数据表
硅晶体管
2SB1628
PNP硅外延晶体管
低频功率放大器和中速切换
该2SB1628特点小尺寸高电流能力
是理想的DC / DC转换器和mortor驱动程序。
封装图（单位：mm ）
特点
高电流容量
低集电极饱和电压
质量等级
标准
请参考“质量等级NEC半导体设备”
（文档编号C11531E ）， NEC公司发布到
知道的质量等级上的设备和说明书中其
推荐应用。
电极连接
1 ：发射器
2 ：收藏家（ FIN）
3 ：基本
绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）
°
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C（ DC ）
I
C（脉冲）
PW
≤
10毫秒
占空比
≤
50 %
条件
评级
20
16
6.0
3.0
5.0
0.2
PW
≤
10毫秒
占空比
≤
50 %
16厘米
2
×
0.7毫米陶瓷板使用
0.4
单位
V
V
V
A
A
基极电流（DC）的
基极电流（脉冲）
I
B（ DC ）
I
B（脉冲）
A
A
总功耗
结温
储存温度
P
T
T
j
T
英镑
2.0
150
55
+150
W
°C
°C
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供应及其他信息。
一号文件D16148EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2002年4月 CP （ K）
日本印刷
2002
1998
QQ：2881677436 复制
