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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
2SB1477
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= -100V （最小值）
ùWide
安全工作区
.Complement
到类型2SD2236
应用
·设计
驱动程序和通用的应用程序。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
-100
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
-100
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
-5
V
I
C
集电极电流连续
-5
A
P
C
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
60
W
T
J
结温
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
2SB1477
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极电压Beakdown
I
C
= -10mA ;我
B
= 0
100
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极电压Beakdown
I
C
= -50μA ;我
E
=0
100
V
V
（ BR ） EBO
发射基Beakdown电压
I
E
= -50μA ;我
C
=0
5
V
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
I
CBO
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -3A ;我
B
= -0.3A
B
-1.5
V
基射极饱和电压
I
C
= -3A ;我
B
= -0.3A
B
-2.0
V
μA
μA
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= -100V ;我
E
= 0
-10
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= -5V ;我
C
= 0
-10
h
FE
直流电流增益
I
C
= -1A ; V
CE
= -5V
60
320
h
FE
分类
D
60-120
E
100-200
F
160-320
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
2SB1477
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= -100V （最小值）
ùWide
安全工作区
.Complement
到类型2SD2236
应用
·设计
驱动程序和通用的应用程序。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
发射极 - 基极电压
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
单位
-100
V
-100
V
-5
V
-5
A
60
W
I
C
集电极电流连续
P
C
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
T
J
结温
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
2SB1477
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极电压Beakdown
I
C
= -10mA ;我
B
= 0
100
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极电压Beakdown
I
C
= -50μA ;我
E
=0
100
V
V
（ BR ） EBO
发射基Beakdown电压
I
E
= -50μA ;我
C
=0
5
V
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
I
CBO
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -3A ;我
B
= -0.3A
B
-1.5
V
基射极饱和电压
I
C
= -3A ;我
B
= -0.3A
B
-2.0
V
μA
μA
收藏家Cuto FF电流
I
EBO
发射Cuto FF电流
h
FE
直流电流增益
h
FE
分类
D
60-120
E
100-200
w
F
.CN
i
em
cs
。是
w
w
V
CB
= -100V ;我
E
= 0
V
EB
= -5V ;我
C
= 0
I
C
= -1A ; V
CE
= -5V
60
-10
-10
320
160-320
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1477
描述
·采用TO- 247封装
·补键入2SD2236
·安全运行的广域
应用
·对于drvier和通用应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值（ TC = 25 ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
-100
-100
-5
-5
60
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= -10mA ;我
B
=0
I
C
= -0.1mA ;我
E
=0
I
E
= -0.1mA ;我
C
=0
I
C
=-3A;I
B
=-0.3 A
I
C
=-3A;I
B
=-0.3 A
V
CB
= -100V ;我
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
60
民
-100
-100
-5
2SB1477
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
典型值。
最大
单位
V
V
V
-1.5
-2.0
-10
-10
320
V
V
A
A
h
FE
分类
D
60-120
E
100-200
F
160-320
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB1477
图2外形尺寸
3
C/
'J TI英镑英镑IJ
^ ZMI - Conductoi Lpioduati ，一。
U
电话： （ 973 ） 376-2922
(212)227-6005
传真： （ 973 ） 376-8960
20斯特恩AVE 。
SPRINGFIELD ，新泽西州07081
U.S.A.
硅PNP功率晶体管
2SB1477
描述
集电极 - 发射极击穿电压 -
： V（ BR ） CEO = -100V （分钟）
安全运行的广域
补到类型2SD2236
-^
^
j
:
j
,
英尺1 I
1 2 3
F \\ * C * -
<" ？
3
PIN 1.BASE
2.收集或
3.更好
TO- 247封装
应用
专为驾驶员和通用应用。
绝对最大额定值（T
a
=25'C)
符号
参数
价值
单位
我>
0
*
;
t
fc
'
'
:
'
'
!
i
I ^升。
i ^
'
i
'
' i
! i
—..
^—
: '
K
VCBO
集电极 - 基极电压
-100
V
I
'
＆ GT ;
i
i
;
;i
'
;
'
i **' ! ' *
h
!l
-
M
:
!!v
'
i
J J
:|
J
!
*
^ ii ^
V IJ
VCEO
集电极 - 发射极电压
-100
V
VEBO
发射极 - 基极电压
-5
V
mm
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
P
Q
U
V
MINI
19.80
15.40
4.90
0.90
1.40
1.90
10.80
2.40
0.50
19.50
3.90
3.30
5.20
2JO
最大
20.20
15.80
5.10
1.10
1.60
2.10
11.00
2.60
0.70
20.50
4.10
3.50
5.40
3.10
Ic
集电极电流连续
集电极耗散功率
@ T
C
=25'C
-5
A
PC
60
W
Tj
结温
150
c
r
TSTG
存储温度范围
-55-150
NJ半导体保留更改测试条件，参数限制和封装尺寸不正确
通知。提供的信息NJ半导体被认为是既准确又可靠在即将所述时间
按。然而， NJ半导体承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
NJ半导体鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。
质量半导体
硅PNP功率晶体管
电气特性
锝 25'C ，除非另有说明
符号
参数
条件
民
2SB1477
典型值。
最大
单位
V（ BR ） CEO
集电极 - 发射极电压Beakdown
LC = -10mA ;我
B
= 0
100
V
V（ BR ） CBO
集电极 - 基极电压Beakdown
LC = -50 ü A;我
E
=0
100
V
V（ BR ） EBO
发射基Beakdown电压
I
E
= -50 ü A;升
c
=0
5
V
VCE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
|
c
= -3A; |
B
= -0.3A
-1.5
V
VBE （ SAT ）
基射极饱和电压
LC = -3A ;我
B
= -0.3A
-2.0
V
伊博语
收藏家Cuto FF电流
VcB=-100V;l
E
=0
-10
uA
IEBO
发射Cuto FF电流
VEB = -5V ;升
c
= 0
-10
uA
的hFE
直流电流增益
lc=-1A;V
C
E=-5V
60
320
分类
D
60-120
E
100-200
F
160-320
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2N5521
252A103A60NA
2SD1719P
22-28-4050
25LC080AT-I/SN
25LC080CT-H/SN
2SA1249T
24E05D230
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SB1477
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
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2SB1477
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2443+
23000
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2SB1477
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32000
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联系人：刘经理
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