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SMD型

晶体管

PNP外延平面硅晶体管

2SB1324

特点

低饱和电压。

包含集电极和发射极之间的二极管。

包含集电极和发射极之间的偏压电阻。

大电流的能力。

小尺寸封装使其易于提供高密度，

小尺寸的混合集成电路。

电气连接

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流（脉冲）

集电极耗散

Jumction温度

储存温度

*安装在陶瓷板上（ 250毫米

X0.8mm)

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

-40

-30

-6

-3

-5

1.5

150

-55到+150

单位

www.kexin.com.cn

SMD型

2SB1324

电气特性TA = 25

参数

收藏家Cuto FF电流

直流电流增益

增益带宽积

输出电容

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

开态电压基极 - 发射

二极管的正向电压

基极 - 发射极电阻

符号

CBO

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

Testconditons

= 30V ，我

= 0

= -2V ，我

= -0.5A

= -2V ，我

= -2A

= -2V ，我

= -0.5A

= -10V ， F = 1MHz的

= -2A ，我

= -100mA

= -2V ，我

= -1A

-40

-30

民

晶体管

典型值

最大

-1

单位

ìA

100

-0.25

-0.6

-1.5

兆赫

1.5

（ BR ） CBO

= -10ìA ，我

= 0

（ BR ） CEO

= -10ìA ，R

（ BR ） CEO

= -10mA ，R

=0.5A

0.8

记号

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晶体管

产品speci fi cation

2SB1324

特点

低饱和电压。

包含集电极和发射极之间的二极管。

包含集电极和发射极之间的偏压电阻。

大电流的能力。

小尺寸封装使其易于提供高密度，

小尺寸的混合集成电路。

电气连接

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流（脉冲）

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http://www.twtysemi.com

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4008-318-123

10F中2

SMD型

晶体管

产品speci fi cation

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电气特性TA = 25

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直流电流增益

增益带宽积

输出电容

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

开态电压基极 - 发射

二极管的正向电压

基极 - 发射极电阻

符号

CBO

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

Testconditons

= 30V ，我

= 0

= -2V ，我

= -0.5A

= -2V ，我

= -2A

= -2V ，我

= -0.5A

= -10V ， F = 1MHz的

= -2A ，我

= -100mA

= -2V ，我

= -1A

-40

-30

1.5

0.8

100

-0.25

-0.6

-1.5

兆赫

民

典型值

最大

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= -10ìA ，R

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