【2SB647 ， 2SB647APNP硅外延REJ03G0648-0200（上ADE- 208-10】,IC型号2SB647ACTZ-E,2SB647ACTZ-E PDF资料,2SB647ACTZ-E经销商,ic,电子元器件-51电子网

51电子网联系电话：13692101218

位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第639页 > 2SB647ACTZ-E

2SB647 ， 2SB647A

PNP硅外延

REJ03G0648-0200

（上ADE- 208-1025 ）

Rev.2.00

Aug.10.2005

应用

低频功率放大器

互补配对2SD667 / A

概要

瑞萨封装代码： PRSS0003DC -A

（包名称： TO- 92 MOD）

1.发射器

2.收集

3. BASE

3

2

1

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

i

C（峰值）

P

C

Tj

TSTG

2SB647

–120

–80

–5

–1

–2

0.9

150

-55到+150

2SB647A

–120

–100

–5

–1

–2

0.9

150

-55到+150

单位

V

V

V

A

A

W

°C

°C

Rev.2.00 2005年8月10日第1页5

2SB647 ， 2SB647A

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

收藏家基地

击穿电压

集电极到发射极

击穿电压

发射器基

击穿电压

收藏家Cuto FF电流

直流电流传输比

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

h

FE1

*

1

h

FE2

集电极到发射极

饱和电压

基地发射极电压

增益带宽积

V

CE （ SAT ）

V

BE

f

T

2SB647

民

典型值

–120

—

–80

–5

—

60

30

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

140

最大

—

—

—

–10

320

—

–1

–1.5

—

2SB647A

民

典型值

最大

–120

—

—

–100

–5

—

60

30

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

140

20

—

—

–10

200

—

–1

–1.5

—

—

V

V

兆赫

pF

单位

V

V

V

A

测试条件

I

C

= –10

A,

I

E

= 0

I

C

= -1毫安，R

BE

=

∞

I

E

= –10

A,

I

C

= 0

V

CB

= -100 V，I

E

= 0

V

CE

= –5 V,

2

I

C

= -150毫安*

V

CE

= –5 V,

2

I

C

= -500毫安*

I

C

= -500毫安，

2

I

B

= -50毫安*

V

CE

= –5 V,

2

I

C

= -150毫安*

V

CE

= –5 V,

I

C

= ± 150毫安

V

CB

= -10 V，I

E

= 0

F = 1 MHz的

COB

—

20

—

—

集电极输出

电容

注：1. 2SB647和2SB647A是用h分组

FE1

如下。

2.脉冲测试

B

C

D

2SB647

—

100至200

160到320

2SB647A

60至120

100至200

—

Rev.2.00 2005年8月10日第2页5

2SB647 ， 2SB647A

主要特点

最大集电极耗散曲线

集电极耗散功率P

C

(W)

1.2

典型的输出特性

–

1.0

集电极电流I

C

(A)

–

0.8

–

0.6

–

0.4

–

0.2

–

120

0

–

10

–

80

–

6 0

–

4 0

–

30

2 0

–

–

10

–

5

–

2

P

C

= 0.

0.8

0.4

–

1

9W

–

0.5mA

I

B

= 0

0

50

100

150

0

–

2

–

4

–

6

–

8

–

10

环境Tmperature TA（ ° C）

集电极到发射极电压V

CE

(V)

直流电流传输比

与集电极电流

600

V

CE

= –5 V

脉冲

典型的传输特性

–500

–200

直流电流传输比H

FE

V

CE

= –5 V

脉冲

500

400

300

200

100

集电极电流I

C

（MA ）

–100

5

°

C

–50

–20

–10

–5

–2

–1

0

–0.2

–0.4

TA = 7

25

–25

TA = 75℃

25

–25

–0.6

–0.8

–1.0

0

–1

–3

–10

–30

–100 –300 –1,000

基极至发射极电压V

BE

(V)

饱和电压

与集电极电流

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

基地发射极饱和电压V

BE （ SAT ）

(V)

集电极电流I

C

（MA ）

增益带宽积

与集电极电流

增益带宽乘积F

T

（兆赫）

240

200

160

120

80

40

0

–10

V

CE

= –5 V

–0.6

–0.5

–0.4

–0.3

–0.2

–0.1

0

–1.2

–1.0

I

C

= 10 I

B

脉冲

–0.8 V

BE （ SAT ）

TA = -25

°

C

25

75

–0.6

–0.4

–0.2

0

–1

TA = 75℃

25

–25

V

CE （ SAT ）

–3

–10

–30

–100 –300 –1,000

–30

–100

–300

–1,000

集电极电流I

C

（MA ）

集电极电流I

C

（MA ）

Rev.2.00 2005年8月10日第3页5

2SB647 ， 2SB647A

集电极输出电容与

集电极 - 基极电压

集电极输出电容C

ob

（PF ）

200

100

50

F = 1 MHz的

I

E

= 0

20

10

5

2

–1

–2

–5

–10

–20

–50 –100

集电极基极电压V

CB

(V)

Rev.2.00 2005年8月10日第4

2SB647 ， 2SB647A

包装尺寸

JEITA封装代码

SC-51

瑞萨代码

PRSS0003DC-A

包名称

的TO- 92国防部/ TO-92 ModV

质量[典型值]

0.35g

单位：mm

4.8 ± 0.4

3.8 ± 0.4

0.65 ± 0.1

0.75最大

0.55最大

0.60 MAX

2.3最大

0.7

10.1敏

8.0 ± 0.5

0.5最大

1.27

2.54

订购信息

部件名称

2SB647CTZ-E

2SB647DTZ-E

2SB647ABTZ-E

2SB647ACTZ-E

2500

QUANTITY

中海集装箱

按住盒子，径向编带

注：对于某些牌号，产量可能被终止。请联系瑞萨销售办事处，检查状态

订购产品之前生产。

Rev.2.00 2005年8月10日第5

查看更多2SB647ACTZ-EPDF信息

供货商

型号

厂家

批号

数量

封装

单价/备注

操作

深圳市壹芯创科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2880707522 复制

点击这里给我发消息

QQ：2369405325 复制

电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

2SB647ACTZ-E

-

-

-

-

终端采购配单精选

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881677436 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881620402 复制

电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

2SB647ACTZ-E

-

-

-

-

终端采购配单精选

更多配单专家

德国显周集团有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：5645336 复制

电话：13910052844（微信同步）

联系人：刘先生

地址：北京市海淀区增光路27号2-1-1102

2SB647ACTZ-E

√ 欧美㊣品

▲10/11+

9242

贴◆插

【dz37.com】实时报价有图&PDF

查询更多2SB647ACTZ-E供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司

我要啦免费统计

复制成功！