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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第408页 > 2SB1321A
晶体管
2SB1321A
PNP硅外延平面型
单位：mm
对于一般的放大
补充2SD1992A
I
特点
大集电极耗散功率P
C
（ 600毫瓦）
让供应与径向编带
0.45
0.05
+0.1
6.9±0.1
0.15
0.7
4.0
1.05 2.5±0.1
(1.45)
±0.05
0.8
0.65最大。
1.0
I
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
60
50
7
1
500
600
150
55
to
+150
单位
V
V
V
A
mA
mW
°C
°C
1
2
3
0.45
0.05
2.5±0.5
2.5±0.5
+0.1
注）除
所示引线型
上图，
如示出的类型
在下图中
也可用。
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
MT1类型封装
1.2±0.1
0.65
马克斯。
0.45
+
0.1
0.05
2.5±0.1
（ HW型）
I
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
收藏家Cuto FF电流
符号
I
CBO
I
首席执行官
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
*1
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE1 * 2
h
FE2
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
注）* 1 ：脉冲测量
* 2 ：等级分类
秩
h
FE1
Q
85至170
R
120至240
S
170至340
无秩
85至340
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
条件
V
CB
= 20
V，I
E
=
0
V
CE
= 20
V，I
B
=
0
I
C
= 10 A,
I
E
=
0
I
C
= 2
妈，我
B
=
0
I
E
= 10 A,
I
C
=
0
V
CE
= 10
V，I
C
= 10
mA
V
CE
= 10
V，I
C
= 500
mA
I
C
= 300
妈，我
B
= 30
mA
V
CB
= 10
V，I
E
=
10毫安，女
=
200兆赫
V
CB
= 10
V，I
E
= 0,
f
=
1兆赫
60
50
7
85
40
0.35
200
6
15
0.6
V
兆赫
pF
340
民
典型值
最大
0.1
1
单位
A
A
V
V
V
无等级的产品不分类网络版，并没有任何迹象的排名。
14.5±0.5
0.85
3.5±0.1
0.8
1
2SB1321A
P
C
T
a
800
晶体管
I
C
V
CE
1
200
T
a
=
25°C
800
700
I
C
I
B
V
CE
= 10
V
T
a
=
25°C
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
700
600
500
400
300
200
100
0
1
000
集电极电流I
C
（MA ）
800
I
B
= 10
mA
9
mA
8
mA
7
mA
6
mA
5
mA
4
mA
3
mA
2
mA
1
mA
600
400
200
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
集电极电流
I
C
（MA ）
600
500
400
300
200
100
0
0
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
环境温度T
a
(
°C
)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极电流I
B
（MA ）
V
CE （ SAT ）
I
C
集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
(V)
基地发射极饱和电压
V
BE （ SAT ）
(V)
100
30
10
3
1
T
a
=
75°C
25°C
25°C
I
C
/
I
B
=
10
100
30
10
3
25°C
1
V
BE （ SAT ）
I
C
I
C
/
I
B
=
10
h
FE
I
C
600
V
CE
= 10
V
正向电流传输比H
FE
500
400
T
a
= 25°C
75°C
300
T
a
=
75°C
200
25°C
25°C
0.3
0.1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
0.03
0.01
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
100
0
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
f
T
I
E
240
220
24
C
ob
V
CB
集电极到发射极电压V
CER
(V)
集电极输出电容C
ob
（PF ）
V
CB
= 10
V
T
a
=
25°C
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
I
E
=
0
f
=
1兆赫
T
a
=
25°C
V
CER
R
BE
120
I
C
= 2
mA
T
a
=
25°C
过渡频率f
T
（兆赫）
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
1
2
3
5
10
20 30 50
100
100
80
60
40
20
0
1
2 3 5
10
2030 50 100
0
1
3
10
30
100
300
1 000
发射极电流I
E
（MA ）
集电极基极电压V
CB
(V)
基极 - 射极电阻R
BE
(k)
2
晶体管
I
首席执行官
T
a
10
4
V
CE
= 10
V
2SB1321A
10
3
I
首席执行官
(T
a
)
I
首席执行官
(T
a
=
25°C)
10
2
10
1
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
环境温度T
a
(
°C
)
3
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2N4115
23L8100-12
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2082-6040-03
2911-05-30I
250WA22M16X16
2N4237
230500
2474R-43L
201126B
2214-100D
2N2897
2322-594-4616
22-12-4162
2SD1637
23L3211-12
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