（MA ）
0
–1
–10
–100
–1,000
集电极电流I
C
（MA ）
基地发射极饱和电压
与集电极电流
–1.2
基地发射极饱和电压
V
BE （ SAT ）
(V)
–1.0
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
–0
–1
TA =
–25
°
25
75
C
240
增益带宽乘积F
T
（兆赫）
I
C
= 10 I
B
200
160
120
5
°
C
–1,000
–10
–100
集电极电流I
C
（MA ）
–1,000
5
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