【2SB1403PNP硅三重扩散应用低频功率放大器概要TO-220FM211.基地2.收集3.辐射源3】,IC型号2SB1403,2SB1403 PDF资料,2SB1403经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SB1403

PNP硅三重扩散

应用

低频功率放大器

概要

TO-220FM

1.基地

2.收集

3.辐射源

3.0 k

（典型值）

180

（典型值）

2SB1403

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

集电极耗散功率

符号

CBO

首席执行官

EBO

C（峰值）

结温

储存温度

C至ê二极管的正向电流

注意：

1.价值在T

= 25°C.

TSTG

评级

–120

–7

–6

–12

150

-55到+150

单位

°C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

集电极基极击穿

电压

符号

（ BR ） CBO

民

–120

–7

—

1000

—

典型值

—

最大

—

–10

20000

–1.5

–3.0

–2.0

–3.5

3.0

单位

测试条件

= -0.1毫安，我

= 0

= -25毫安，R

∞

= -50毫安，我

= 0

= -100 V，I

= 0

= -100 V ，R

∞

= -3 V，I

= –3 A*

集电极到发射极击穿V

（ BR ） CEO

电压

发射器基极击穿

电压

收藏家Cuto FF电流

（ BR ） EBO

CBO

首席执行官

直流电流传输比

集电极到发射极饱和

电压

CE(sat)1

CE(sat)2

基地发射极饱和

电压

BE(sat)1

BE(sat)2

C至ê二极管的正向电压

注意：

1.脉冲测试。

= -3 A，I

= -6毫安*

= -6 A，I

= -60毫安*

= -3 A，I

= -6毫安*

= -6 A，I

= -60毫安*

= 6 A*

见切换2SB1106的特性曲线。

2SB1403

最大集电极耗散曲线

集电极耗散功率P

(W)

–20 i

C（峰值）

–10 I

C（最大值）

安全工作区

100

集电极电流I

(A)

–5

–2

–1.0

–0.5

–0.2

–0.1

–0.05

TA = 25°C

1次脉冲

0 m

离子（T

ERA

100

案例温度T

(°C)

150

–0.02

–3

–10

–30

–100

–300

集电极到发射极电压V

(V)

典型的输出特性

–10

直流电流传输比主场迎战

集电极电流

10000

直流电流传输比H

集电极电流I

(A)

–8

–5.0

–4.5

–4.0

–3.5

–3.0

–2.5

–2.0

–1.5

–1.0

3000

–6

1000

–2

–4

–2

-0.5毫安

300

= –3 V

= 0

–2

–3

–4

–5

–1

集电极到发射极电压V

(V)

100

–0.1

–3

–0.3

–1.0

集电极电流I

(A)

–10

2SB1403

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

基极至发射极sauration电压V

BE （ SAT ）

(V)

饱和电压与

集电极电流

–10

= 25°C

–3

BE （ SAT ）

–1.0

CE （ SAT ）

–0.3

500

= 200

200

–0.1

–0.3

–1.0

–3

集电极电流I

(A)

–10

瞬态热阻

热阻

J-

（ ° C / W）

= 25°C

1.0

0.3

0.1

10 m

100 m

1.0

时间t （S ）

100

1000

2SB1403

通告

当使用此文件时，请记住以下几点：

1.本文件可以全部或部分地，可以随时更改，恕不另行通知。

本文档的一部分，而不日立的许可。

3.日立公司将不负责对用户的任何损害，可能会导致事故或

根据该文件的用户的单元的操作过程中的任何其他原因。

4.电路和其它实施例在此描述是为了仅仅以指示特征和

日立的半导体产品的性能。日立公司不承担任何责任，不

知识产权权利要求书或其他问题可能会导致基于该实施例的应用程序

本文中所描述。

5.没有获发牌照以暗示或其他任何专利或任何第三方的其他权利

一方或日立

6.医疗应用：日立的产品不得用于医疗用途

应用程序，而日立的销售公司相应人员的书面同意。

这种使用包括，但不限于，生命维持系统中的使用。日立的产品购买者

请计划使用的产品用于医疗时，通知相关日立销售办事处

应用程序。

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

2SB1403

描述

·采用TO- 220Fa包

·高直流电流增益

·低集电极饱和电压

·达林顿

应用

·对于低频功率使用

扩增fi er应用

钉扎

针

BASE

集热器

辐射源

Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

)

符号

CBO

首席执行官

EBO

参数

集电极 - 基极电压

集电极发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

=25

集电极耗散功率

=25

英镑

结温

储存温度

150

-55~150

发射极开路

开基

集电极开路

条件

价值

-120

-7

-6

-12

单位

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

直流电流增益

二极管的正向电压

条件

= -25mA ;

= -100μA ;我

= -50mA ;我

= -3A ，我

=-6mA

= -6A ，我

=-60mA

= -3A ，我

=-6mA

= -6A ，我

=-60mA

= -100V ;我

= -100V ;

= -3A ; V

=-3V

=6A

1000

民

-120

-7

2SB1403

符号

（ BR ） CEO

（ BR ） CBO

（ BR ） EBO

CEsat-1

CEsat-2

BEsat-1

BEsat-2

CBO

首席执行官

典型值。

最大

单位

-1.5

-3.0

-2.0

-3.5

-10

20000

3.0

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2SB1403

图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

2SB1403

描述

·带

TO- 220Fa包

高

直流电流增益

ULOW

集电极饱和电压

·达林顿

应用

For

在低频功率使用

扩增fi er应用

钉扎

针

BASE

集热器

辐射源

Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

CBO

首席执行官

EBO

参数

集电极 - 基极电压

集电极发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

=25℃

集电极耗散功率

=25℃

英镑

结温

储存温度

150

-55~150

℃

发射极开路

开基

集电极开路

条件

价值

-120

-7

-6

-12

单位

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

（ BR ） CEO

（ BR ） CBO

（ BR ） EBO

CEsat-1

CEsat-2

BEsat-1

BEsat-2

CBO

首席执行官

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

直流电流增益

二极管的正向电压

条件

= -25mA ;

=∞

= -100μA ;我

= -50mA ;我

= -3A ，我

=-6mA

2SB1403

民

-120

-7

典型值。

最大

单位

-1.5

-3.0

-2.0

-3.5

-10

1000

20000

3.0

μA

= -6A ，我

=-60mA

= -3A ，我

=-6mA

= -6A ，我

=-60mA

= -100V ;我

= -100V ;

=∞

= -3A ; V

=-3V

=6A

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2SB1403

图2外形尺寸（ unindicated公差：

±0.15

mm)