【功率晶体管2SB1502PNP硅外延平面型达林顿进行功率放大补充2SD22756.020.0±0.5】,IC型号2SB1502P,2SB1502P PDF资料,2SB1502P经销商,ic,电子元器件-51电子网

功率晶体管

2SB1502

PNP硅外延平面型达林顿

进行功率放大

补充2SD2275

6.0

20.0±0.5

3.3±0.2

5.0±0.3

3.0

单位：mm

26.0±0.5

10.0

特点

最佳的55W高保真输出

高盼着电流传输比H

： 5000到30000

低集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

： < 2.5V

1.5

2.0

4.0

1.5

浸焊

绝对最大额定值

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

峰值集电极电流

集电极电流

集电极电流T

=25°C

耗散

Ta=25°C

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

20.0±0.5

2.5

2.0±0.3

3.0±0.3

1.0±0.2

=25C)

评级

–120

–100

–5

–8

–5

3.5

150

-55到+150

单位

2.7±0.3

0.6±0.2

5.45±0.3

10.9±0.5

1 ：基本

2 ：收藏家

3 ：发射器

TOP- 3L包装

内部连接

电气特性

参数

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

集电极到发射极电压

正向电流传输比

集电极到发射极饱和电压

基地发射极饱和电压

跃迁频率

开启时间

贮存时间

下降时间

=25C)

符号

CBO

首席执行官

EBO

首席执行官

FE1

FE2*

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

英镑

条件

= -120V ，我

= 0

= -100V ，我

= 0

= -5V ，我

= 0

= -30mA ，我

= 0

= -5V ，我

= –1A

= -5V ，我

= –4A

= -4A ，我

= -4mA

= -4A ，我

= -4mA

= -10V ，我

= - 0.5A ， F = 1MHz的

= -4A ，我

= -4mA ，我

= 4mA时

= –50V

1.0

0.8

1.0

–100

2000

5000

30000

–2.5

–3.0

兆赫

民

典型值

最大

–100

单位

FE2

等级分类

5000到15000 7000 21000 8000 30000

秩

FE2

2.0

1.5

3.0

功率晶体管

- TA

2SB1502

— V

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

–6

=25C

–5

–100

CE （ SAT ）

— I

=1000

集电极耗散功率P

(W)

(2)

(3)

集电极电流I

(A)

(1) T

= TA

（2）在一个100

100

2mm

铝散热器

（ 3 ）不带散热片

=3.5W)

(1)

= - 0.5毫安

–4

= 0.4毫安

= 0.3毫安

–30

–10

–3

=100C

25C

–25C

–2

= 0.2毫安

–1

= 0.1毫安

– 0.3

80 100 120 140 160

–2

–4

–6

–8

–10

–12

– 0.1

– 0.1 – 0.3

–1

–3

–10

–30

–100

环境温度Ta （C ）

集电极到发射极电压V

(V)

集电极电流I

(A)

BE （ SAT ）

— I

–100

— I

100000

=5V

1000

25C

— V

集电极输出电容C

（PF ）

f=1MHz

=25C

基地发射极饱和电压V

BE （ SAT ）

(V)

=1000

正向电流传输比H

30000

–30

=100C

300

10000

–25C

–10

100

3000

1000

300

100

– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3

–3

=–25C

–1

100C

25C

– 0.3

– 0.1

– 0.1 – 0.3

–1

–3

–10

–30

–100

–1

–3

–10

–1

–3

–10

–30

–100

集电极电流I

(A)

集电极电流I

(A)

集电极基极电压V

(V)

, t

英镑

, t

— I

100

脉冲吨

=1ms

占空比= 1 ％

=1000

(–I

)

=–50V

=25C

0.3

0.1

0.03

0.01

–2

–4

–6

–8

英镑

安全操作区（ ASO ）

–100

–30

非重复脉冲

=25C

10ms

t=1ms

开关时间t

英镑

(

)

集电极电流I

(A)

–10

–3

–1

– 0.3

– 0.1

– 0.03

– 0.01

–1

–3

–10

–30

–100 –300 –1000

集电极电流I

(A)

集电极到发射极电压V

(V)

功率晶体管

日（T ）

— t

1000

注释：R

测量在Ta = 25℃，在自然对流。

(1) P

=10V

0.3A （ 3W ）和不带散热片

(2) P

=10V

1.0A （ 10W ）中，用一个100

100

2毫米铝散热片

100

(1)

2SB1502

热阻R

（吨）（ C / W）

(2)

0.1

–3

–2

–1

时间t （S ）

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并在此材料中描述的半导体

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换货如果有下这种材料描述和控制的产品或技术

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istics和产品的应用电路示例。它不构成产业的值得

物业，给予相对权利，或者给予任何许可。

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ERAL电子设备（如办公设备，通讯设备，测量IN-

struments和家用电器）。

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特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备，

燃烧设备，生命支持系统和安全装置），其中卓越的品质和

可靠性是必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或

对人体的危害。

任何应用程序比预期的标准应用程序等。

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通知进行修改和/或改进的原因。在设计的最后阶段，采购

荷兰国际集团，或使用的产品，因此，事先要求的最先进的最新产品标准

确保最新的技术规格满足您的要求。

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妈妈等级，操作电源电压和热辐射特性的范围内。其它 -

明智的，我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。

即使产品的保证值范围内使用，多余的设计建议，

所以，这样的设备可能没有违反，因为功能的有关法律，法规我们

产品。

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及后拆包待机时间）约定，当规格表被单独更换。

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2001年MAR