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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第299页 > 2SB562
2SB562
公司Bauelemente
0.9 W， -1 ， -25 V
PNP塑料封装晶体管
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
特点
低频功率放大器
互补配对2SD468
绝对最大额定值在Ta = 25°C
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
连续集电极电流 -
总功耗
交界处，贮存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
Pc
T
J
, T
英镑
评级
-25
-20
-5
-1
0.9
+150, -55 ~ +150
单位
V
V
V
A
W
℃
绝对最大额定值和电气特性在TA = 25℃
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE
h
FE(1)
f
T
COB
分钟。
-25
-20
-5
-
-
-
-
85
-
-
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
-1
-1
单位
V
V
V
μA
μA
V
V
I
C
=-10
μA,
I
E
= 0
I
C
= -1毫安，我
B
= 0
I
E
=-10
μA,
I
C
= 0
V
CB
= -20 V，I
E
= 0
V
EB
= -4 V，I
C
= 0
测试条件
-
-
-
350
38
-0.5
-1
240
-
-
I
C
= -0.8A ，我
B
=-0.08A
V
CE
= -2V ，我
C
=-0.5A
V
CE
= -2V ，我
C
=-0.5A
兆赫
pF
V
CE
= -2V ，我
C
= -0.5 A
V
CB
=-10V,I
E
=0,f=1MHz
分类h及
FE(1)
秩
范围
B
85 -170
C
120 - 240
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
01月， 2002年修订版A
第1页3
2SB562
公司Bauelemente
0.9 W， -1 ， -25 V
PNP塑料封装晶体管
特性曲线
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
01月， 2002年修订版A
分页： 1 2 3
2SB562
公司Bauelemente
0.9 W， -1 ， -25 V
PNP塑料封装晶体管
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
01月， 2002年修订版A
第3页3
2SB562
PNP硅外延
应用
低频功率放大器
互补配对2SD468
概要
TO-92MOD
1.发射器
2.收集
3. BASE
3
2
1
2SB562
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
i
C（峰值）
P
C
Tj
TSTG
评级
–25
–20
–5
–1.0
–1.5
0.9
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
集电极基极击穿
电压
集电极到发射极击穿
电压
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极电压
增益带宽积
集电极输出电容
注意：
B
85至170
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
h
FE
*
1
V
CE （ SAT ）
V
BE
f
T
COB
民
–25
–20
–5
—
85
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
–0.2
–0.8
350
38
最大
—
—
—
–1.0
240
–0.5
–1.0
—
—
V
V
兆赫
pF
单位
V
V
V
A
测试条件
I
C
= –10
A,
I
E
= 0
I
C
= -1毫安，R
BE
=
∞
I
E
= –10
A,
I
C
= 0
V
CB
= -20 V，I
E
= 0
V
CE
= –2 V,
I
C
= -0.5 A（脉冲测试）
I
C
= –0.8 A,
I
B
= -0.08 A（脉冲测试）
V
CE
= –2 V,
I
C
= -0.5 A（脉冲测试）
V
CE
= –2 V,
I
C
= -0.5 A（脉冲测试）
V
CB
= -10 V，I
E
= 0
F = 1 MHz的
1. 2SB562用h分组
FE
如下。
C
120至240
2
2SB562
最大集电极耗散曲线
1.2
集电极耗散功率P
C
(W)
典型的输出特性
–1,000
集电极电流I
C
（MA ）
–8
–7
–6
–5
–4
–400
–3
–2
–200
= 1毫安
I
B
= 0
0
100
150
50
环境温度Ta （C ）
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6 –2.0
集电极发射极电压V
CE
(V)
–800
P
C
=
9
0.
0.8
–600
W
0.4
典型的传输特性
–1,000
集电极电流I
C
（MA ）
–300
–100
–30
–10
–3
–1
V
CE
= –2 V
直流电流传输比H
FE
3,000
1,000
直流电流传输比vs.Collector电流
V
CE
= –2 V
脉冲
300
100
TA = 75℃
25°C
TA = 75℃
25°C
30
10
–1
0
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8 –1.0
基极至发射极电压V
BE
(V)
–3
–10
–30
–100 –300
集电极电流I
C
（MA ）
–1,000
3
2SB562
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
集电极到发射极饱和
电压与集电极电流
–0.25
集电极到发射极饱和电压
与基极电流
–1.0
I
C
= -500毫安
–0.20
I
C
= 10 I
B
脉冲测试
–0.8
–0.15
–0.6
–0.10
TA = 75℃
25°C
–0.4
–0.05
–0.2
0
–1
–3
–10 –30 –100 –300 –1,000
集电极电流I
C
（MA ）
0
–1
–3
–10
–30
基极电流I
B
（MA ）
= 800毫安
脉冲测试
–100
集电极输出电容与
集电极 - 基极电压
集电极输出电容C
ob
（PF ）
300
F = 1 MHz的
I
E
= 0
100
50
30
10
–1
–3
–10
–30
集电极基极电压V
CB
(V)
4
单位：mm
4.8
±
0.3
3.8
±
0.3
0.65
±
0.1
0.75最大
0.5
±
0.1
0.7
0.60 MAX
2.3最大
10.1敏
8.0
±
0.5
0.5
1.27
2.54
日立代码
JEDEC
EIAJ
重量（参考值）
TO-92国防部
—
符合
0.35 g
TRANSYS
电子
L I M I T E
TO- 92L塑料封装晶体管
2SB562
TO-92L
晶体管（ PNP ）
1.
辐射源
特点
功耗
P
CM
:
900
毫瓦（环境温度Tamb = 25℃）
2.
集热器
3.
BASE
集电极电流
-1
A
I
CM
:
集电极 - 基极电压
-25
V
V
（ BR ） CBO
:
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
： -55 ℃+ 150 ℃
123
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
V
CE （ SAT ）
V
BE
除非另有规定编）
TEST
条件
民
典型值
最大
单位
V
V
V
IC 。
-10
A,
I
E
=0
IC 。
-1
妈，我
B
=0
I
E
=
-10
A,
I
C
=0
V
CB
=
-20
V，I
E
=0
V
EB
=
-4
V，I
C
=0
V
CE
=
-2
V，I
C
=
-0.5
A
I
C
=
-0.8
A，I
B
=
-0.08
A
V
CE
=
-2
V，I
C
=
-0.5
A
V
CE
=
-2
V，I
C
=
-0.5
A
V
CB
=
-10
V，I
E
=0, f=
1
兆赫
-25
-20
-5
-1
-1
85
240
-0.5
-1
350
38
A
A
V
V
兆赫
pF
f
T
C
ob
分类h及
FE(1)
秩
范围
B
85-170
C
120-240
TRANSYS
电子
L I M I T E
TO- 92L塑料封装晶体管
2SB562
TO-92L
晶体管（ PNP ）
1.
辐射源
特点
功耗
P
CM
:
900
毫瓦（环境温度Tamb = 25℃）
2.
集热器
3.
BASE
集电极电流
-1
A
I
CM
:
集电极 - 基极电压
-25
V
V
（ BR ） CBO
:
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
： -55 ℃+ 150 ℃
123
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
V
CE （ SAT ）
V
BE
除非另有规定编）
TEST
条件
民
典型值
最大
单位
V
V
V
IC 。
-10
A,
I
E
=0
IC 。
-1
妈，我
B
=0
I
E
=
-10
A,
I
C
=0
V
CB
=
-20
V，I
E
=0
V
EB
=
-4
V，I
C
=0
V
CE
=
-2
V，I
C
=
-0.5
A
I
C
=
-0.8
A，I
B
=
-0.08
A
V
CE
=
-2
V，I
C
=
-0.5
A
V
CE
=
-2
V，I
C
=
-0.5
A
V
CB
=
-10
V，I
E
=0, f=
1
兆赫
-25
-20
-5
-1
-1
85
240
-0.5
-1
350
38
A
A
V
V
兆赫
pF
f
T
C
ob
分类h及
FE(1)
秩
范围
B
85-170
C
120-240
2SB562
PNP硅外延
REJ03G0646-0200
（上ADE- 208-1024 ）
Rev.2.00
Aug.10.2005
应用
低频功率放大器
互补配对2SD468
概要
瑞萨封装代码： PRSS0003DC -A
（包名称： TO- 92 MOD）
1.发射器
2.收集
3. BASE
3
2
1
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
i
C（峰值）
P
C
Tj
TSTG
评级
–25
–20
–5
–1.0
–1.5
0.9
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
Rev.2.00 2005年8月10日第1页5
2SB562
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极电压
增益带宽积
集电极输出电容
注意：
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
h
FE
*
1
V
CE （ SAT ）
V
BE
f
T
COB
民
–25
–20
–5
—
85
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
–0.2
–0.8
350
38
最大
—
—
—
–1.0
240
–0.5
–1.0
—
—
单位
V
V
V
A
测试条件
I
C
= –10
A,
I
E
= 0
I
C
= -1毫安，R
BE
=
∞
I
E
= –10
A,
I
C
= 0
V
CB
= -20 V，I
E
= 0
V
CE
= –2 V,
I
C
= -0.5 A（脉冲测试）
V
V
兆赫
pF
I
C
= –0.8 A,
I
B
= -0.08 A（脉冲测试）
V
CE
= –2 V,
I
C
= -0.5 A（脉冲测试）
V
CE
= –2 V,
I
C
= -0.5 A（脉冲测试）
V
CB
= -10 V，I
E
= 0
F = 1 MHz的
1. 2SB562用h分组
FE
如下。
B
C
85至170
120至240
Rev.2.00 2005年8月10日第2页5
2SB562
主要特点
最大集电极耗散曲线
典型的输出特性
–1,000
集电极耗散功率P
C
(W)
1.2
集电极电流I
C
（MA ）
–800
–8
–7
–6
–5
–4
–3
–2
P
C
=
9
0.
0.8
–600
W
–400
0.4
–200
= 1毫安
I
B
= 0
0
50
100
150
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
环境温度Ta （C ）
集电极发射极电压V
CE
(V)
典型的传输特性
–1,000
直流电流传输比vs.Collector电流
3,000
直流电流传输比H
FE
集电极电流I
C
（MA ）
–300
–100
–30
–10
–3
–1
V
CE
= –2 V
1,000
V
CE
= –2 V
脉冲
300
100
TA = 75℃
25°C
TA = 75℃
25°C
30
10
–1
0
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
–3
–10
–30
–100
–300
–1,000
基极至发射极电压V
BE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极到发射极饱和电压
与基极电流
–1.0
脉冲测试
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
–0.25
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
集电极到发射极饱和
电压与集电极电流
I
C
= -500毫安
–3
–0.20
I
C
= 10 I
B
脉冲测试
–0.8
–0.15
–0.6
–0.10
TA = 75℃
25°C
–0.4
–0.05
–0.2
0
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1,000
0
–1
= 800毫安
–10
–30
–100
集电极电流I
C
（MA ）
基极电流I
B
（MA ）
Rev.2.00 2005年8月10日第3页5
2SB562
集电极输出电容与
集电极 - 基极电压
集电极输出电容C
ob
（PF ）
300
F = 1 MHz的
I
E
= 0
100
50
30
10
–1
–3
–10
–30
集电极基极电压V
CB
(V)
Rev.2.00 2005年8月10日第4
2SB562
包装尺寸
JEITA封装代码
SC-51
瑞萨代码
PRSS0003DC-A
包名称
的TO- 92国防部/ TO-92 ModV
质量[典型值]
0.35g
单位：mm
4.8 ± 0.4
3.8 ± 0.4
0.65 ± 0.1
0.75最大
0.55最大
0.60 MAX
2.3最大
0.7
10.1敏
8.0 ± 0.5
0.5最大
1.27
2.54
订购信息
部件名称
2SB562BTZ-E
2SB562CTZ-E
2500
QUANTITY
中海集装箱
按住盒子，径向编带
注：对于某些牌号，产量可能被终止。请联系瑞萨销售办事处，检查状态
订购产品之前生产。
Rev.2.00 2005年8月10日第5
RoHS指令
2SB562
2SB562
晶体管（ PNP ）
TO-92L
特点
功耗
P
CM
:
900
毫瓦（环境温度Tamb = 25℃）
1.
辐射源
2.
集热器
3.
BASE
集电极电流
I
CM
:
-1
A
集电极 - 基极电压
V
（ BR ） CBO
:
-25
V
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
： -55 ℃+ 150 ℃
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
除非另有规定编）
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
W
分类h及
FE(1)
秩
B
85-170
C
120-240
范围
J
E
E
C
E
L
R
T
O
TEST
条件
IC 。
-10
A,
I
E
=0
IC 。
-1
妈，我
B
=0
N
C
I
C
民
O
典型值
L
,
.
最大
D
T
123
单位
V
V
V
-25
-20
-5
-1
-1
85
240
-0.5
-1
350
38
I
E
=
-10
A,
I
C
=0
V
CB
=
-20
V，I
E
=0
V
EB
=
-4
V，I
C
=0
V
CE
=
-2
V，I
C
=
-0.5
A
A
A
I
EBO
h
FE(1)
V
CE （ SAT ）
V
BE
I
C
=
-0.8
A，I
B
=
-0.08
A
V
CE
=
-2
V，I
C
=
-0.5
A
V
CE
=
-2
V，I
C
=
-0.5
A
V
CB
=
-10
V，I
E
=0, f=
1
兆赫
V
V
兆赫
pF
f
T
C
ob
永而佳电子有限公司。
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电子信箱： wej@yongerjia.com
MCC
TM
微型商业组件
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯

???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
2SB562
特点
x
x
低频功率放大器。
无铅涂层/符合RoHS （ "P"后缀候
符合RoHS 。参见订购信息）
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
和MSL等级1
互补配对2SD468
PNP外延
硅晶体管
TO-92L
最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
符号
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
参数
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= -10 ADC ，我
E
=0)
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= -1mAdc ，我
B
=0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= -0.01mAdc ，我
C
=0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
=-20Vdc,I
E
=0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= -4.0Vdc ，我
C
=0)
等级
-20
-25
-5.0
-1.0
0.9
-55到+150
-55到+150
民
-20
-25
-5.0
---
---
典型值
---
---
---
---
---
最大
---
---
---
-1000
-1000
单位
V
V
V
A
W
O
C
O
C
单位
电气特性@ 25
O
C除非另有说明
开关特性
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
B
C
E
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 500mAdc ，V
CE
=2.0Vdc)
V
BE（上）
基射极电压上
(V
CE
= -2.0Vdc ，我
C
=-500mAdc)
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= -0.8Adc ，我
B
=-80mAdc)
f
T
电流增益带宽积
(V
CE
= -2.0Vdc ，我
C
=-500mAdc)
C
ob
输出电容
(V
CB
= -10VDC ，我
E
= 0 ， F = 1.0MHz的）
(1) h
FE
分类B： 85 170 ，C ： 120 240
h
FE
85
---
---
---
---
---
---
---
350
38
240
-1.0
-0.5
---
---
---
VDC
VDC
兆赫
pF
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
尺寸
英寸
MM
民
最大
民
最大
3.700
4.10
.146
.161
4.000
---
.157
---
---
0.063
---
1.600
0.350
0.450
.014
.018
.050
.062
1.280
1.580
4.700
5.100
.185
.201
.307
.323
7.800
8.200
13.80
14.20
.543
.559
.600
.800
.024
.031
.014
.050
.096
.104
2.440
.022
0.350
1.270
2.640
.550
记
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2
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3
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此产品进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
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并同意举行
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和所有的公司
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应用*** ***免责声明
产品提供了
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不打算用于医学，
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封装
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