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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1335
描述
·带
TO- 220Fa包
.Complement
键入2SD1855
ULOW
集电极饱和电压
应用
For
低频功率放大器
应用
钉扎
1
2
3
描述
辐射源
集热器
BASE
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-80
-60
-6
-4
30
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
条件
I
C
= -1mA ;我
B
=0
I
C
= -50μA ;我
E
=0
I
E
= -50μA ;我
C
=0
I
C
= -3A ,我
B
=-0.3A
I
C
= -3A ,我
B
=-0.3A
V
CB
= -80V ;我
E
=0
V
EB
= -6V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-5V
F = 1MHz的; V
CB
=-10V
60
-60
-80
-6
2SB1335
典型值。
最大
单位
V
V
V
-1.0
-1.5
-10
-10
320
12
100
V
V
μA
μA
兆赫
pF
h
FE
分类
D
60-120
E
100-200
F
160-320
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB1335
图2外形尺寸( unindicated公差:
±0.15
mm)
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1335
描述
·带
TO- 220Fa包
.Complement
键入2SD1855
ULOW
集电极饱和电压
应用
For
低频功率放大器
应用
钉扎
1
2
3
描述
辐射源
集热器
BASE
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
固电
IN
导½
集电极 - 基极电压
集电极发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
ES
CH
发射极开路
ND
ICO
EM
条件
OR
UCT
价值
-80
-60
-6
-4
单位
V
V
V
A
W
开基
集电极开路
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
30
150
-55~150
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= -1mA ;我
B
=0
I
C
= -50μA ;我
E
=0
I
E
= -50μA ;我
C
=0
I
C
= -3A ,我
B
=-0.3A
I
C
= -3A ,我
B
=-0.3A
V
CB
= -80V ;我
E
=0
V
EB
= -6V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-5V
60
-60
-80
-6
2SB1335
典型值。
最大
单位
V
V
V
-1.0
-1.5
-10
-10
320
12
V
V
μA
μA
固电
IN
E
跃迁频率
导½
F
集电极输出电容
h
FE
分类
D
60-120
ES
CH
160-320
ICO
EM
F = 1MHz的; V
CB
=-10V
OR
UCT
ND
100
兆赫
pF
100-200
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB1335
固电
IN
导½
ES
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸( unindicated公差:
±0.15
mm)
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1335
·
描述
·采用TO- 220Fa包
·补键入2SD1855
·低集电极饱和电压
应用
·对于低频功率放大器
应用
钉扎
1
2
3
描述
辐射源
集热器
BASE
绝对最大额定值(Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-80
-60
-6
-4
30
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
条件
I
C
= -1mA ;我
B
=0
I
C
= -50μA ;我
E
=0
I
E
= -50μA ;我
C
=0
I
C
= -3A ,我
B
=-0.3A
I
C
= -3A ,我
B
=-0.3A
V
CB
= -80V ;我
E
=0
V
EB
= -6V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-5V
F = 1MHz的; V
CB
=-10V
60
-60
-80
-6
2SB1335
符号
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
典型值。
最大
单位
V
V
V
-1.0
-1.5
-10
-10
320
12
100
V
V
A
A
兆赫
pF
h
FE
分类
D
60-120
E
100-200
F
160-320
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB1335
图2外形尺寸( unindicated公差: ±0.15 MM)
3
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    联系人:杨小姐
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联系人:李先生
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十年企业,诚信经营,原装量大价优
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地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
2SB1335
ROHM/罗姆
2410+
12590
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十年企业,诚信经营,原装量大价优
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