【JMnic产品speci fi cation硅PNP功率晶体管描述·带TO- 3PFa包.Compl】,IC型号2SB1371,2SB1371 PDF资料,2SB1371经销商,ic,电子元器件-51电子网

JMnic

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

描述

·带

TO- 3PFa包

.Complement

键入2SD2064

高

跃迁频率

·满意

h的线性度

FE

应用

For

高功率放大

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器

辐射源

描述

2SB1371

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

T

C

=25℃

P

C

集电极耗散功率

T

a

=25℃

T

j

T

英镑

结温

储存温度

3

150

-55~150

℃

发射极开路

开基

集电极开路

条件

价值

-120

-5

-6

-10

70

W

单位

V

A

JMnic

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

CESAT

V

BE

I

CBO

I

EBO

h

FE-1

h

FE -2

h

FE -3

C

OB

f

T

参数

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压上

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

输出电容

跃迁频率

条件

I

C

= -4A ，我

B

=-0.4A

I

C

= -4A ; V

CE

=-5V

V

CB

= -120V ;我

E

=0

V

EB

= -3V ;我

C

=0

I

C

= -20mA ; V

CE

=-5V

I

C

= -1A ; V

CE

=-5V

I

C

= -4A ; V

CE

=-5V

I

E

=0 ; V

CB

=-10V;f=1.0MHz

I

C

= -0.5A ; V

CE

=-5V;f=1.0MHz

20

60

20

150

15

民

2SB1371

典型值。

最大

-2.0

-1.8

-50

单位

V

μA

200

pF

兆赫

h

FE-2

分类

Q

60-120

S

80-160

P

100-200

2

JMnic

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2SB1371

图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.30毫米）

3

JMnic

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

2SB1371

4

功率晶体管

2SB1371

PNP硅三重扩散平面型

对于高功率放大

补充2SD2064

单位：mm

q

16.2±0.5

12.5

3.5

浸焊

满意盼着电流传输比H

FE

与集电极电流

我租

C

特征

安全运行的广域（ ASO ）

高转换频率f

T

可与被安装在散热片的全包包

一颗螺丝

(T

C

=25C)

评级

–120

–5

–10

–6

70

3

150

-55到+150

单位

V

A

W

C

0.7

s

特点

15.0±0.3

11.0±0.2

5.0±0.2

3.2

21.0±0.5

15.0±0.2

φ3.2±0.1

2.0±0.2

2.0±0.1

1.1±0.1

5.45±0.3

10.9±0.5

1

2

3

0.6±0.2

s

绝对最大额定值

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

峰值集电极电流

集电极电流

集电极电流T

C

=25°C

耗散

Ta=25°C

结温

储存温度

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CP

I

C

P

C

T

j

T

英镑

1 ：基本

2 ：收藏家

3 ：发射器

TOP- 3全包套餐（一）

s

电气特性

参数

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

(T

C

=25C)

符号

I

CBO

I

EBO

h

FE1

h

FE2*

h

FE3

V

BE

V

CE （ SAT ）

f

T

C

ob

条件

V

CB

= -120V ，我

E

= 0

V

EB

= -3V ，我

C

= 0

V

CE

= -5V ，我

C

= -20mA

V

CE

= -5V ，我

C

= –1A

V

CE

= -5V ，我

C

= –4A

V

CE

= -5V ，我

C

= –4A

I

C

= -4A ，我

B

= – 0.4A

V

CE

= -5V ，我

C

= - 0.5A ， F = 1MHz的

V

CB

= -10V ，我

E

= 0中，f = 1MHz的

15

150

20

60

20

–1.8

–2.0

V

兆赫

pF

200

民

典型值

最大

–50

单位

A

正向电流传输比

基地发射极电压

集电极到发射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

*

h

FE2

等级分类

Q

60至120

S

80至160

P

100至200

秩

h

FE2

1

功率晶体管

P

C

- TA

80

2SB1371

I

C

— V

CE

–6

T

C

=25C

–5

–6

V

CE

=–5V

I

C

— V

BE

集电极耗散功率P

C

（ mW）的

70

60

50

集电极电流I

C

(A)

–4

–100mA

–80mA

集电极电流I

C

(A)

(1) T

C

= TA

（2）在一个100

×

100

×

2mm

铝散热器

（ 3 ）不带散热片

(P

C

=3W)

I

B

=–120mA

–4

T

C

=100C

–3

(1)

40

30

20

(2)

10

(3)

0

20

40

60

80 100 120 140 160

–3

–60mA

–40mA

–2

–30mA

–20mA

–2

–25C

–1

25C

–1

–10mA

0

–2

–4

–6

–8

–10

–12

0

–1

–2

–3

–4

环境温度Ta （C ）

集电极到发射极电压V

CE

(V)

基极至发射极电压V

BE

(V)

V

CE （ SAT ）

— I

C

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

–100

I

C

/I

B

=10

–30

–10

–3

–1

T

C

=100C

25C

–25C

1000

h

FE

— I

C

V

CE

=–5V

1000

f

T

— I

C

V

CE

=–5V

f=1MHz

T

C

=25C

正向电流传输比H

FE

300

T

C

=100C

–25C

30

25C

过渡频率f

T

（兆赫）

–1

–3

–10

300

100

30

– 0.3

– 0.1

– 0.03

10

3

– 0.01

– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3

–1

–3

–10

1

– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3

1

– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3

–1

–3

–10

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

C

ob

— V

CB

10000

安全操作区（ ASO ）

–100

I

E

=0

f=1MHz

T

C

=25C

–30

非重复脉冲

T

C

=25C

I

CP

I

C

–3

–1

t=10ms

100ms

DC

集电极输出电容C

ob

（PF ）

3000

集电极电流I

C

(A)

–3

–10

–30

–100

–10

1000

300

100

– 0.3

– 0.1

– 0.03

30

10

–1

– 0.01

–1

–3

–10

–30

–100 –300 –1000

集电极基极电压V

CB

(V)

集电极到发射极电压V

CE

(V)

2

功率晶体管

R

日（T ）

— t

10000

注释：R

th

测量在Ta = 25℃，在自然对流。

(1) P

T

=10V

×

0.3A （ 3W ）和不带散热片

(2) P

T

=10V

×

1.0A （ 10W ）中，用一个100

×

100

×

2毫米铝散热片

2SB1371

热阻R

th

（吨）（ C / W）

1000

100

(1)

10

(2)

1

0.1

10

–4

10

–3

10

–2

10

–1

1

10

2

10

3

10

4

时间t （S ）

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

描述

·带

TO- 3PFa包

.Complement

键入2SD2064

高

跃迁频率

·满意

h的线性度

FE

应用

For

高功率放大

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器

辐射源

描述

2SB1371

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

固电

导½

半

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极开路

的HAn

INC。

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

ES

G

开基

ND

ICO

EM

条件

OR

UCT

价值

-120

-5

-6

-10

单位

V

A

集电极开路

T

C

=25℃

P

C

集电极耗散功率

T

a

=25℃

T

j

T

英镑

结温

储存温度

70

W

3

150

-55~150

℃

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

CESAT

V

BE

I

CBO

I

EBO

h

FE-1

h

FE -2

h

FE -3

C

OB

f

T

参数

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压上

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

输出电容

条件

I

C

= -4A ，我

B

=-0.4A

I

C

= -4A ; V

CE

=-5V

V

CB

= -120V ;我

E

=0

V

EB

= -3V ;我

C

=0

I

C

= -20mA ; V

CE

=-5V

I

C

= -1A ; V

CE

=-5V

I

C

= -4A ; V

CE

=-5V

I

E

=0 ; V

CB

=-10V;f=1.0MHz

I

C

= -0.5A ; V

CE

=-5V;f=1.0MHz

20

60

20

150

民

2SB1371

典型值。

最大

-2.0

-1.8

-50

单位

V

μA

200

h

FE-2

分类

Q

60-120

S

固电

IN

跃迁频率

导½

半

P

100-200

pF

兆赫

80-160

ES

昂

CH

ICO

EM

OR

UCT

ND

15

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2SB1371

固电

IN

导½

半

ES

昂

CH

ND

ICO

EM

OR

UCT

图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.30毫米）

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

2SB1371

固电

IN

导½

半

ES

昂

CH

ND

ICO

EM

OR

UCT

4

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

描述

·采用TO- 3PFa包

·补键入2SD2064

·高转换频率

· h的线性满意

FE

应用

·对于高功率放大

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器

辐射源

描述

2SB1371

绝对最大额定值（Ta = 25

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

T

C

=25

P

C

集电极耗散功率

T

a

=25

T

j

T

英镑

结温

储存温度

3

150

-55~150

发射极开路

开基

集电极开路

条件

价值

-120

-5

-6

-10

70

W

单位

V

A

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压上

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

输出电容

跃迁频率

条件

I

C

= -4A ，我

B

=-0.4A

I

C

= -4A ; V

CE

=-5V

V

CB

= -120V ;我

E

=0

V

EB

= -3V ;我

C

=0

I

C

= -20mA ; V

CE

=-5V

I

C

= -1A ; V

CE

=-5V

I

C

= -4A ; V

CE

=-5V

I

E

=0 ; V

CB

=-10V;f=1.0MHz

I

C

= -0.5A ; V

CE

=-5V;f=1.0MHz

20

60

20

民

2SB1371

符号

V

CESAT

V

BE

I

CBO

I

EBO

h

FE-1

h

FE -2

h

FE -3

C

OB

f

T

典型值。

最大

-2.0

-1.8

-50

单位

V

A

200

150

15

pF

兆赫

h

FE-2

分类

Q

60-120

S

80-160

P

100-200

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2SB1371

图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.30毫米）

3

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

2SB1371

4

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

描述

·带

TO- 3PFa包

.Complement

键入2SD2064

高

跃迁频率

·满意

h的线性度

FE

应用

For

高功率放大

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器

辐射源

描述

2SB1371

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

T

C

=25℃

P

C

集电极耗散功率

T

a

=25℃

T

j

T

英镑

结温

储存温度

3

150

-55~150

℃

发射极开路

开基

集电极开路

条件

价值

-120

-5

-6

-10

70

W

单位

V

A

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

CESAT

V

BE

I

CBO

I

EBO

h

FE-1

h

FE -2

h

FE -3

C

OB

f

T

参数

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压上

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

输出电容

跃迁频率

条件

I

C

= -4A ，我

B

=-0.4A

I

C

= -4A ; V

CE

=-5V

V

CB

= -120V ;我

E

=0

V

EB

= -3V ;我

C

=0

I

C

= -20mA ; V

CE

=-5V

I

C

= -1A ; V

CE

=-5V

I

C

= -4A ; V

CE

=-5V

I

E

=0 ; V

CB

=-10V;f=1.0MHz

I

C

= -0.5A ; V

CE

=-5V;f=1.0MHz

20

60

20

150

15

民

2SB1371

典型值。

最大

-2.0

-1.8

-50

单位

V

μA

200

pF

兆赫

h

FE-2

分类

Q

60-120

S

80-160

P

100-200

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2SB1371

图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.30毫米）

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

2SB1371

4