2SB624
公司Bauelemente
-0.7A ， -30V
PNP硅塑封晶体管
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
特点
SOT-23
A
L
3
3
高直流电流增益。
FE
：200
（典型值）（V
CE
= -1V ，我
C
= -100mA ）
免费为2SD596
记号
1
顶视图
C B
1
2
2
产品等级
范围
产品等级
范围
2SB624-BV1
110~180
2SB624-BV4
200~320
2SB624-BV2
135~220
2SB624-BV5
250~400
2SB624-BV3
170~270
K
E
D
F
REF 。
A
B
C
D
E
F
G
毫米
分钟。
马克斯。
2.80
3.00
2.25
2.55
1.20
1.40
0.90
1.15
1.80
2.00
0.30
0.50
H
REF 。
G
H
J
K
L
J
毫米
分钟。
马克斯。
0.10 REF 。
0.55 REF 。
0.08
0.15
0.5 REF 。
0.95典型。
包装信息
包
SOT-23
MPQ
3K
LeaderSize
7'寸
集热器
BASE
辐射源
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
连续集电极电流 -
集电极耗散功率
结温和存储温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
, T
英镑
评级
-30
-25
-5
-700
200
150, -55~150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极到发射极
饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
http://www.SeCoSGmbH.com/
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE（ 1）*
h
FE （2） *
V
CE （SAT） *
V
BE *
f
T
C
ob
分钟。
-30
-25
-5
-
-
110
50
-
-0.6
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
160
17
马克斯。
-
-
-
-0.1
-0.1
400
-
-0.6
-0.7
-
-
单位
V
V
V
A
A
测试条件
I
C
= -100ìA ，我
E
=0
I
C
= -1mA ，我
B
=0
I
E
= -100ìA ，我
C
=0
V
CB
= -30V ，我
E
=0
V
EB
= -5V ，我
C
=0
V
CE
= -1V ，我
C
= -100mA
V
CE
= -1V ，我
C
= -700mA
V
V
兆赫
pF
I
C
= -700mA ，我
B
= -70mA
V
CE
= -6V ，我
C
= -10mA
V
CE
= -6V ，我
C
= -10mA
V
CB
= -6V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
*脉冲测试：脉冲宽度
≦
350
S，占空比
≦
2%.
规范的任何更改将不个别通知。
15 -FEB- 2011版本A
第1页2
2SB624
公司Bauelemente
-0.7A ， -30V
PNP硅塑封晶体管
特性曲线
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
15 -FEB- 2011版本A
第2页2
2SB624
PNP外延平面晶体管
P B
铅（Pb ） - 免费
3
2
1
SC-59
绝对最大额定值（T
A
=25C)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
T
j
T
英镑
范围
-30
-25
-5
-700
200
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
mW
C
C
电气特性（T
A
= 25° Cunless另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= -100μA ，我
E
=0
符号
民
典型值
最大
单位
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
-30
-25
-5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-0.1
-0.1
V
V
V
A
A
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -1mA ，我
B
=0
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= -100μA ，我
C
=0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= -30V ，我
E
=0
发射Cuto FF电流
V
EB
= -5V ，我
E
=0
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
2SB624
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
(1)
直流电流增益
V
CE
= -1V ，我
C
=-100mA
V
CE
= -1V ，我
C
=-700mA
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -700mA ，我
B
=-70mA
基射极电压
V
CE
= -6V ，我
C
=-10mA
1.脉冲测试：脉冲宽度≤ 350μS ，占空比≤ 2 ％
h
FE1
h
FE2
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
110
50
-
-0.6
-
-
-
-
400
-
-0.6
-0.7
-
-
V
V
动态特性
跃迁频率
V
CE
= -6V ，我
C
=-10mA
输出电容
V
CB
= -6V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
f
T
C
ob
-
-
160
17
-
-
兆赫
pF
分类h及
FE1
记号
秩
h
FE1
BV1
1
110-180
BV2
2
135-220
BV3
3
170-270
BV4
4
200-320
BV5
5
250-400
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
2/4
16-Aug-05
2SB624
电气特性曲线
250
-100
-500
-400
-350
-300
-250
-200
-150
-100
I
B
= -50A
PT
=2
00
P
T
- 总功率耗散（ mW）的
I
C
-collector电流（mA）
自由的空气
-450
200
150
100
50
0
-80
-60
-40
-20
0
m
W
0
25
50
75
100
125
150
T
A
- 环境温度（ ° C）
0
-2
-4
-6
-8
-10
V
CE
-collector到发射极电压（ V）
图1总功耗对比
环境温度
-1000
V
CE
= -6.0V
脉冲
图2集电极电流 -
集电极到发射极电压
1000
I
C
- 集电极电流（毫安）
h
FE
- 直流电流增益
-100
V
CE
= -1.0V
脉冲
100
-10
10
1
-0.1
-0.4 -0.5
-0.1
-0.1
-0.6 -0.7
-0.8
-0.9 -1.0
-1.1
-1
-10
-100
-1000
V
BE
- 基地发射极电压（ V）
I
C
- 集电极电流（毫安）
图3集电极电流 -
基地发射极电压
10
I
C
= 10·I
B
脉冲
图4直流电流增益与
集电极电流
V
CE （ SAT ）
- 集电极饱和电压（ V）
V
CE
- 集电极到发射极电压（ V）
-1.0
I
C
= -100mA
I
C
= -200mA
I
C
= -250mA
I
C
= -500mA
V
BE （ SAT ）
- 基本饱和电压（ V）
脉冲
-1
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
-0.1
-0.01
-0.001
-0.1
-1
-10
-100
-1000
0.1
-1
-10
-100
I
C
- 集电极电流（毫安）
I
B
- 基本电流（mA ）
图5基极和集电极饱和
电压与集电极电流
图6集电极到发射极电压
与基极电流
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
3/4
16-Aug-05
2SB624
SC- 59外形尺寸
A
L
S
3
顶视图
暗淡
单位：mm
SC-59
民
2.70
1.30
1.00
0.35
1.70
0.00
0.10
0.20
1.25
2.25
最大
3.10
1.70
1.30
0.50
2.30
0.10
0.26
0.60
1.65
3.00
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
2
1
B
D
G
C
H
K
J
单位：mm外形尺寸
WEITRON
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4/4
16-Aug-05
SMD型
PNP硅外延晶体管
2SB624
晶体管
IC
SOT-23
单位：mm
特点
微型封装。
+0.1
2.4
-0.1
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
高直流电流增益。 hFE参数： 200TYP 。 （V
CE
= -1V ，我
C
=-100mA)
+0.1
1.3
-0.1
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流（ DC ）
总功耗
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
-30
-25
-5
-700
200
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益*
基极 - 射极电压*
集电极饱和电压*
输出电容
增益带宽积
*脉冲： PW
350 ，占空比
2%
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
BE
Testconditons
V
CB
= -30 V，I
E
= 0
V
EB
= -5.0 V，I
C
= 0
V
CE
= -1.0 V，I
C
= -100毫安
V
CE
= -6.0 V，I
C
= -10毫安
110
-600
200
-640
-0.25
17
160
民
典型值
最大
-100
-100
400
-700
-0.6
mV
V
pF
兆赫
单位
nA
nA
V
CE （ SAT ）
I
C
= -700毫安，我
B
= -70毫安
C
ob
f
T
V
CB
= -6.0 V，I
E
= 0中，f = 1.0兆赫
V
CE
= -6.0 V，I
E
= 10毫安
h
FE
分类
记号
秩
h
FE
1
110 180
2
135 220
BV
3
170 270
4
200 320
5
250 400
0-0.1
www.kexin.com.cn
1
产品speci fi cation
2SB624
SOT-23
单位：mm
特点
微型封装。
+0.1
2.4
-0.1
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
高直流电流增益。 hFE参数： 200TYP 。 （V
CE
= -1V ，我
C
=-100mA)
+0.1
1.3
-0.1
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流（ DC ）
总功耗
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
-30
-25
-5
-700
200
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益*
基极 - 射极电压*
集电极饱和电压*
输出电容
增益带宽积
*脉冲： PW
350 ，占空比
2%
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
BE
Testconditons
V
CB
= -30 V，I
E
= 0
V
EB
= -5.0 V，I
C
= 0
V
CE
= -1.0 V，I
C
= -100毫安
V
CE
= -6.0 V，I
C
= -10毫安
110
-600
200
-640
-0.25
17
160
民
典型值
最大
-100
-100
400
-700
-0.6
mV
V
pF
兆赫
单位
nA
nA
V
CE （ SAT ）
I
C
= -700毫安，我
B
= -70毫安
C
ob
f
T
V
CB
= -6.0 V，I
E
= 0中，f = 1.0兆赫
V
CE
= -6.0 V，I
E
= 10毫安
h
FE
分类
记号
秩
h
FE
1
110 180
2
135 220
BV
3
170 270
4
200 320
5
250 400
0-0.1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1
QQ：2881677436 复制
