2SB1459
PNP硅外延
低频功率放大器
特点
低饱和电压
V
CE （SAT）
≤
–0.2 V
大电流容量
I
C
= –2 A
表1绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
符号评级
单位
——————————————————————–
集电极 - 基极电压
V
CBO
–80
V
——————————————————————–
集电极到发射极电压V
首席执行官
–80
V
——————————————————————–
发射器基极电压
V
EBO
–5
V
——————————————————————–
集电极电流
I
C
–2
A
——————————————————————–
峰值集电极电流
i
C（峰值）
–3
A
——————————————————————–
集电极耗散功率P
C
0.9
W
——————————————————————–
结温
Tj
150
°C
——————————————————————–
储存温度
TSTG
-55 + 150℃
——————————————————————–
TO-92MOD
3
1
1.发射器
2.收集
3. BASE
2
表2电气特性
（ TA = 25°C ）
项
符号
最小典型最大单位测试条件
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集电极基极击穿电压
V
（ BR ） CBO
–80 —
—
V
I
C
= -10 μA ，我
E
= 0
———————————————————————————————————————————————–
集电极到发射极击穿电压V
（ BR ） CEO
–80 —
—
V
I
C
= -1毫安，R
BE
=
∞
———————————————————————————————————————————————–
发射极基极击穿电压
V
（ BR ） EBO
–5
—
—
V
I
E
= -10 μA ，我
C
= 0
———————————————————————————————————————————————–
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
—
—
–1
A
V
CB
= -65 V，I
E
= 0
———————————————————————————————————————————————–
收藏家Cuto FF电流
I
首席执行官
—
—
–5
A
V
CE
= -65 V ，R
BE
=
∞
———————————————————————————————————————————————–
发射Cuto FF电流
I
EBO
—
—
–1
A
V
EB
= -4 V，I
C
= 0
———————————————————————————————————————————————–
直流电流传输比
h
FE
1
120 —
—
—
V
CE
= -2 V，I
C
= –0.5 A*
———————————————————————————————————————————————–
直流电流传输比
h
FE
2
40
—
—
—
V
CE
= -2 V，I
C
= –1.5 A*
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