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2SB507
PNP
外延硅晶体管
低频功率放大器
TO-220
!
补充2SD313
绝对最大额定值(T
a
=25°C)
C
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极耗散(TC = 25 ° C)
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
TSTG
等级
-60
-60
-7
-3
30
150
-50~150
单位
V
V
V
A
W
25°c
25°c
电气特性(Ta = 25℃)
C
Characterristic
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
电流增益带宽积
符号
ICBO
IEBO
hFE1
VCE ( SAT )
fT
测试条件
VCB = -60V , IE = 0
VEB = -7V , IC = 0
VCE = -2V , IC = -1A
IC = -2A ,
IB=-0.2A
VCE = - 5V , IC = -0.5A
典型值
最大
-100
-100
320
-1.0
单位
A
A
V
兆赫
40
8
永诚电脑配件有限公司, (香港)有限公司。
主页:
http://www.wingshing.com
联系电话: ( 852 ) 2341 9276传真: ( 852 ) 2797 8153
电子信箱: wsccltd@hkstar.com
A
A
A
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB507
描述
·带
TO- 220封装
.Complement
键入2SD313
ULOW
集电极饱和电压
应用
·设计
对于15W的输出级
以25W AF功率放大器
钉扎
1
2
3
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
Fig.1简化外形( TO- 220 )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散
结温
储存温度
T
C
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
-60
-60
-5
-3
-6
-1
30
150
-50~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
热特性
符号
RθJC
特征
热阻结到外壳
最大
4.16
单位
℃/W
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
首席执行官
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= -10mA ;我
B
=0
I
C
= -2A ;我
B
=-0.2A
I
C
= -1A ; V
CE
=-2V
V
CB
= -60V ;我
E
=0
V
CE
= -60V ;我
B
=0
V
EB
= -4V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-2V
I
C
= -0.1A ; V
CE
=-2V
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-5V
40
40
5
-60
典型值。
2SB507
最大
单位
V
-1.0
-1.5
-0.1
-5.0
-1.0
320
V
V
mA
mA
mA
兆赫
h
FE-1
分类
C
40-80
D
60-120
E
100-200
F
160-320
2
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB507
图2外形尺寸( unindicated公差: ± 0.10mm)的
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB507
描述
·带
TO- 220封装
.Complement
键入2SD313
ULOW
集电极饱和电压
应用
·设计
对于15W的输出级
以25W AF功率放大器
钉扎
1
2
3
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
Fig.1简化外形( TO- 220 )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散
结温
储存温度
T
C
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
-60
-60
-5
-3
-6
-1
30
150
-50~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
热特性
符号
RθJC
特征
热阻结到外壳
最大
4.16
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
首席执行官
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= -10mA ;我
B
=0
I
C
= -2A ;我
B
=-0.2A
I
C
= -1A ; V
CE
=-2V
V
CB
= -60V ;我
E
=0
V
CE
= -60V ;我
B
=0
V
EB
= -4V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-2V
I
C
= -0.1A ; V
CE
=-2V
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-5V
40
40
5
-60
典型值。
2SB507
最大
单位
V
-1.0
-1.5
-0.1
-5.0
-1.0
320
V
V
mA
mA
mA
兆赫
h
FE-1
分类
C
40-80
D
60-120
E
100-200
F
160-320
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB507
图2外形尺寸( unindicated公差: ± 0.10mm)的
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB507
描述
·带
TO- 220封装
.Complement
键入2SD313
ULOW
集电极饱和电压
应用
·设计
对于15W的输出级
以25W AF功率放大器
钉扎
1
2
3
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
Fig.1简化外形( TO- 220 )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
固电
IN
导½
参数
条件
发射极开路
开基
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流峰值
ES
CH
集电极开路
MIC
E
ND
O
OR
UCT
价值
-60
-60
-5
-3
-6
-1
单位
V
V
V
A
A
A
W
基极电流
集电极耗散
结温
储存温度
T
C
=25℃
30
150
-50~150
热特性
符号
RθJC
特征
热阻结到外壳
最大
4.16
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
首席执行官
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= -10mA ;我
B
=0
I
C
= -2A ;我
B
=-0.2A
I
C
= -1A ; V
CE
=-2V
V
CB
= -60V ;我
E
=0
V
CE
= -60V ;我
B
=0
V
EB
= -4V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-2V
I
C
= -0.1A ; V
CE
=-2V
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-5V
40
40
-60
典型值。
2SB507
最大
单位
V
-1.0
-1.5
-0.1
-5.0
-1.0
320
V
V
mA
mA
mA
h
FE-1
分类
C
40-80
D
固电
IN
跃迁频率
导½
E
F
100-200
160-320
60-120
ES
CH
ICO
EM
OR
UCT
ND
5
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB507
固电
IN
导½
ES
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸( unindicated公差: ± 0.10mm)的
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB507
描述
·采用TO- 220封装
·补键入2SD313
·低集电极饱和电压
应用
·专为15W的输出级
以25W AF功率放大器
钉扎
1
2
3
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
Fig.1简化外形( TO- 220 )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散
结温
储存温度
T
C
=25
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
-60
-60
-5
-3
-6
-1
30
150
-50~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
热特性
符号
R8jc
特征
热阻结到外壳
最大
4.16
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= -10mA ;我
B
=0
I
C
= -2A ;我
B
=-0.2A
I
C
= -1A ; V
CE
=-2V
V
CB
= -60V ;我
E
=0
V
CE
= -60V ;我
B
=0
V
EB
= -4V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-2V
I
C
= -0.1A ; V
CE
=-2V
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-5V
40
40
5
-60
2SB507
符号
V
首席执行官
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
典型值。
最大
单位
V
-1.0
-1.5
-0.1
-5.0
-1.0
320
V
V
mA
mA
mA
兆赫
h
FE-1
分类
C
40-80
D
60-120
E
100-200
F
160-320
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB507
图2外形尺寸( unindicated公差: ± 0.10mm)的
3
直流分量CO 。 , LTD 。
R
2SB507
分立半导体
作者PNP外延平面型晶体管技术规格
描述
设计用于功率放大器和开关的使用
电路。
TO-220AB
.405(10.28)
.380(9.66)
.185(4.70)
.173(4.40)
Φ.151
典型值
.055(1.39)
Φ(3.83)
.045(1.15)
.295(7.49)
.220(5.58)
钉扎
1 - 基地
2 =收藏家
3 =发射器
绝对最大额定值
(T
A
=25
o
C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
总功率耗散(T
C
=25 C)
结温
储存温度
o
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
P
D
T
J
T
英镑
等级
-60
-60
-5
-3
2
30
+150
-55到+150
单位
V
V
V
A
W
W
o
o
.625(15.87)
.570(14.48)
1 2 3
.350(8.90)
.330(8.38)
.640
典型值
(16.25)
.055(1.40)
.045(1.14)
.037(0.95)
.030(0.75)
.562(14.27)
.500(12.70)
.100
典型值
(2.54)
.024(0.60)
.014(0.35)
C
尺寸以英寸(毫米)
C
电气特性
o
特征
(在25℃环境温度额定值除非另有说明)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
(1)
-60
-60
-5
-
-
-
-
-
40
40
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8
最大
-
-
-
-0.1
-5
-1
-1
-1.5
-
320
-
单位
V
V
V
mA
mA
mA
V
V
-
-
兆赫
测试条件
I
C
= -1mA ,我
E
=0
I
C
= -10mA ,我
B
=0
I
E
= -1mA ,我
C
=0
V
CB
= -20V ,我
E
=0
V
CE
= -60V ,我
B
=0
V
EB
= -4V ,我
C
=0
I
C
= -2A ,我
B
=-0.2A
I
C
= -1A ,V
CE
=-2V
I
C
= -0.1A ,V
CE
=-2V
I
C
= -1A ,V
CE
=-2V
I
C
= -500mA ,V
CE
= -5V , F = 100MHz的
集电极 - 基极击穿Volatge
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
直流电流增益
(1)
跃迁频率
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度
(1)
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
h
FE1
h
FE2
f
T
380μs ,占空比
2%
分类h及
FE2
范围
C
40~80
D
60~120
E
100~200
F
160~320
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型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SB507
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1184826453 复制

电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
2SB507
SANYO
15+
8803
TO220
原装现货热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:960030175 复制

电话:13480301972
联系人:陈先生
地址:福田区中航路华强北街道国利大厦2030
2SB507
CJ/长电
24+
898000
TO-220-3L
圣邦微代理/捷捷微代理/晶导微代理
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
2SB507
SANYO/三洋
2443+
23000
TO-220
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ:414322027 复制
电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
2SB507
SANYO/三洋
2024
20918
TO-220
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
QQ: 点击这里给我发消息

电话:18926544209/18025435189
联系人:夏小姐/朱先生
地址:深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
2SB507
SANYO/三洋
24+
32000
TO-220
百分百原装现货,价格优势,欢迎查询!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ:2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ:2719079875 复制

电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
2SB507
FSC
2024
44729
TO-220
原装现货上海库存!专营进口元件
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
2SB507
FAIRCHILD/仙童
21+
15360
TO-220
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3003494137 复制 点击这里给我发消息 QQ:3003494136 复制

电话:0755-15913992480
联系人:林
地址:深圳市福田区东方时代A2705
2SB507
三洋
23+
65
TO-220
火爆销售.全新原装.深圳市场最低价!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
2SB507
SAY
14+
56000
DIP
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
2SB507
√ 欧美㊣品
▲10/11+
10099
贴◆插
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