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功率晶体管
2SB1503
PNP硅外延平面型达林顿
单位:mm
进行功率放大
补充2SD2276
26.0
±0.5
(10.0) (6.0)
(2.0)
(4.0)
20.0
±0.5
φ
3.3
±0.2
5.0
±0.3
(3.0)
I
特点
最佳的110瓦特的Hi-Fi输出
高正向电流传输比H
FE
: 5 000 30 000
低集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
: <
2.5
V
(3.0)
(1.5)
2.0
±0.3
3.0
±0.3
1.0
±0.2
0.6
±0.2
5.45
±0.3
10.9
±0.5
(1.5)
2.7
±0.3
1
2
3
I
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极电源
耗散
T
C
= 25°C
T
a
= 25°C
T
j
T
英镑
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
等级
160
140
5
12
7
120
3.5
150
55
to
+150
°C
°C
单位
V
V
V
A
A
W
20.0
±0.5
(2.5)
浸焊
(1.5)
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
TOP- 3L包装
内部连接
C
B
结温
储存温度
E
I
电气特性
T
C
=
25°C
参数
收藏家Cuto FF电流
符号
I
CBO
I
首席执行官
发射Cuto FF电流
集电极到发射极电压
正向电流传输比
I
EBO
V
首席执行官
h
FE1
h
FE2 *
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
注) *:等级分类
h
FE2
Q
S
P
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
t
on
t
英镑
t
f
条件
V
CB
=
160
V,I
E
= 0
V
CE
=
140
V,I
B
= 0
V
EB
=
5
V,I
C
= 0
I
C
=
30
妈,我
B
= 0
V
CE
=
5
V,I
C
=
1
A
V
CE
=
5
V,I
C
=
7
A
I
C
=
7
A,I
B
=
7
mA
I
C
=
7
A,I
B
=
7
mA
V
CE
=
10
V,I
C
=
0.5 A , F = 1兆赫
I
C
=
7
A,I
B1
=
7
妈,我
B2
= 7毫安,
V
CC
=
50
V
20
1.0
1.5
1.2
140
2 000
5 000
30 000
2.5
3.0
V
V
兆赫
s
s
s
典型值
最大
100
100
100
单位
A
A
A
V
5 000 15 000 7 000至21 000 8 000 30 000
(2.0)
1
2SB1503
P
C
T
a
200
–12
T
C
=25C
(1) T
C
= TA
(2)在一个100
×
100
×
2mm
铝散热器
( 3 )不带散热片
(P
C
=3.5W)
I
B
=–2mA
–1mA
= 0.9毫安
- 0.8毫安
- 0.7毫安
- 0.6毫安
- 0.5毫安
–4
= 0.4毫安
= 0.3毫安
–2
(3)
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
(2)
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
= 0.2毫安
功率晶体管
I
C
V
CE
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
–100
V
CE ( SAT )
I
C
I
C
/I
B
=1000
集电极耗散功率P
C
(W)
–10
–30
150
集电极电流I
C
(A)
–8
–10
T
C
=100C
25C
–25C
–1
100
(1)
–6
–3
50
– 0.3
– 0.1
– 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
环境温度T
a
(C)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
BE ( SAT )
I
C
–100
h
FE
I
C
100000
V
CE
=–5V
1000
C
ob
V
CB
集电极输出电容C
ob
(PF )
I
E
=0
f=1MHz
T
C
=25C
基地发射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
I
C
/I
B
=1000
正向电流传输比H
FE
30000
T
C
=100C
–30
25C
300
10000
–25C
3000
1000
300
100
30
10
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
–10
100
–3
T
C
=–25C
–1
100C
25C
30
10
– 0.3
3
– 0.1
– 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
–1
–3
–10
1
–1
–3
–10
–30
–100
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极基极电压V
CB
(V)
t
on
, t
英镑
, t
f
I
C
100
30
脉冲吨
w
=1ms
占空比= 1 %
I
C
/I
B
=1000
(–I
B1
=I
B2
)
V
CC
=–50V
T
C
=25C
–100
–30
安全操作区( ASO )
非重复脉冲
T
C
=25C
I
CP
开关时间t
on
,t
英镑
,t
f
(
s
)
10
3 t
英镑
t
f
1 t
on
0.3
0.1
0.03
0.01
0
–4
–8
集电极电流I
C
(A)
–10
I
C
–3
–1
10ms
DC
t=1ms
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
–1
–12
–16
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
集电极电流I
C
(A)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2
功率晶体管
R
日(T )
t
1000
注释:R
th
测量在Ta = 25℃,在自然对流。
(1) P
T
=10V
×
0.3A ( 3W )和不带散热片
(2) P
T
=10V
×
1.0A ( 10W )中,用一个100
×
100
×
2毫米铝散热片
100
(1)
2SB1503
热阻R
th
(吨)( C / W)
10
(2)
1
0.1
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
10
2
10
3
10
4
时间t (S )
3
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换货如果有下这种材料描述和控制的产品或技术
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妈妈等级,操作电源电压和热辐射特性的范围内。其它 -
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2001年MAR
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