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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1642
描述
·采用TO- 220F封装
·低集电极饱和电压：
V
CE （ SAT ）
= -1.5V （最大） ，在我
C
=-2.5A,I
B
=-0.25A
·集电极耗散功率：
P
C
=25W(T
C
=25 )
应用
·音频功放应用
钉扎
针
1
2
3
辐射源
集热器
BASE
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
T
a
=25
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
25
150
-55~150
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-60
-60
-7
-4
-1
2.0
W
单位
V
V
V
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
条件
I
C
= -10mA ;我
B
=0
I
C
= -2.5A ;我
B
=-0.25A
I
C
=-0.5A;V
CE
=-5V
V
CB
= -60V ;我
E
=0
V
EB
= -7V ;我
C
=0
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-5V
I
C
= -3A ; V
CE
=-5V
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-5V
I
E
= 0; F = 1MHz的; V
CB
=-10V
100
20
民
-60
2SB1642
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
典型值。
最大
单位
V
-0.7
-0.75
-1.5
-1.0
-10
-10
320
V
V
A
A
9.0
50
兆赫
pF
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB1642
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1642
4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1642
描述
·带
TO- 220F封装
ULOW
集电极饱和电压：
V
CE （ SAT ）
= -1.5V （最大） ，在我
C
=-2.5A,I
B
=-0.25A
-collector
功耗：
P
C
=25W(T
C
=25
℃
)
应用
·音频
高频功率放大器应用
钉扎
针
1
2
3
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
BASE
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
T
a
=25℃
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
25
150
-55~150
℃
℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-60
-60
-7
-4
-1
2.0
W
单位
V
V
V
A
A
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
2SB1642
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -10mA ;我
B
=0
-60
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -2.5A ;我
B
=-0.25A
-0.7
-1.5
V
V
BE
基射极电压
I
C
=-0.5A;V
CE
=-5V
-0.75
-1.0
V
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= -60V ;我
E
=0
-10
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= -7V ;我
C
=0
-10
μA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-5V
100
320
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= -3A ; V
CE
=-5V
20
f
T
跃迁频率
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-5V
9.0
兆赫
C
OB
集电极输出电容
I
E
= 0; F = 1MHz的; V
CB
=-10V
50
pF
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB1642
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1642
4
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1642
描述
·带
TO- 220F封装
ULOW
集电极饱和电压：
V
CE （ SAT ）
= -1.5V （最大） ，在我
C
=-2.5A,I
B
=-0.25A
-collector
功耗：
P
C
=25W(T
C
=25
℃
)
应用
·音频
高频功率放大器应用
钉扎
针
1
2
3
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
BASE
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
T
a
=25℃
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
25
150
-55~150
℃
℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-60
-60
-7
-4
-1
2.0
W
单位
V
V
V
A
A
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
2SB1642
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -10mA ;我
B
=0
-60
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -2.5A ;我
B
=-0.25A
-0.7
-1.5
V
V
BE
基射极电压
I
C
=-0.5A;V
CE
=-5V
-0.75
-1.0
V
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= -60V ;我
E
=0
-10
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= -7V ;我
C
=0
-10
μA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-5V
100
320
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= -3A ; V
CE
=-5V
20
f
T
跃迁频率
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-5V
9.0
兆赫
C
OB
集电极输出电容
I
E
= 0; F = 1MHz的; V
CB
=-10V
50
pF
2
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB1642
图2外形尺寸
3
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1642
4
CX
J. II英镑 ü ^ ZMI - L- onauctoi L / ^ ioauati ，行。
t/
电话： （ 973 ） 376-2922
20斯特恩AVE 。
SPRINGFIELD ，新泽西州07081
U.S.A.
(212)227*6005
传真： （ 973 ） 376-8960
硅PNP功率晶体管
2SB1642
描述
集电极 - 发射极击穿电压 -
: V
(
BR ） CEO = -60V （最小值）
收集电源Dissipation-
: P
c
= 25瓦@ T
c
= 25'C
低集电极饱和电压 -
: V
CE
（ satf -1.5V （最大值） @ （L
c
= -2.5A ，我
B
= -0.25A)
1
?W
1 2 3
B
-
2
＆ LT ;
3
P，N
1.BASE
2.收集
3.BWITTER
TO- 220F封装
应用
专为音频功率放大器应用。
- C-
i. —,—
U
绝对最大额定值（T
a
=25°C)
符号
参数
价值
-60
单位
V
R 2 'T
7;
i9 *
'
r
'(*:' ]
H
K
- . . '-
:
' j! '
I
A
i
|
VCBO
集电极 - 基极电压
^_^-.J .
-R-
VCEO
VEBO
集电极 - 发射极电压
-60
V
发射极 - 基极电压
-7
V
- -
D
- N -
J --
mm
Ic
集电极电流连续
基极电流连续
集电极耗散功率
@T
a
=25"C
-4
A
暗淡
WIN
最大
IB
-1
A
2
W
PC
集电极耗散功率
@Tc=25°C
Tj
25
A
B
C
D
F
H
J
K
L
N
结温
150
°C
q
R
TSTG
储存温度
-55-150
c
s
u
14.95
10.00
4.40
0.75
3.10
3.70
0.50
13.4
1.10
5.00
2.70
2.20
2.65
6.40
15.05
10.10
4.60
0.80
3.30
3.90
0.70
13.6
1.30
5.20
2.90
2.40
2.85
6.60
NJ半导体保留更改测试条件，参数限制和封装尺寸不正确
通知。提供的信息NJ半导体被认为是既准确又可靠的时候ofgoing
按。然而， NJ半导体承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
NJ半导体鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。
质量半导体
硅PNP功率晶体管
电气特性
环境温度为25'C ，除非另有说明
符号
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
条件
l
c
=-10mA;l
B
=0
LC = -2.5A ;我
B
= -0.25A
民
2SB1642
典型值。
最大
单位
V（ BR ） CEO
-60
V
VCE （ SAT ）
-1.5
V
VBE （ OH）
基射极电压上
LC = -0.5A ; V
CE
= -5V
-1.0
V
ICBO
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
VCS = -60V ;我
E
= 0
-10
nA
IEBO
V
EB
= -7V ; LC = 0
LC = -0.5A ; VCE = -5V
lc=-3A;V
CE
=-5V
100
-10
通过
hpE-1
320
hFE-2
直流电流增益
输出电容
20
COB
l
E
=0;VcB=-10V;f
TES
t=1MHz
LC = -0.5A ; V
CE
= -5V
50
PF
fr
目前， GAIN-带宽积
9
兆赫
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2SB616
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273.500
22-16-2170
2SA1272
2F8718P
2890R-42K
20KPA120A
22-28-6303
239003H
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SB1642
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
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电话：0755-83258002
联系人：林
地址：门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
2SB1642
2015+
1000
公司现货库存,绝对原装正品!
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
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电话：0755-23607529/23603360/83258002
联系人：江先生
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
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联系人：蔡小姐
地址：新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
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联系人：王云
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2SB1642
TOSHIBA/东芝
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9634
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全新原装现货，原厂代理。
深圳市科恒伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2236823936 复制

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联系人：吴
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电话：755-83616256 // 83210909
联系人：王小姐
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