UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
2SB649/A
双极型功率一般
目的晶体管
应用
·低频功率放大器互补对与UTC
2SB669/A
PNP硅晶体管
1
SOT-89
1
TO-126
1
TO-126C
1
TO-92
*无铅电镀产品编号：
2SB649L/2SB649AL
订购信息
订单号
正常
无铅电镀
2SB649-x-AB3-R
2SB649L-x-AB3-R
2SB649-x-T6C-K
2SB649L-x-T6C-K
2SB649-x-T60-K
2SB649L-x-T60-K
2SB649-x-T92-B
2SB649L-x-T92-B
2SB649-x-T92-K
2SB649L-x-T92-K
2SB649A-x-AB3-R
2SB649AL-x-AB3-R
2SB649A-x-T6C-K
2SB649AL-x-T6C-K
2SB649A-x-T60-K
2SB649AL-x-T60-K
2SB649A-x-T92-B
2SB649AL-x-T92-B
2SB649A-x-T92-K
2SB649AL-x-T92-K
包
SOT-89
TO-126C
TO-126
TO-92
TO-92
SOT-89
TO-126C
TO-126
TO-92
TO-92
引脚分配
1
2
3
B
C
E
E
C
B
E
C
B
E
C
B
E
C
B
B
C
E
E
C
B
E
C
B
E
C
B
E
C
B
填料
带盘
体积
体积
磁带盒
体积
带盘
体积
体积
磁带盒
体积
2SB649L-x-AB3-R
（ 1 ）包装类型
（ 2 ）封装类型
(3)Rank
（ 4 ）铅电镀
（ 1 ） B：磁带盒， K：散装， R：带卷轴
（ 2 ） AB3 ： SOT - 89 ， T6C ： TO- 126C ， T60 ： TO- 126 ，
牛逼92 ： TO- 92
（3 ）× ：指h的分类
FE
（ 4 ） L：无铅电镀，空白：铅/锡
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2005 Unisonic技术有限公司
1 4
QW-R204-006,D
2SB649/A
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
TO-126/TO-126C
TO-92
SOT-89
2SB649
2SB649A
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
l
C（峰值）
P
D
T
J
T
英镑
PNP硅晶体管
绝对最大额定值
(Ta=25
℃
除非另有规定编）
等级
-180
-120
-160
-5
-1.5
-3
1.4
1
500
+150
-40 ~ +150
单位
V
V
V
A
A
W
W
mW
°
C
°
C
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气特性
(Ta=25
℃
除非另有规定编）
参数
符号
测试条件
集电极基极击穿电压
BV
CBO
I
C
= -1mA ，我
E
=0
集电极到发射极击穿2SB649
BV
首席执行官
I
C
= -10mA ，R
BE
=
∞
电压
2SB649A
发射极基极击穿电压
BV
EBO
I
E
= -1mA ，我
C
=0
集电极截止电流
I
CBO
V
CB
= -160V ，我
E
=0
h
FE1
V
CE
= -5V ，我
C
= -150mA （注）
2SB649
h
FE2
V
CE
= -5V ，我
C
= -500mA （注）
直流电流增益
h
FE1
V
CE
= -5V ，我
C
= -150mA （注）
2SB649A
h
FE2
V
CE
= -5V ，我
C
= -500mA （注）
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
IC = -600mA ，我
B
=-50mA
基射极电压
V
BE
V
CE
= -5V ，我
C
=-150mA
电流增益带宽积
f
T
V
CE
=-5V,I
C
=-150mA
输出电容
COB
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
注：脉冲测试。
民
-180
-120
-160
-5
60
30
60
30
典型值
最大单位
V
V
V
A
-10
320
200
-1
-1.5
140
27
V
V
兆赫
pF
分类h及
FE
秩
范围
B
60-120
C
100-200
D
160-320
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2 4
QW-R204-006,D
2SB649/A
典型特征
典型输出Characteristecs
.5
PNP硅晶体管
典型的传输特性
-500
集电极电流，I
C
（MA ）
V
CE
=-5V
-100
T A = 7
5
℃
1.0
集电极电流，I
C
(A)
0.8
0.6
0.4
0.2
0
- 4.
5
- 3 . .0
-3
5
-2.
-4
. 5- 5
.0
-
5
T
C
=25℃
0W
=2
P
D
-2.0
-1.5
-1.0
-10
-0.5mA
I
B
=0
0
-10
-20
-30
-40
-50
-1
0
集电极到发射极电压，V
CE
(V)
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
基地发射极电压，V
BE
(V)
350
直流电流传输比，H
FE
直流电流传输比
与集电极电流
-1.2
集电极到发射极饱和
电压，V
CE （ SAT ）
(V)
集电极到发射极饱和电压
与集电极电流
I
C
=10 I
B
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
T
5
℃
=7
C
25
300
250
200
150
100
50
1
-1
V
CE
=-5V
5
℃
Ta=7
25
℃
-25
℃
25
-2 5
-25
-10
-100
-1,000
-1
-10
-100
-1,000
集电极电流，I
C
（MA ）
集电极电流，I
C
（MA ）
1.2
基地发射极饱和
电压，V
BE （ SAT ）
(V)
基地发射极饱和电压
与集电极电流
I
C
=10I
B
25
℃
T
C
=-
25
75
240
增益带宽积，女
T
（兆赫）
增益带宽积
与集电极电流
V
CE
=5V
Ta=25℃
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
200
160
120
80
40
0
10
1
3
10
30
100 300 1,000
集电极电流，I
C
（MA ）
30
100
300
1,000
集电极电流，I
C
（MA ）
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QW-R204-006,D
2SB649/A
典型特征（续）
PNP硅晶体管
集电极输出电容
与集电极 - 基极电压
安全工作区
-3 I
CMAX
（ -13.3V ， -1.5A ）
-1.0
-0.3
-0.1
-0.03
-0.01
-1
（ -40V ， -0.5A ）
2SB649A
DC操作（T
C
=25℃)
（ -120V ， -0.038A ）
（ -160V ， - 0.02A ）
2SB649
-3
-10
-30
-100 -300
集电极输出电容C
ob
（PF ）
200
50
20
10
5
2
-1
-3
-10
-30
-100
集电极电流，I
C
(A)
100
f=1MHz
I
E
=0
集电极 - 基极电压，V
CB
(V)
集电极到发射极电压，V
CE
(V)
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
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2SB649/A
双极型功率一般
目的晶体管
应用
·低频功率放大器互补对与UTC
2SB669/A
PNP硅晶体管
1
SOT-89
1
TO-126
1
TO-126C
1
TO-92
*无铅电镀产品编号：
2SB649L/2SB649AL
订购信息
订单号
正常
无铅电镀
2SB649-x-AB3-R
2SB649L-x-AB3-R
2SB649-x-T6C-K
2SB649L-x-T6C-K
2SB649-x-T60-K
2SB649L-x-T60-K
2SB649-x-T92-B
2SB649L-x-T92-B
2SB649-x-T92-K
2SB649L-x-T92-K
2SB649A-x-AB3-R
2SB649AL-x-AB3-R
2SB649A-x-T6C-K
2SB649AL-x-T6C-K
2SB649A-x-T60-K
2SB649AL-x-T60-K
2SB649A-x-T92-B
2SB649AL-x-T92-B
2SB649A-x-T92-K
2SB649AL-x-T92-K
包
SOT-89
TO-126C
TO-126
TO-92
TO-92
SOT-89
TO-126C
TO-126
TO-92
TO-92
引脚分配
1
2
3
B
C
E
E
C
B
E
C
B
E
C
B
E
C
B
B
C
E
E
C
B
E
C
B
E
C
B
E
C
B
填料
带盘
体积
体积
磁带盒
体积
带盘
体积
体积
磁带盒
体积
2SB649L-x-AB3-R
（ 1 ）包装类型
（ 2 ）封装类型
(3)Rank
（ 4 ）铅电镀
（ 1 ） B：磁带盒， K：散装， R：带卷轴
（ 2 ） AB3 ： SOT - 89 ， T6C ： TO- 126C ， T60 ： TO- 126 ，
牛逼92 ： TO- 92
（3 ）× ：指h的分类
FE
（ 4 ） L：无铅电镀，空白：铅/锡
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2SB649/A
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
TO-126/TO-126C
TO-92
SOT-89
2SB649
2SB649A
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
l
C（峰值）
P
D
T
J
T
英镑
PNP硅晶体管
绝对最大额定值
(Ta=25
℃
除非另有规定编）
等级
-180
-120
-160
-5
-1.5
-3
1.4
1
500
+150
-40 ~ +150
单位
V
V
V
A
A
W
W
mW
°
C
°
C
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气特性
(Ta=25
℃
除非另有规定编）
参数
符号
测试条件
集电极基极击穿电压
BV
CBO
I
C
= -1mA ，我
E
=0
集电极到发射极击穿2SB649
BV
首席执行官
I
C
= -10mA ，R
BE
=
∞
电压
2SB649A
发射极基极击穿电压
BV
EBO
I
E
= -1mA ，我
C
=0
集电极截止电流
I
CBO
V
CB
= -160V ，我
E
=0
h
FE1
V
CE
= -5V ，我
C
= -150mA （注）
2SB649
h
FE2
V
CE
= -5V ，我
C
= -500mA （注）
直流电流增益
h
FE1
V
CE
= -5V ，我
C
= -150mA （注）
2SB649A
h
FE2
V
CE
= -5V ，我
C
= -500mA （注）
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
IC = -600mA ，我
B
=-50mA
基射极电压
V
BE
V
CE
= -5V ，我
C
=-150mA
电流增益带宽积
f
T
V
CE
=-5V,I
C
=-150mA
输出电容
COB
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
注：脉冲测试。
民
-180
-120
-160
-5
60
30
60
30
典型值
最大单位
V
V
V
A
-10
320
200
-1
-1.5
140
27
V
V
兆赫
pF
分类h及
FE
秩
范围
B
60-120
C
100-200
D
160-320
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
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2SB649/A
典型特征
典型输出Characteristecs
.5
PNP硅晶体管
典型的传输特性
-500
集电极电流，I
C
（MA ）
V
CE
=-5V
-100
T A = 7
5
℃
1.0
集电极电流，I
C
(A)
0.8
0.6
0.4
0.2
0
- 4.
5
- 3 . .0
-3
5
-2.
-4
. 5- 5
.0
-
5
T
C
=25℃
0W
=2
P
D
-2.0
-1.5
-1.0
-10
-0.5mA
I
B
=0
0
-10
-20
-30
-40
-50
-1
0
集电极到发射极电压，V
CE
(V)
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
基地发射极电压，V
BE
(V)
350
直流电流传输比，H
FE
直流电流传输比
与集电极电流
-1.2
集电极到发射极饱和
电压，V
CE （ SAT ）
(V)
集电极到发射极饱和电压
与集电极电流
I
C
=10 I
B
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
T
5
℃
=7
C
25
300
250
200
150
100
50
1
-1
V
CE
=-5V
5
℃
Ta=7
25
℃
-25
℃
25
-2 5
-25
-10
-100
-1,000
-1
-10
-100
-1,000
集电极电流，I
C
（MA ）
集电极电流，I
C
（MA ）
1.2
基地发射极饱和
电压，V
BE （ SAT ）
(V)
基地发射极饱和电压
与集电极电流
I
C
=10I
B
25
℃
T
C
=-
25
75
240
增益带宽积，女
T
（兆赫）
增益带宽积
与集电极电流
V
CE
=5V
Ta=25℃
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
200
160
120
80
40
0
10
1
3
10
30
100 300 1,000
集电极电流，I
C
（MA ）
30
100
300
1,000
集电极电流，I
C
（MA ）
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2SB649/A
典型特征（续）
PNP硅晶体管
集电极输出电容
与集电极 - 基极电压
安全工作区
-3 I
CMAX
（ -13.3V ， -1.5A ）
-1.0
-0.3
-0.1
-0.03
-0.01
-1
（ -40V ， -0.5A ）
2SB649A
DC操作（T
C
=25℃)
（ -120V ， -0.038A ）
（ -160V ， - 0.02A ）
2SB649
-3
-10
-30
-100 -300
集电极输出电容C
ob
（PF ）
200
50
20
10
5
2
-1
-3
-10
-30
-100
集电极电流，I
C
(A)
100
f=1MHz
I
E
=0
集电极 - 基极电压，V
CB
(V)
集电极到发射极电压，V
CE
(V)
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
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QW-R204-006,D
2SB649/2SB649A
公司Bauelemente
符合RoHS产品
的" - C"后缀指定卤素&无铅
PNP型
塑料封装晶体管
TO-126C
8.0
±0.2
2.0
±0.2
4.14
±0.1
3.2
±0.2
特点
电源smplifier应用
功耗
P
CM
:
1 W
（Tamb=25℃）
集电极电流
I
CM
:
- 1.5 A
集电极 - 基极电压
V
（ BR ） CBO
: -180 V
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
2SB649 ： -120 V
2SB649A ： -160 V
工作和存储结温范围
T
J
，T
英镑
： -55 ℃至+ 150
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
*
直流电流增益
h
FE(2)
*
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
V
CE （SAT）
*
V
BE
*
V
CE
= - 5V ，我
C
= -500mA
I
C
= - 400 mA时，我
B
= - 50毫安
V
CE
= - 5V ，我
C
=-150mA
,,
V
CE
= -5V我
C
= - 150毫安
V
CB
= -10 V，I
E
=0,f=1MHz
11.0
±0.2
1
2
3
O2.8
±0.1
O
3.2
±0.1
1.4
±0.1
1.27
±0.1
15.3
±0.2
0.76
±0.1
2.28典型。
4.55
±0.1
0.5
± 0.1
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
单位：毫米
除非
TEST
否则
特定网络版）
民
-180
最大
单位
V
V
V
-10
-10
条件
Ic=-1mA
，
I
E
=0
Ic=-10mA
，
I
B
=0
I
E
= -1mA ，我
c
=0
V
CB
= - 160 V，I
E
=0
V
EB
= -4V ,
I
C
=0
2SB649
2SB649A
2SB649
2SB649A
-120
-160
-5
μ
A
μ
A
V
CE
= -5V ，我
C
= -150毫安
60
60
30
320
200
-1
-1.5
140
27
V
V
兆赫
pF
f
T
C
ob
*
该2SB649和2SB649A是用h分组
FE1
如下。
秩
2SB649
2SB649A
B
60 - 120
60 - 120
C
100 - 200
100 - 200
D
160 - 320
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01君2002年修订版A
2SB649/2SB649A
公司Bauelemente
PNP型
塑料封装晶体管
最大集电极耗散
曲线
30
集电极耗散功率P
C
(W)
–3
I
CMAX
集电极电流I
C
(A)
–1.0
安全工作区
（ -13.3 V， -1.5 A）
20
（ -40 V， -0.5 A）
–0.3
–0.1
DC操作（T
C
= 25°C)
10
–0.03
2SB649
–0.01
–1
（ -120 V， -0.038 A）
（ -160 V， -0.02 A）
2SB649A
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
150
–3
–10
–30
–100 –300
集电极到发射极电压V
CE
(V)
典型的输出特性
–1.0
.5
–5
典型的传输特性
–500
V
CE
= –5 V
集电极电流I
C
（MA ）
–100
集电极电流I
C
(A)
–0.8
TA = 75
°
C
0
I
C
= 10 I
B
–0.6
–2.0
–1.5
–0.4
–1.0
–10
–0.2
-0.5毫安
I
B
= 0
0
–30
–50
–10
–20
–40
集电极到发射极电压V
CE
(V)
–1
–0.2 –0.4 –0.6 –0.8 –1.0
基极至发射极电压V
BE
(V)
直流电流传输比
与集电极电流
V
CE
= –5V
TA = 75
°C
25
°C
集电极到发射极饱和
电压与集电极电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
(V)
–1.2
–1.0
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
–0
–1
350
直流电流传输比H
FE
350
250
200
150
100
50
–25°C
25
–25
0
5.
–
–4.5
.0
–4
.5
–3
0
–3.
–2.5
T
C
= 25°C
Ta
–10
–100
集电极电流I
C
（MA ）
=7
–25
25
–1,000
0
–1
–10
–100
–1,000
集电极电流I
C
（MA ）
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°
C
P
C
=
20
W
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