2SB1412
公司Bauelemente
PNP硅
低频晶体管
!
电气特性曲线
集电极电流：我
C
(A)
-10
V
CE
=
2V
-5
集电极电流：我
C
(A)
-5
直流电流增益：H
FE
-2
-1
-500m
-200m
-100m
-50m
-20m
-10m
-5m
-2m
-1m
0
Ta
=
100
°C
25
°C
25
°C
-4
50mA
45mA
40mA
35mA
Ta=25°C
mA
30
5mA
2
20mA
15mA
5k
2k
1k
500
200
100
50
20
10
5
Ta=25
°C
-3
10mA
V
CE
=
5V
-2
5mA
2V
1V
-1
I
B
=0A
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2 -1.4
基地发射极电压： V
BE
(V)
0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
-1m -2m -5m-0.01-0.02 -0.05 -0.1 -0.2 -0.5 -1 -2
-5 -10
集电极到发射极电压：
V
CE
(V)
集电极电流：我
C
(A)
图1发射极接地传播
特征
图2接地发射极输出
特征
图3直流电流增益与
集电极电流（ Ι ）
V
CE
=1V
直流电流增益：H
FE
V
CE
=2V
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
5k
2k
直流电流增益：H
FE
5k
2k
1k
500
200
100
50
20
10
5
-5
-2
-1
-0.5
-0.2
-0.1
-0.05
-0.02
-0.01
Ta=25°C
1k
500
200
100
50
20
10
5
-1m-2m -5m-0.01-0.02-0.05 -0.1 -0.2 -0.5 -1 -2
-5 -10
Ta=100
°C
25
°C
25°C
Ta=100
°C
25
°C
25°C
I
C
/I
B
=50/1
40/1
/1
30/1
10/1
-1m-2m -5m-0.01-0.02-0.05-0.1 -0.2 -0.5 -1 -2
-5 -10
-2m -5m -0.01-0.02-0.05 -0.1 -0.2 -0.5 -1 -2
-5 -10
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
图4直流电流增益与
集电极电流（ ΙΙ ）
图5直流电流增益与
集电极电流（ ΙΙΙ ）
图6集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（ Ι ）
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
l
C
/l
B
=
10
l
C
/l
B
=
30
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
-5
-2
-1
-0.5
-0.2
-0.1
-0.05
-0.02
-0.01
-5
-2
-1
-0.5
-0.2
-0.1
-0.05
-0.02
-0.01
-5
-2
-1
-0.5
-0.2
-0.1
-0.05
-0.02
-0.01
l
C
/l
B
=
40
25°C
25
°C
Ta=100
°C
25
°C
Ta=100
°C
25
°C
25°C
25°C
Ta=100
°C
-2m -5m -0.01-0.02-0.05 -0.1 -0.2 -0.5 -1 -2
-5 -10
-2m -5m -0.01-0.02 -0.05 -0.1 -0.2 -0.5 -1 -2
-5 -10
-2m -5m -0.01-0.02 -0.05 -0.1 -0.2 -0.5 -1 -2
-5 -10
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
图7集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（ ΙΙ ）
图8集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（ ΙΙΙ ）
图9集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（IV）的
http://www.SeCoSGmbH.com
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2002年修订版A
分页： 1 2 3
2SB1412
Elektroni sche BAUELEMENTE
PNP硅
低频晶体管
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
TRANSEITION频率：F
T
（兆赫）
l
C
/l
B
=
50
25°C
25
°C
Ta=100
°C
-2
-1
-0.5
-0.2
-0.1
-0.05
-0.02
-0.01
500
200
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10 20
Ta=25°C
V
CE
=
6V
集电极输出电容：玉米棒（
pF的）
-5
1 000
1000
500
Ta=25°C
f=1MHz
I
E
=0A
200
100
50
20
10
-0.1 -0.2
-2m -5m -0.01
-0.02 -0.05 -0.1 -0.2 -0.5 -1 -2
-5 -10
50 100 200 500 1000
-0.5 -1
-2
-5 -10 -20
-50
集电极电流：我
C
(A)
发射极电流：我
E
（MA ）
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
图10集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（V）的
Fig.11
增益带宽积
与发射极电流
图12集电极输出电容
与集电极 - 基极电压
辐射源INTPUT电容： CIB （
pF的）
1000
500
集电极电流：我
C
(A)
Ta=25°C
f=1MHz
I
C
=0A
100
50
20
10
Ta=25°C
*单
不重复
脉冲
Pw
200
100
50
5
2
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
Pw
=
1
DC
0
=
1
ms
ms
00
20
10
-0.1
-0.2
-0.5
-1
-2
-5
-10
0.2 0.5 1
2
5 10 20 50 100 200 500
发射极 - 基极电压： V
EB
(V)
集电极到发射极电压：
V
CE
(V)
图13发射器的输入电容
与发射极 - 基极电压
图14安全作业区
(2SB1412)
http://www.SeCoSGmbH.com
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2002年修订版A
第3页3
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
2SB1412
PNP外延硅晶体管
高压开关
晶体管
描述
在UTC 2SB1412是一个外延平面型PNP硅
晶体管。
1
特点
*优异的直流电流增益特性
*低V
CE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
= -0.35V （典型值）
(I
C
/I
B
= -4A/-0.1A)
TO-252
*无铅电镀产品编号： 2SB1412L
订购信息
订单号
正常
无铅电镀
2SB1412-TN3-F-R
2SB1412L-TN3-F-R
包
TO-252
引脚分配
1
2
3
B
C
E
填料
带盘
2SB1412L-TN3-F-R
（ 1 ）包装类型
（ 2 ）引脚分配
（ 3 ）封装类型
（ 4 ）铅电镀
（ 1 ）R ：带卷轴
（ 2 ）参考引脚分配
（ 3 ） TN3 ： TO- 252
（ 4 ） L：无铅电镀，空白：铅/锡
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2005 Unisonic技术有限公司
1 5
QW-R209-021,A
2SB1412
参数
PNP外延硅晶体管
绝对最大额定值
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
符号
范围
单位
集电极 - 基极电压
V
CBO
-30
V
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
-20
V
发射极 - 基极电压
V
EBO
-6
V
集电极电流（DC）的
I
C
-5
A
集电极电流（脉冲），单脉冲， PW = 10毫秒
I
CP
-10
A
集电极耗散功率
P
D
1
W
集电极耗散功率（注2 ）
P
D
W
10(T
C
=25°C)
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-40 ~ +150
°C
注意1.Absolute最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.当安装在一个40 * 40 * 0.7毫米陶瓷板。
电气特性
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
符号
测试条件
集电极基极击穿电压
BV
CBO
I
C
= -50μA
集电极发射极击穿电压BV
首席执行官
I
C
= -1mA
发射极基极击穿电压
BV
EBO
I
E
= -50μA
集电极截止电流
I
CBO
V
CB
= -20V
发射极截止电流
I
EBO
V
EB
= -5V
直流电流传输比
h
FE
V
CE
= -2V ， IC = -0.5A
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
I
C
/I
B
= -4A/-0.1A
跃迁频率
f
T
V
CE
= -6V ，我
E
= 50 mA时， F = 30MHz的
输出电容
COB
V
CB
= -20V ，我
E
= 0 ， F = 1MHz的
民
-30
-20
-6
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
V
兆赫
pF
82
120
60
-0.5
-0.5
390
-1.0
分类的hFE的
秩
范围
P
82-180
Q
120-270
R
180-390
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
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2 5
QW-R209-021,A
2SB1412
典型特征
发射极接地传播
特征
-10
-5 V
CE
= -2V
集电极电流： IC （MA ）
PNP外延硅晶体管
接地发射极输出
特征
-5
-4
-50mA
-45mA
-30mA TA = 25 ℃
-25mA
-20mA
-15mA
-3
-10mA
-2
-35mA
-40mA
-5mA
-200m
-100m
-50m
-20m
-10m
-5m
-2m
-1m
0
Ta=25℃
TA = -25 ℃
集电极电流： IC （A）
-2
-1
-500m
Ta=100℃
-1
0
0
I
B
=0mA
-1.6
-2.0
-0.2 -0.4 -0.6 -0.8
-1.0 -1.2 -1.4
-0.4
-0.8
-1.2
基地发射极电压： V
BE
(V)
DC电流增益vs.Collector电流（ I）的
5k
Ta=25℃
2k
直流电流增益：
h
FE
直流电流增益：
h
FE
1k
500
Vc
E
= -5V
200
100
50
20
10
5
-1m-2m-5m
-0.01-0.02-0.05 -0.1-0.2
-0.5-1 -2 -5 -10
集电极电流： IC （A）
DC电流增益vs.Collector电流（ III）的
5k
Vc
E
= -2V
2k
直流电流增益：
h
FE
1k
500
200
100
50
20
10
5
-1m-2m-5m
-0.01-0.02-0.05 -0.1-0.2
-0.5-1 -2 -5 -10
集电极电流： IC （A）
Ta=100℃
集电极饱和电压： V
CE
(
SAT
) ( V)
-5
-2
-1
-0.5
-0.2
-0.1
-0.05
Vc
E
= -2V
Vc
E
= -1V
5k
2k
1k
500
200
100
50
20
10
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
直流电流增益vs.Collector
电流（II）的
Vc
E
= -1V
Ta=100℃
Ta=25℃
TA = -25 ℃
5
-1m-2m-5m
-0.01-0.02-0.05 -0.1-0.2
-0.5 -1 -2 -5 -10
集电极电流： IC （A）
集电极 - 发射极饱和电压
vs.Collector电流（ I）的
Ta=25℃
TA = -25 ℃
Ta=25℃
IC / I
B
=50/1
40/1
30/1
10/1
-0.02
-0.01
-0.2
-2m -5m
-0.01-0.02-0.05 -0.1
-0.5 -1 -2 -5 -10
集电极电流： IC （A）
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3 5
QW-R209-021,A
2SB1412
集电极 - 发射极饱和电压
vs.Collector电流（ II）的
PNP外延硅晶体管
典型特征（续）
集电极 - 发射极饱和电压
vs.Collector电流（ III）的
集电极饱和电压： V
CE
(
SAT
) ( V)
-5
-2
-1
-0.5
-0.2
-0.1
-0.05
TA = -25 ℃
-0.02
-0.01
-2m
Ta=100℃
Ta=25℃
IC / I
B
=30
集电极饱和电压： V
CE
(
SAT
) ( V)
-5
-2
-1
-0.5
-0.2
-0.1
-0.05
Ta=100℃
IC / I
B
=10
Ta=25℃
-0.02
-0.01
-2m -5m
TA = -25 ℃
-0.2
-0.01-0.02-0.05 -0.1
-0.5-1
-2 -5 -10
-0.2
-5m
-0.01-0.02-0.05 -0.1
-0.5-1 -2 -5 -10
集电极电流： IC （A）
集电极 - 发射极饱和电压
vs.Collector电流（ IV）的
IC / I
B
=40
TA = -25 ℃
Ta=25℃
集电极饱和电压： V
CE
(
SAT
)
( V)
-5
-2
-1
-0.5
-0.2
-0.1
-0.05
-0.02
-0.01
-2m -5m
Ta=100℃
-5
集电极电流： IC （A）
集电极 - 发射极饱和电压
vs.Collector电流（ V）的
IC / I
B
=50
-2
-1
-0.5
-0.2
-0.1
TA = -25 ℃
Ta=25℃
Ta=100℃
集电极饱和电压： V
CE
(
SAT
) ( V)
-0.05
-0.2
-0.01-0.02-0.05 -0.1
-0.5-1
-2 -5 -10
集电极电流： IC （A）
-0.02
-0.01
-2m
-0.2
-5m
-0.01-0.02-0.05 -0.1
-0.5-1 -2 -5 -10
集电极电流： IC （A）
集电极输出电容：玉米棒（PF ）
1000
500
Transetion频率：FT （兆赫）
200
100
50
20
10
5
2
1
1
增益带宽产品vs.Emitter
当前
1000
500
200
100
50
20
Ta=25℃
Vc
E
= -6V
集电极输出电容
vs.collector - 基极电压
Ta=25℃
F = 1MHz的
I
E
=0A
2
5
50 100200 500 1000
发射极电流：我
E
（MA ）
10 20
10
-0.1 -0.2 -0.5 -1
-2
-5
-10 -20
-50
集电极基极电压： V
CB
(V)
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4 5
QW-R209-021,A
2SB1412
发射器输入电容vs.Emitter-
基极电压
Ta=25℃
f=1MHz
I
c
=0A
PNP外延硅晶体管
典型特征（续）
1000
发射器输入电容： CIB （PF ）
500
200
100
50
20
-0.1
-0.2
-0.5 -1
-2
-5 -10
发射极 - 基极电压： V
EB
(V)
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
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QW-R209-021,A
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
2SB1412
PNP外延硅晶体管
高压开关
晶体管
描述
在UTC 2SB1412是一个外延平面型PNP硅
晶体管。
1
特点
*优异的直流电流增益特性
*低V
CE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
= -0.35V （典型值）
(I
C
/I
B
= -4A/-0.1A)
TO-252
*无铅电镀产品编号： 2SB1412L
订购信息
订单号
正常
无铅电镀
2SB1412-TN3-F-R
2SB1412L-TN3-F-R
包
TO-252
引脚分配
1
2
3
B
C
E
填料
带盘
2SB1412L-TN3-F-R
（ 1 ）包装类型
（ 2 ）引脚分配
（ 3 ）封装类型
（ 4 ）铅电镀
（ 1 ）R ：带卷轴
（ 2 ）参考引脚分配
（ 3 ） TN3 ： TO- 252
（ 4 ） L：无铅电镀，空白：铅/锡
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2005 Unisonic技术有限公司
1 5
QW-R209-021,A
2SB1412
参数
PNP外延硅晶体管
绝对最大额定值
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
符号
范围
单位
集电极 - 基极电压
V
CBO
-30
V
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
-20
V
发射极 - 基极电压
V
EBO
-6
V
集电极电流（DC）的
I
C
-5
A
集电极电流（脉冲），单脉冲， PW = 10毫秒
I
CP
-10
A
集电极耗散功率
P
D
1
W
集电极耗散功率（注2 ）
P
D
W
10(T
C
=25°C)
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-40 ~ +150
°C
注意1.Absolute最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.当安装在一个40 * 40 * 0.7毫米陶瓷板。
电气特性
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
符号
测试条件
集电极基极击穿电压
BV
CBO
I
C
= -50μA
集电极发射极击穿电压BV
首席执行官
I
C
= -1mA
发射极基极击穿电压
BV
EBO
I
E
= -50μA
集电极截止电流
I
CBO
V
CB
= -20V
发射极截止电流
I
EBO
V
EB
= -5V
直流电流传输比
h
FE
V
CE
= -2V ， IC = -0.5A
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
I
C
/I
B
= -4A/-0.1A
跃迁频率
f
T
V
CE
= -6V ，我
E
= 50 mA时， F = 30MHz的
输出电容
COB
V
CB
= -20V ，我
E
= 0 ， F = 1MHz的
民
-30
-20
-6
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
V
兆赫
pF
82
120
60
-0.5
-0.5
390
-1.0
分类的hFE的
秩
范围
P
82-180
Q
120-270
R
180-390
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QW-R209-021,A
2SB1412
典型特征
发射极接地传播
特征
-10
-5 V
CE
= -2V
集电极电流： IC （MA ）
PNP外延硅晶体管
接地发射极输出
特征
-5
-4
-50mA
-45mA
-30mA TA = 25 ℃
-25mA
-20mA
-15mA
-3
-10mA
-2
-35mA
-40mA
-5mA
-200m
-100m
-50m
-20m
-10m
-5m
-2m
-1m
0
Ta=25℃
TA = -25 ℃
集电极电流： IC （A）
-2
-1
-500m
Ta=100℃
-1
0
0
I
B
=0mA
-1.6
-2.0
-0.2 -0.4 -0.6 -0.8
-1.0 -1.2 -1.4
-0.4
-0.8
-1.2
基地发射极电压： V
BE
(V)
DC电流增益vs.Collector电流（ I）的
5k
Ta=25℃
2k
直流电流增益：
h
FE
直流电流增益：
h
FE
1k
500
Vc
E
= -5V
200
100
50
20
10
5
-1m-2m-5m
-0.01-0.02-0.05 -0.1-0.2
-0.5-1 -2 -5 -10
集电极电流： IC （A）
DC电流增益vs.Collector电流（ III）的
5k
Vc
E
= -2V
2k
直流电流增益：
h
FE
1k
500
200
100
50
20
10
5
-1m-2m-5m
-0.01-0.02-0.05 -0.1-0.2
-0.5-1 -2 -5 -10
集电极电流： IC （A）
Ta=100℃
集电极饱和电压： V
CE
(
SAT
) ( V)
-5
-2
-1
-0.5
-0.2
-0.1
-0.05
Vc
E
= -2V
Vc
E
= -1V
5k
2k
1k
500
200
100
50
20
10
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
直流电流增益vs.Collector
电流（II）的
Vc
E
= -1V
Ta=100℃
Ta=25℃
TA = -25 ℃
5
-1m-2m-5m
-0.01-0.02-0.05 -0.1-0.2
-0.5 -1 -2 -5 -10
集电极电流： IC （A）
集电极 - 发射极饱和电压
vs.Collector电流（ I）的
Ta=25℃
TA = -25 ℃
Ta=25℃
IC / I
B
=50/1
40/1
30/1
10/1
-0.02
-0.01
-0.2
-2m -5m
-0.01-0.02-0.05 -0.1
-0.5 -1 -2 -5 -10
集电极电流： IC （A）
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
3 5
QW-R209-021,A
2SB1412
集电极 - 发射极饱和电压
vs.Collector电流（ II）的
PNP外延硅晶体管
典型特征（续）
集电极 - 发射极饱和电压
vs.Collector电流（ III）的
集电极饱和电压： V
CE
(
SAT
) ( V)
-5
-2
-1
-0.5
-0.2
-0.1
-0.05
TA = -25 ℃
-0.02
-0.01
-2m
Ta=100℃
Ta=25℃
IC / I
B
=30
集电极饱和电压： V
CE
(
SAT
) ( V)
-5
-2
-1
-0.5
-0.2
-0.1
-0.05
Ta=100℃
IC / I
B
=10
Ta=25℃
-0.02
-0.01
-2m -5m
TA = -25 ℃
-0.2
-0.01-0.02-0.05 -0.1
-0.5-1
-2 -5 -10
-0.2
-5m
-0.01-0.02-0.05 -0.1
-0.5-1 -2 -5 -10
集电极电流： IC （A）
集电极 - 发射极饱和电压
vs.Collector电流（ IV）的
IC / I
B
=40
TA = -25 ℃
Ta=25℃
集电极饱和电压： V
CE
(
SAT
)
( V)
-5
-2
-1
-0.5
-0.2
-0.1
-0.05
-0.02
-0.01
-2m -5m
Ta=100℃
-5
集电极电流： IC （A）
集电极 - 发射极饱和电压
vs.Collector电流（ V）的
IC / I
B
=50
-2
-1
-0.5
-0.2
-0.1
TA = -25 ℃
Ta=25℃
Ta=100℃
集电极饱和电压： V
CE
(
SAT
) ( V)
-0.05
-0.2
-0.01-0.02-0.05 -0.1
-0.5-1
-2 -5 -10
集电极电流： IC （A）
-0.02
-0.01
-2m
-0.2
-5m
-0.01-0.02-0.05 -0.1
-0.5-1 -2 -5 -10
集电极电流： IC （A）
集电极输出电容：玉米棒（PF ）
1000
500
Transetion频率：FT （兆赫）
200
100
50
20
10
5
2
1
1
增益带宽产品vs.Emitter
当前
1000
500
200
100
50
20
Ta=25℃
Vc
E
= -6V
集电极输出电容
vs.collector - 基极电压
Ta=25℃
F = 1MHz的
I
E
=0A
2
5
50 100200 500 1000
发射极电流：我
E
（MA ）
10 20
10
-0.1 -0.2 -0.5 -1
-2
-5
-10 -20
-50
集电极基极电压： V
CB
(V)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
4 5
QW-R209-021,A
2SB1412
发射器输入电容vs.Emitter-
基极电压
Ta=25℃
f=1MHz
I
c
=0A
PNP外延硅晶体管
典型特征（续）
1000
发射器输入电容： CIB （PF ）
500
200
100
50
20
-0.1
-0.2
-0.5 -1
-2
-5 -10
发射极 - 基极电压： V
EB
(V)
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
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可靠，可恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
5
QW-R209-021,A
2SB1412
包装规格和h
FE
包
CODE
TYPE
2SB1412
h
FE
PQR
基本订购
单位（件）
TAPING
TL
2500
数据表
h
FE
值被分类如下：
项
h
FE
P
82至180
Q
120至270
R
180 390
电气特性曲线
10
5
V
CE
=
2V
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
直流电流增益：H
FE
2
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
Ta
=
100
°C
25
°C
25
°C
5
50mA
45mA
40mA
4
35mA
Ta=25
°C
mA
30
mA
25
20mA
5k
2k
1k
500
200
100
50
20
10
Ta=25
°C
15mA
3
10mA
2
5mA
1
I
B
=0A
V
CE
=
5V
2V
1V
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
5
1m
2m
5m
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
集电极电流：我
C
(A)
5
10
基地发射极电压： V
BE
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
Fig.1
发射极接地传播
特征
Fig.2
接地发射极输出
特征
Fig.3
直流电流增益主场迎战
集电极电流（ ）
V
CE
= 1V
直流电流增益：H
FE
V
CE
= 2V
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
5k
2k
直流电流增益：H
FE
5k
2k
1k
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Ta=25°C
1k
500
200
100
50
20
10
1m 2m 5m 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2
Ta
=
100
°C
25
°C
25
°C
Ta
=
100
°C
25
°C
25
°C
I
C
/I
B
=50/1
40/1
/1
30/1
10/1
5
5 10
1m 2m 5m 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2
5
5 10
0.01
2m
5m
0.0
-0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
图4直流电流增益与
集电极电流（ ）
图5直流电流增益与
集电极电流（ ）
Fig.6
集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（ ）
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
l
C
/l
B
=10
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
l
C
/l
B
=30
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Ta
=
100
°C
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Ta
=
100
°C
l
C
/l
B
=40
25°C
25
°C
Ta
=
100
°C
25
°C
25°C
25
°C
25°C
0.01
2m
5m
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
集电极电流：我
C
(A)
5
10
0.01
2m
5m
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
集电极电流：我
C
(A)
5
10
0.01
2m
5m
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
集电极电流：我
C
(A)
5
10
Fig.7
集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（ ）
Fig.8
集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（
)
图9集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（
)
www.rohm.com
c
○
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2/3
2009.12 - Rev.C
通告
笔记
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"Products" ） 。如果你希望使用任何此类产品，请务必参阅规格，
这可以从ROHM要求获得。
的应用电路，电路常数和任何其它信息的例子在此包含
示出了产品的标准用法和操作。外围条件必须
在设计用于大规模生产的电路时，必须考虑到。
时非常谨慎，以确保本文档中指定的信息的准确性。
但是，如果你承担从这种不准确或印刷错误而引起的任何损害
信息， ROHM ，应当承担此类损害概不负责。
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为产品应用电路的例子。 ROHM不授予你，或明或
隐，任何许可使用或行使知识产权或由Rohm and持有的其他权益
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使用这样的技术信息。
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设备或装置（诸如视听设备，办公自动化设备， commu-
讯设备，电子电器，娱乐设备） 。
本文档中指定的产品没有设计成抗辐射。
而ROHM一直努力提高其产品的质量和可靠性，一
产品可能会失败或因各种原因发生故障。
请务必在使用该产品的安全性措施来保护你的设备来实现
对人身伤害，火灾或其它任何损害引起的事件的可能性
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不承担任何责任不对您使用的任何产品的规定外
范围或者没有按照使用说明书。
该产品并非设计或制造任何设备，设备使用，或
系统，该系统要求的可靠性非常高的水平的故障或失灵，其中
可能会导致直接威胁到人的生命或创建人伤害的危险（如医疗
仪表，交通运输设备，航空器械，核反应器，
燃料控制器或其他安全装置） 。 ROHM应承担的任何方式使用任何责任
任何产品的上述特殊用途。如果一个产品打算用于任何
这种特殊用途，请购买前联系ROHM销售代表。
如果您打算出口或海外的船舶的任何产品或技术在此指定的可
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http://www.rohm.com/contact/
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R0039A
晶体管
低频晶体管
(*20V,*5A)
2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436
FFeatures
1 ）低V
CE （ SAT ）
.
V
CE （ SAT ）
=
*0.35V
（典型值）。
(I
C
/ I
B
=
*4A
/
*0.1A)
2 ）出色的直流电流增益字符
开创性意义。
3 ）补充了2SD2098 /
2SD2118 / 2SD2097 / 2SD2166 。
FStructure
外延平面型
PNP硅晶体管
FExternal
尺寸（单位：毫米）
(96-141-B204)
211
晶体管
FAbsolute
最大额定值（Ta = 25_C ）
2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436
FElectrical
特性（Ta = 25_C ）
212
晶体管
FPackaging
规格和h
FE
2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436
h
FE
值被分类如下：
FElectrical
特性曲线
213
晶体管
2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436
214
2SB1386 / 2SB1412
晶体管
低频晶体管（ -20V ，
5A)
2SB1386 / 2SB1412
特点
1 ）低V
CE （ SAT ）
.
V
CE （ SAT ）
=
0.35V
（典型值）。
(I
C
/I
B
=
4A
/
0.1A)
2 ）出色的直流电流增益特性。
3 ）补充了2SD2098 / 2SD2118 。
尺寸
（单位：毫米）
2SB1386
2SB1412
结构
外延平面型
PNP硅晶体管
ROHM ： MPT3
EIAJ ：SC- 62
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
缩写符号： BH
指H
ROHM ： CPT3
EIAJ ： SC- 63
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
FE
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
2SB1386
P
C
2SB1412
Tj
TSTG
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
范围
30
20
6
5
10
0.5
2
1
10
150
55
150
单位
V
V
V
A（ DC ）
A（脉冲）
1
W
W
2
W
W(Tc=25
°C
)
集电极电源
耗散
结温
储存温度
°C
°C
1
2
单脉冲， PW = 10毫秒
当安装在一个40
×
40
×
0.7毫米陶瓷板。
REV.B
1/4
2SB1386 / 2SB1412
晶体管
电气特性曲线
10
5
V
CE
=
2V
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
直流电流增益：H
FE
2
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
Ta
=
100
°C
25
°C
25
°C
5
50mA
45mA
40mA
4
35mA
Ta=25
°C
mA
30
A
25m
20mA
5k
2k
1k
500
200
100
50
20
10
Ta=25
°C
15mA
3
10mA
2
5mA
1
I
B
=0A
V
CE
=
5V
2V
1V
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
5
1m
2m
5m
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
集电极电流：我
C
(A)
5
10
基地发射极电压： V
BE
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
Fig.1
发射极接地传播
特征
Fig.2
接地发射极输出
特征
Fig.3
直流电流增益主场迎战
集电极电流（ ）
V
CE
= 1V
直流电流增益：H
FE
V
CE
= 2V
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
5k
2k
直流电流增益：H
FE
5k
2k
1k
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Ta=25°C
1k
500
200
100
50
20
10
1m 2m 5m 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2
Ta
=
100
°C
25
°C
25
°C
Ta
=
100
°C
25
°C
25
°C
I
C
/I
B
=50/1
40/1
/1
30/1
10/1
5
5 10
1m 2m 5m 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2
5
5 10
0.01
2m
5m
0.0
-0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
图4直流电流增益与
集电极电流（ ）
图5直流电流增益与
集电极电流（ ）
Fig.6
集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（ ）
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Ta
=
100
°C
l
C
/l
B
=10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
l
C
/l
B
=30
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Ta
=
100
°C
l
C
/l
B
=40
25°C
25
°C
Ta
=
100
°C
25
°C
25°C
25
°C
25°C
0.01
2m
5m
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
集电极电流：我
C
(A)
5
10
0.01
2m
5m
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
集电极电流：我
C
(A)
5
10
0.01
2m
5m
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
集电极电流：我
C
(A)
5
10
Fig.7
集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（ ）
Fig.8
集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（
)
图9集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（
)
REV.B
3/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品，设备或装置需要相当高的水平
可靠性和故障，其中将直接危及人的生命（如医疗
仪器仪表，交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器
和其他安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
这是我们的首要任务，以提供产品以最大的质量和可靠性。然而，总有一个机会
失败是由于意外因素。因此，请考虑降容特性，并允许
供足够的安全功能，如额外的裕度，抗燃性，和故障保护措施的设计在当
为了防止可能发生的事故可能会导致人身伤害或火灾，造成部件故障的。 ROHM
可以不负责因使用该产品的情况下所产生的任何损失
一系列的规范或因不遵守本产品目录中规定的注意事项。
感谢您的访问，以ROHM的产品信息。
更详细的产品信息和目录都可以，请联系您最近的销售办事处。
ROHM
客户支持系统
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美洲
/
EUPOPE
/
亚洲
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日本
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传真： + 81-75-315-0172
Appendix1-Rev2.0
2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326
晶体管
低频晶体管（ -20V ，
5A)
2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326
特点
1 ）低V
CE （ SAT ）
.
V
CE （ SAT ）
=
0.35V
（典型值）。
(I
C
/I
B
=
4A
/
0.1A)
2 ）出色的直流电流增益特性。
3 ）补充了2SD2098 / 2SD2118 /
2SD2097.
外形尺寸
（单位：毫米）
2SB1386
0.5±0.1
4.5
+0.2
0.1
1.6±0.1
1.5
+0.2
0.1
2SB1412
1.5
±
0.3
6.5
±
0.2
5.1
+
0.2
0.1
C0.5
2.3
+
0.2
0.1
0.5
±
0.1
5.5
+
0.3
0.1
(1)
(2)
(3)
0.4±0.1
1.5±0.1
1.0±0.2
0.4
+0.1
0.05
0.75
0.9
0.65
±
0.1
0.4±0.1
1.5±0.1
0.5±0.1
3.0±0.2
0.55
±
0.1
2.3
±
0.2
2.3
±
0.2
1.0
±
0.2
结构
外延平面型
PNP硅晶体管
ROHM ： MPT3
EIAJ ：SC- 62
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
(1) (2) (3)
缩写符号： BH
2.5±0.2
ROHM ： CPT3
EIAJ ： SC- 63
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
2SB1326
6.8±0.2
0.65Max.
1.0
0.5±0.1
(1)
(2)
(3)
2.54 2.54
1.05
0.45±0.1
ROHM ：
亚视
指H
FE
14.5±0.5
4.4±0.2
0.9
（1 ）发光体
（ 2 ）集电极
（3 ）基
Rev.A的
2.5
1/4
9.5
±
0.5
4.0
±0.3
2.5
+0.2
0.1
0.9
1.5
2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326
晶体管
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
2SB1386
收藏家功率2SB1412
耗散
2SB1326
结温
储存温度
Tj
TSTG
P
C
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
范围
30
20
6
5
10
0.5
2
1
10
1
150
55
150
单位
V
V
V
A（ DC ）
A（脉冲）
1
W
W
2
W
W(Tc=25
°C
)
3
W
°C
°C
1
2
3
单脉冲， PW = 10毫秒
当安装在一个40
×
40
×
0.7毫米陶瓷板。
印刷电路板玻璃环氧树脂板1.6mm厚镀铜百毫米
2
或更大。
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
符号
BV
CBO
分钟。
30
20
6
82
120
f
T
COB
典型值。
0.35
120
60
马克斯。
0.5
0.5
1.0
390
390
单位
V
V
V
I
C
= 50
A
I
C
= -1mA
I
E
= 50
A
V
CB
= 20V
V
EB
= 5V
I
C
/I
B
= 4A/ 0.1A
V
CE
= 2V,
I
C
= 0.5A
V
CE
= 6V,
I
E
=50mA,
f=100MHz
V
CB
= 20V,
I
E
=0A,
f=1MHz
条件
集电极 - 发射极击穿电压BV
首席执行官
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流
传输比
2SB1386,2SB1412
2SB1326
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
A
A
V
兆赫
pF
跃迁频率
输出电容
利用脉冲电流测量。
包装规格和h
FE
包
CODE
TYPE
2SB1386
2SB1412
2SB1326
h
FE
PQR
PQR
QR
基本订购
单位（件）
T100
1000
TAPING
TL
2500
TV2
2500
h
FE
值被分类如下：
项
h
FE
P
82至180
Q
120至270
R
180 390
Rev.A的
2/4
2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326
晶体管
电气特性曲线
10
5
V
CE
=
2V
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
直流电流增益：H
FE
2
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
Ta
=
100
°C
25
°C
25
°C
5
50mA
45mA
40mA
4
35mA
Ta=25
°C
mA
30
A
25m
20mA
5k
2k
1k
500
200
100
50
20
10
Ta=25
°C
15mA
3
10mA
2
V
CE
=
5V
2V
1V
5mA
1
I
B
=0A
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
5
1m
2m
5m
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
基地发射极电压： V
BE
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
集电极电流：我
C
(A)
Fig.1
发射极接地传播
特征
Fig.2
接地发射极输出
特征
Fig.3
直流电流增益主场迎战
集电极电流（ ）
V
CE
= 1V
直流电流增益：H
FE
V
CE
= 2V
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
5k
2k
直流电流增益：H
FE
5k
2k
1k
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Ta=25°C
1k
500
200
100
50
20
10
1m 2m 5m 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2
Ta
=
100
°C
25
°C
25
°C
Ta
=
100
°C
25
°C
25
°C
I
C
/I
B
=50/1
40/1
/1
30/1
10/1
5
5 10
1m 2m 5m 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2
5
5 10
0.01
2m
5m
0.0
-0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
图4直流电流增益与
集电极电流（ ）
图5直流电流增益与
集电极电流（ ）
Fig.6
集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（ ）
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
l
C
/l
B
=10
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
l
C
/l
B
=30
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
l
C
/l
B
=40
25°C
25
°C
Ta
=
100
°C
25
°C
Ta
=
100
°C
25
°C
25°C
25°C
Ta
=
100
°C
0.01
2m
5m
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
集电极电流：我
C
(A)
5
10
0.01
2m
5m
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
集电极电流：我
C
(A)
5
10
0.01
2m
5m
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
集电极电流：我
C
(A)
5
10
Fig.7
集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（ ）
Fig.8
集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（
)
图9集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（
)
Rev.A的
3/4
2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326
晶体管
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
2m
5m
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
1 000
TRANSEITION频率：F
T
（兆赫）
1000
500
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
l
C
/l
B
=50
25°C
25
°C
Ta
=
100
°C
500
200
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10
20
Ta
=
25°C
V
CE
= 6V
集电极输出电容：玉米棒
（PF ）
Ta
=
25°C
f
=
1MHz
I
E
=
0A
200
100
50
20
10
0.1 0.2 0.5 1
50 100 200
500 1000
2
5 10 20
50
集电极电流：我
C
(A)
发射极电流：我
E
（MA ）
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
图10集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（ ）
Fig.11
增益带宽积
与发射极电流
图12集电极输出电容
与集电极 - 基极电压
辐射源INTPUT电容： CIB
（PF ）
1000
500
集电极电流：我
C
(A)
Ta
=
25°C
f
=
1MHz
I
C
=
0A
100
50
20
10
Ta=25°C
单身
不重复
脉冲
Pw
200
100
50
5
2
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
DC
=
1
Pw
s
0m
=
1
ms
00
20
10
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
0.2 0.5 1
2
5 10 20 50 100 200 500
发射极 - 基极电压： V
EB
(V)
集电极到发射极电压：
V
CE
(V)
图13发射器的输入电容
与发射极 - 基极电压
图14安全作业区
F(2SB1412)
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
2SB1412
高压开关
晶体管
描述
在UTC
2SB1412
是一个外延平面型PNP硅
晶体管。
1
PNP硅晶体管
特点
*优异的直流电流增益特性
*低V
CE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
= -0.35V （典型值）
(I
C
/I
B
= -4A/-0.1A)
TO-252
订购信息
订购数量
无铅
无卤
2SB1412L-x-TN3-R
2SB1412G-x-TN3-R
包
TO-252
引脚分配
1
2
3
B
C
E
填料
带盘
www.unisonic.com.tw
2009 Unisonic技术有限公司
1 5
QW-R209-021.B
2SB1412
参数
PNP硅晶体管
绝对最大额定值
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
符号
评级
单位
集电极 - 基极电压
V
CBO
-30
V
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
-20
V
发射极 - 基极电压
V
EBO
-6
V
集电极电流（DC）的
I
C
-5
A
集电极电流（脉冲），单脉冲， PW = 10毫秒
I
CP
-10
A
集电极耗散功率
P
D
1
W
集电极耗散功率（注2 ）
P
D
10(T
C
=25°C)
W
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-40 ~ +150
°C
注意1.Absolute最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.当安装在一个40 * 40 * 0.7毫米陶瓷板。
电气特性
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
符号
测试条件
集电极基极击穿电压
BV
CBO
I
C
= -50μA
集电极发射极击穿电压BV
首席执行官
I
C
= -1mA
发射极基极击穿电压
BV
EBO
I
E
= -50μA
集电极截止电流
I
CBO
V
CB
= -20V
发射极截止电流
I
EBO
V
EB
= -5V
直流电流传输比
h
FE
V
CE
= -2V ， IC = -0.5A
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
I
C
/I
B
= -4A/-0.1A
跃迁频率
f
T
V
CE
= -6V ，我
E
= 50 mA时， F = 30MHz的
输出电容
C
OB
V
CB
= -20V ，我
E
= 0 ， F = 1MHz的
民
-30
-20
-6
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
V
兆赫
pF
82
120
60
-0.5
-0.5
390
-1.0
分类h及
FE
秩
范围
P
82-180
Q
120-270
R
180-390
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2 5
QW-R209-021.B
2SB1412
典型特征
发射极接地传播
特征
-5
-4
PNP硅晶体管
-10
-5 V
CE
= -2V
集电极电流： IC （MA ）
-2
-1
-500m
-200m
-100m
-50m
-20m
-10m
-5m
-2m
-1m
0
接地发射极输出
特征
-50mA
-45mA
-30mA TA = 25 ℃
-25mA
-20mA
-15mA
-3
-10mA
-2
-35mA
-40mA
-5mA
Ta=25℃
TA = -25 ℃
集电极电流： IC （A）
Ta=100℃
-1
0
0
I
B
=0mA
-1.6
-2.0
-0.2 -0.4 -0.6 -0.8
-1.0 -1.2 -1.4
-0.4
-0.8
-1.2
基地发射极电压： V
BE
(V)
DC电流增益vs.Collector电流（ I）的
5k
2k
直流电流增益：
h
FE
1k
500
200
100
50
20
10
5
-1m-2m-5m
-0.01-0.02-0.05 -0.1-0.2
-0.5-1 -2 -5 -10
集电极电流： IC （A）
DC电流增益vs.Collector电流（ III）的
集电极饱和电压： V
CE
(
SAT
) ( V)
5k
2k
直流电流增益：
h
FE
1k
500
200
100
50
20
10
5
-1m-2m-5m
-0.01-0.02-0.05 -0.1-0.2
-0.5-1 -2 -5 -10
集电极电流： IC （A）
Ta=100℃
Vc
E
= -2V
-5
-2
-1
-0.5
-0.2
-0.1
-0.05
Vc
E
= -5V
Vc
E
= -2V
Vc
E
= -1V
Ta=25℃
直流电流增益：
h
FE
5k
2k
1k
500
200
100
50
20
10
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
直流电流增益vs.Collector
电流（II）的
Vc
E
= -1V
Ta=100℃
Ta=25℃
TA = -25 ℃
5
-1m-2m-5m
-0.01-0.02-0.05 -0.1-0.2
-0.5 -1 -2 -5 -10
集电极电流： IC （A）
集电极 - 发射极饱和电压
vs.Collector电流（ I）的
Ta=25℃
TA = -25 ℃
Ta=25℃
IC / I
B
=50/1
40/1
30/1
10/1
-0.02
-0.01
-0.2
-2m -5m
-0.01-0.02-0.05 -0.1
-0.5 -1 -2 -5 -10
集电极电流： IC （A）
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
3 5
QW-R209-021.B
2SB1412
典型特征（续）
集电极 - 发射极饱和电压
vs.Collector电流（ II）的
IC / I
B
=10
集电极饱和电压： V
CE
(
SAT
) ( V)
PNP硅晶体管
集电极饱和电压： V
CE
(
SAT
) ( V)
-5
-2
-1
-0.5
-0.2
-0.1
-0.05
-5
-2
-1
-0.5
-0.2
-0.1
-0.05
集电极 - 发射极饱和电压
vs.Collector电流（ III）的
IC / I
B
=30
Ta=100℃
Ta=25℃
Ta=100℃
Ta=25℃
TA = -25 ℃
-0.02
-0.01
-2m
-0.2
-5m
-0.01-0.02-0.05 -0.1
-0.5-1 -2 -5 -10
-0.02
-0.01
-2m -5m
TA = -25 ℃
-0.2
-0.01-0.02-0.05 -0.1
-0.5-1
-2 -5 -10
集电极电流： IC （A）
集电极 - 发射极饱和电压
vs.Collector电流（ IV）的
集电极饱和电压： V
CE
(
SAT
)
( V)
IC / I
B
=40
TA = -25 ℃
Ta=25℃
集电极电流： IC （A）
集电极 - 发射极饱和电压
vs.Collector电流（ V）的
IC / I
B
=50
TA = -25 ℃
Ta=25℃
Ta=100℃
集电极饱和电压： V
CE
(
SAT
) ( V)
-5
-2
-1
-0.5
-0.2
-0.1
-0.05
-5
-2
-1
-0.5
-0.2
-0.1
Ta=100℃
-0.05
-0.02
-0.01
-2m -5m
-0.2
-0.01-0.02-0.05 -0.1
-0.5-1
-2 -5 -10
集电极电流： IC （A）
-0.02
-0.01
-2m
-0.2
-5m
-0.01-0.02-0.05 -0.1
-0.5-1 -2 -5 -10
集电极电流： IC （A）
集电极输出电容：玉米棒（PF ）
1000
500
Transetion频率：FT （兆赫）
200
100
50
20
10
5
2
1
1
增益带宽产品vs.Emitter
当前
Ta=25℃
Vc
E
= -6V
1000
500
200
100
50
20
集电极输出电容
vs.collector - 基极电压
Ta=25℃
F = 1MHz的
I
E
=0A
2
5
50 100200 500 1000
发射极电流：我
E
（MA ）
10 20
10
-0.1 -0.2 -0.5 -1
-2
-5
-10 -20
-50
集电极基极电压： V
CB
(V)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
4 5
QW-R209-021.B
2SB1412
典型特征（续）
发射器输入电容vs.Emitter-
基极电压
Ta=25℃
f=1MHz
I
c
=0A
PNP硅晶体管
1000
发射器输入电容： CIB （PF ）
500
200
100
50
20
-0.1
-0.2
-0.5 -1
-2
-5 -10
发射极 - 基极电压： V
EB
(V)
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5
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