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数据表
硅功率晶体管
2SB1430
PNP硅
外延
晶体管(达林顿连接)
低频功率放大器和低速开关
该2SB1430是一个达林顿功率晶体管直接可以
从IC的输出驱动器。该晶体管是理想的电机驱动器
和螺线管驱动器中,如OA及FA设备。
此外,这种晶体管设有一个小的树脂模
绝缘型封装,从而促进高密度安装
和安装成本的降低。
封装图(单位:mm )
特点
FE
由于达林顿连接:
h
FE
2,000 (V
CE
= 2 V,I
C
= 2 A)
模具包,不需要绝缘板或
绝缘套管
绝对最大额定值(T
A
= 25°C)
°
电极连接
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲)
基极电流(DC)的
总功耗
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C( DC )
I
C(脉冲)
*
I
B( DC )
P
T
(T
C
= 25°C)
P
T
(T
A
= 25°C)
T
j
T
英镑
评级
100
100
7.0
5.0
10
0.5
20
2.0
150
55
+150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
1.基地
2.收集
3.辐射源
等效电路
* PW
10毫秒,占空比
50%
本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。使用本文档,请前
证实,这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件D13660EJ1V0DS00 (第1版)
发布日期2002年4月 CP ( K)
日本印刷
2002
1998
2SB1430
电气特性(T
A
= 25°C)
°
参数
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
集电极饱和电压
基本饱和电压
增益带宽积
集电极电容
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
I
CBO
h
FE1
*
h
FE2
*
V
CE ( SAT )
*
V
BE ( SAT )
*
f
T
C
ob
t
on
t
英镑
t
f
条件
V
CB
=
100
V,I
E
= 0
V
CE
=
2.0
V,I
C
=
2.0
A
V
CE
=
2.0
V,I
C
=
4.0
A
I
C
=
2.0
A,I
B
=
2.0
mA
I
C
=
2.0
A,I
B
=
2.0
mA
V
CE
=
5.0
V,I
C
=
0.5
A
V
CB
=
10
V,I
E
= 0中,f = 1.0兆赫
I
C
=
2.0
A,I
B1
=
I
B2
=
2.0
毫安,
R
L
= 25
,
V
CC
50 V
参考测试电路。
1.0
80
60
0.5
1.0
2,000
500
1.5
2.0
V
V
兆赫
pF
分钟。
典型值。
马克斯。
1.0
20,000
单位
A
s
s
s
*脉冲试验PW
350
S,占空比
2%
h
FE
分类
记号
h
FE1
M
2000至5000
L
4000 10000
K
8000至20000
切换时间(T
on
, t
英镑
, t
f
)测试电路
基极电流
波形
集电极电流
波形
2
数据表D13660EJ1V0DS
2SB1430
典型特征(T
A
= 25°C)
°
总功耗P
T
(W)
案例温度T
C
(°C)
I
C
降额的dT ( % )
案例温度T
C
(°C)
单脉冲
集电极电流I
C
(A)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
瞬态热阻R(T ) ( ° C / W)
无需散热器
具有无穷散热器
脉冲宽度PW (S )
数据表D13660EJ1V0DS
3
2SB1430
脉冲测试
集电极电流I
C
(A)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
直流电流增益
FE
集电极电流I
C
(A)
基本饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
集电极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
脉冲测试
集电极电流I
C
(A)
4
数据表D13660EJ1V0DS
2SB1430
[备忘录]
数据表D13660EJ1V0DS
5
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SB1430M
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联系人:刘先生
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