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数据表
硅功率晶体管
2SB1669
PNP硅外延晶体管
对于高速切换
该2SB1669是可以从直接驱动的功率晶体管
一个集成电路的输出。该晶体管是理想的OA和FA设备
如电机和电磁阀的驱动程序。
订购信息
产品型号
2SB1669
2SB1669-S
2SB1669-Z
包
TO-220AB
TO-262
TO-220SMD
特点
高直流电流放大器率
h
FE
≥
100 (V
CE
=
5.0
V，I
C
=
0.5
A)
适用于表面Z型安装件支持产品展示
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
°
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流（DC）的
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C（ DC ）
I
C（脉冲）
I
B（ DC ）
P
T
T
j
T
英镑
(T
C
= 25°C)
(T
A
= 25°C)
PW
≤
10毫秒，
占空比
≤
50%
条件
评级
60
60
7.0
3.0
6.0
1.0
25
1.5
150
55
+150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件D15410EJ2V0DS00 （第2版）
发布日期2002年7月 CP （ K）
日本印刷
2002
1998
2SB1669
电气特性（T
A
= 25°C)
°
参数
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
集电极饱和电压
基本饱和电压
增益带宽积
集电极电容
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
I
CBO
h
FE1
h
FE2
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
t
on
t
英镑
t
f
条件
V
CB
=
60
V，I
E
= 0 A
V
CE
=
5.0
V，I
C
=
0.5
A
V
CE
=
5
V，I
C
=
3
A
记
记
记
记
分钟。
100
20
典型值。
马克斯。
10
400
1.0
2.0
单位
A
V
V
兆赫
pF
I
C
=
3.0
A，I
B
=
300
mA
I
C
=
3.0
A，I
B
=
300
mA
V
CE
=
5.0
V，I
C
=
0.5
A
5
80
0.4
1.7
0.5
V
CB
=
10
V，I
E
= 0 ， F = 10 MHz的
I
C
=
2.0
A，R
L
= 15
,
I
B1
=
I
B2
=
200
毫安，V
CC
30
V
参考测试电路。
s
s
s
记
脉冲测试PW
≤
350
S，占空比
≤
2%
切换时间（T
on
, t
英镑
, t
f
）测试电路
基极电流
波形
集电极电流
波形
2
数据表D15410EJ2V0DS
2SB1669
典型特征（T
A
= 25°C)
°
数据表D15410EJ2V0DS
3
2SB1669
4
数据表D15410EJ2V0DS
2SB1669
封装图（单位：mm ）
1.基地
2.收集
3.辐射源
4.散热片（集电极）
1.基地
2.收集
3.辐射源
4.散热片（集电极）
1.基地
2.收集
3.辐射源
4.散热片（集电极）
数据表D15410EJ2V0DS
5
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20T-2D
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24AV1000
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25CTQ040-1PBF
供货商
型号
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单价/备注
操作
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