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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP达林顿功率晶体管
2SB1551
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= -80V （最小值）
高
直流电流GAIN-
: h
FE
=
1000（最小值） @ （V
CE
= -3V ;我
C
= -5A)
应用
·设计
对于功率放大器的应用程序。
绝对最大额定值（T
a
=25℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
-80
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
-80
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
-7
V
I
C
集电极电流连续
-10
A
I
CM
集电极电流脉冲
集电极耗散功率
@T
a
=25℃
-20
A
2
W
P
C
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
T
J
结温
30
150
℃
T
英镑
储存温度
-55~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP达林顿功率晶体管
电气特性
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SB1551
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -5mA ;我
B
= 0
B
-80
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= -50μA ;我
E
= 0
-80
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -3A ;我
B
= -6mA
B
-1.5
V
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= -80V ;我
E
= 0
-100
μA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= -5V ;我
C
= 0
-3
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= -5A ; V
CE
= -3V
1000
20000
C
OB
输出电容
I
E
= 0; V
CB
= -10V ; F
TEST
= 1MHz的
90
pF
f
T
电流增益带宽积
I
E
= 0.5A ; V
CE
= -5V ; F
TEST
= 10MHz时
12
兆赫
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP达林顿功率晶体管
2SB1551
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= -80V （最小值）
高
直流电流GAIN-
: h
FE
=
1000（最小值） @ （V
CE
= -3V ;我
C
= -5A)
应用
·设计
对于功率放大器的应用程序。
绝对最大额定值（T
a
=25℃)
符号
参数
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
发射极 - 基极电压
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
单位
-80
V
-80
V
-7
V
-10
A
-20
A
2
W
30
I
C
集电极电流连续
I
CM
集电极电流脉冲
集电极耗散功率
@T
a
=25℃
P
C
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
T
J
结温
150
℃
T
英镑
储存温度
-55~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP达林顿功率晶体管
电气特性
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SB1551
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -5mA ;我
B
= 0
B
-80
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= -50μA ;我
E
= 0
-80
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -3A ;我
B
= -6mA
B
-1.5
V
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= -80V ;我
E
= 0
-100
μA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= -5V ;我
C
= 0
h
FE
直流电流增益
C
OB
输出电容
f
T
电流增益带宽积
w
em
cs
。是
w
w
I
C
= -5A ; V
CE
= -3V
I
E
= 0; V
CB
= -10V ; F
TEST
= 1MHz的
.CN
i
1000
-3
mA
20000
90
pF
I
E
= 0.5A ; V
CE
= -5V ; F
TEST
= 10MHz时
12
兆赫
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1551
描述
·采用TO- 220Fa包
·高直流电流增益
·达林顿
应用
·对于中等速度和力量
切换应用程序
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号
描述
绝对最大额定值（ TA = 25 ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-80
-80
-5
-10
30
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= -10mA ，我
B
=0
I
C
= -0.1mA ，我
E
=0
I
E
= -2mA ，我
C
=0
I
C
= -5A ，我
B
=-20mA
I
C
= -5A ，我
B
=-20mA
V
CB
= -80V ，我
E
=0
V
EB
= -5V ，我
C
=0
I
C
= -5A ; V
CE
=-3V
1000
民
-80
-80
-5
2SB1551
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
典型值。
最大
单位
V
V
V
-2.0
-2.5
-10
-2
20000
V
V
A
mA
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB1551
图2外形尺寸（ unindicated公差：
±0.15 mm)
3
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2EZ16D5
2DF0D22
212T01N224FD3
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2SB1217L
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