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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
2SB1294
描述
高
集电极电流::我
C
= -5A
ULOW
集电极饱和电压
: V
CE （ SAT ）
= -1.0V(Max)@I
C
= -3A
ùWide
安全工作区
.Complement
到类型2SD1897
应用
·设计
低频功率放大器的应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
-100
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
-100
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
-5
V
I
C
集电极电流连续
-5
A
I
CM
集电极电流峰值
总功耗
@ T
C
=25℃
-10
A
P
C
30
W
T
J
结温
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
OB
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
输出电容
电流增益带宽积
条件
I
C
= -1mA ;我
B
= 0
B
2SB1294
民
-100
-100
-5
典型值。
最大
单位
V
V
V
I
C
= -50μA ;我
E
= 0
I
E
= -50μA ;我
C
= 0
I
C
= -3A ;我
B
= -0.3A
B
-1.0
-1.5
-10
-10
60
120
12
320
V
V
μA
μA
I
C
= -3A ;我
B
= -0.3A
B
V
CB
= -100V ;我
E
= 0
V
EB
= -4V ;我
C
= 0
I
C
= -1A ; V
CE
= -5V
I
E
=0; V
CB
= -10V ; F = 1MHz的
I
E
= 0.5A ; V
CE
= -5V
pF
兆赫
h
FE
分类
D
60-120
E
100-200
F
160-320
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
2SB1294
描述
高
集电极电流::我
C
= -5A
ULOW
集电极饱和电压
: V
CE （ SAT ）
= -1.0V(Max)@I
C
= -3A
ùWide
安全工作区
.Complement
到类型2SD1897
应用
·设计
低频功率放大器的应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
发射极 - 基极电压
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
单位
-100
V
-100
V
-5
V
-5
A
-10
A
30
W
I
C
集电极电流连续
I
CM
集电极电流峰值
总功耗
@ T
C
=25℃
P
C
T
J
结温
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
OB
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
条件
I
C
= -1mA ;我
B
= 0
B
2SB1294
民
-100
-100
-5
典型值。
最大
单位
V
V
V
I
C
= -50μA ;我
E
= 0
I
E
= -50μA ;我
C
= 0
I
C
= -3A ;我
B
= -0.3A
B
-1.0
-1.5
-10
-10
320
120
12
V
V
μA
μA
I
C
= -3A ;我
B
= -0.3A
B
输出电容
电流增益带宽积
h
FE
分类
D
60-120
E
100-200
w
F
.CN
i
em
cs
。是
w
w
V
EB
= -4V ;我
C
= 0
I
C
= -1A ; V
CE
= -5V
60
I
E
=0; V
CB
= -10V ; F = 1MHz的
I
E
= 0.5A ; V
CE
= -5V
V
CB
= -100V ;我
E
= 0
pF
兆赫
160-320
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
这种材料版权归其各自的制造商
这种材料版权归其各自的制造商
这种材料版权归其各自的制造商
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1294
描述
·采用TO- 220Fa包
·低集电极饱和电压
·补键入2SD1897
·宽ASO
应用
·对于低频功率放大器使用
应用程序，电源驱动器和DC-DC
转换器
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
-100
-100
-5
-5
-10
30
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= -1mA ;我
B
=0
I
C
= -50μA ;我
E
=0
I
E
= -50μA ;我
C
=0
I
C
= -3A ，我
B
=-0.3A
I
C
= -3A ，我
B
=-0.3A
V
CB
= -100V ;我
E
=0
V
EB
= -4V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
E
= -0.5A ; V
CE
=-5V
I
E
=0 ; V
CB
=-10V;f=1MHz
60
民
-100
-100
-5
2SB1294
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
典型值。
最大
单位
V
V
V
-1.0
-1.5
-10
-10
320
12
120
V
V
A
A
兆赫
pF
h
FE
分类
D
60-120
E
100-200
F
160-320
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB1294
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
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推荐型号
2-1445057-6
2120A4
27LV64-30/TS
22-28-4220
295T320R253C31
232266197012
22-28-6273
24C02C/P
2SB736A
2036-42-B
23306.3
2322401
2520DN103K10
2890R-36K
2SB1028EM
2SD882-R
2SD882R
2816
290-009S24
2771E
供货商
型号
厂家
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封装
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    2SB1294
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