2SB507
PNP
外延硅晶体管
低频功率放大器
TO-220
!
补充2SD313
绝对最大额定值(T
a
=25°C)
C
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极耗散(TC = 25 ° C)
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
TSTG
等级
-60
-60
-7
-3
30
150
-50~150
单位
V
V
V
A
W
25°c
25°c
电气特性(Ta = 25℃)
C
Characterristic
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
电流增益带宽积
符号
ICBO
IEBO
hFE1
VCE ( SAT )
fT
测试条件
VCB = -60V , IE = 0
VEB = -7V , IC = 0
VCE = -2V , IC = -1A
IC = -2A ,
IB=-0.2A
VCE = - 5V , IC = -0.5A
民
典型值
最大
-100
-100
320
-1.0
单位
A
A
V
兆赫
40
8
永诚电脑配件有限公司, (香港)有限公司。
主页:
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电子信箱: wsccltd@hkstar.com
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB507
图2外形尺寸( unindicated公差: ± 0.10mm)的
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB507
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3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB507
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸( unindicated公差: ± 0.10mm)的
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
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图2外形尺寸( unindicated公差: ± 0.10mm)的
3