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晶体管
2SB1651
PNP硅外延平面型
对于低频和低噪声放大
单位:mm
6.9±0.1
s
特点
q
q
q
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
评级
–55
–55
–5
–200
–50
400
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
C
C
1
2
3
0.45
–0.05
s
绝对最大额定值
(Ta=25C)
0.45
–0.05
2.5±0.5
2.5±0.5
+0.1
+0.1
1 :发射器
2 :收藏家
3 :基本
MT1类型封装
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极电压
噪声电压
跃迁频率
(Ta=25C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE*1
V
CE ( SAT )
V
BE
NV
f
T
条件
V
CB
= -10V ,我
E
= 0
V
CE
= -10V ,我
B
= 0
I
C
= -10μA ,我
E
= 0
I
C
= -2mA ,我
B
= 0
I
E
= -10μA ,我
C
= 0
V
CE
= -5V ,我
C
= -2mA
I
C
= -100mA ,我
B
= -10mA
V
CE
= -1V ,我
C
= -100mA
V
CE
= -10V ,我
C
= -1mA ,G
V
= 80分贝,
R
g
= 100kΩ的,功能= FLAT
V
CB
= -5V ,我
E
= 2毫安中,f = 200MHz的
110
150
–55
–55
–5
180
700
– 0.6
–1
V
V
mV
兆赫
典型值
最大
–100
–1
单位
nA
A
V
V
V
*1
h
FE
等级分类
R
180 ~ 360
S
260 ~ 520
T
360 ~ 700
h
FE
2.5±0.1
14.5±0.5
0.85
低噪声电压NV 。
高盼着电流传输比H
FE
.
M型封装可以方便的自动和手动插入的
以及独立固定到印刷电路板上。
0.15
0.7
4.0
1.05 2.5±0.1
(1.45)
±0.05
0.8
0.65最大。
1.0
3.5±0.1
0.8
1
晶体管
P
C
- TA
500
–1200
V
CE
=–1V
Ta=25C
–1000
–100
2SB1651
I
B
— V
BE
–120
V
CE
=–1V
25C
I
C
— V
BE
集电极耗散功率P
C
( mW)的
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
– 0.2
– 0.4
– 0.6
–800
集电极电流I
C
(MA )
基极电流I
B
(
A
)
–80
Ta=75C
–25C
–600
–60
–400
–40
–200
–20
0
– 0.8
–1.0
0
– 0.2 – 0.4 – 0.6 – 0.8 –1.0
–1.2
环境温度Ta (C )
基极至发射极电压V
BE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
V
CE ( SAT )
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
–10
–3
–1
I
C
/I
B
=10
720
h
FE
— I
C
集电极输出电容C
ob
(PF )
V
CE
=–5V
Ta=75C
25C
480
–25C
360
12
C
ob
— V
CB
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
正向电流传输比H
FE
600
10
8
– 0.3
25C
Ta=75C
– 0.1
–25C
– 0.03
– 0.01
6
240
4
120
2
– 0.003
– 0.001
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
0
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
0
–1
–3
–10
–30
–100
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
集电极基极电压V
CB
(V)
2
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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