2SB1260 / 2SB1181 / 2SB1241
晶体管
功率晶体管（ -80V ，
1A)
2SB1260 / 2SB1181 / 2SB1241
特点
1）海特击穿电压和高电流。
BV
首席执行官
=
80V,
I
C
=
1A
2 ）良好的
FE
linearty 。
3 ）低V
CE （ SAT ）
.
4 ）补充了2SD1898 / 2SD1863 /
2SD1733.
外形尺寸
（单位：毫米）
2SB1260
4.5
+0.2
0.1
1.6±0.1
2SB1181
1.5
±
0.3
0.5±0.1
6.5
±
0.2
5.1
+
0.2
0.1
C0.5
2.3
+
0.2
0.1
0.5
±
0.1
9.5
±
0.5
1.5
+0.2
0.1
0.3
5.5
+
0.1
0.9
4.0
±0.3
2.5
+0.2
0.1
1.5
0.75
(1)
(2)
(3)
0.4±0.1
1.5±0.1
0.4
+0.1
0.05
0.65
±
0.1
0.9
1.0±0.2
0.55
±
0.1
2.3
±
0.2
2.3
±
0.2
1.0
±
0.2
0.4±0.1
1.5±0.1
0.5±0.1
3.0±0.2
(1) (2) (3)
结构
外延平面型
PNP硅晶体管
ROHM ： MPT3
EIAJ ：SC- 62
简短的
符号： BE
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
ROHM ： CPT3
EIAJ ： SC- 63
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
2SB1241
6.8±0.2
2.5±0.2
0.65Max.
1.0
0.5±0.1
(1)
(2)
(3)
2.54 2.54
1.05
0.45±0.1
14.5±0.5
4.4±0.2
0.9
ROHM ： ATV
（1 ）发光体
（ 2 ）集电极
（3 ）基
指H
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
2SB1260
集电极电源
耗散
2SB1241 ， 2SB1181
2SB1181
结温
储存温度
Tj
TSTG
P
C
FE
范围
80
80
5
1
2
0.5
2
1
10
150
55
150
2
3
1
单位
V
V
V
A（ DC ）
A（脉冲）
W
W（ =锝25
°C
)
°C
°C
1
2SB1260 ： PW = 20ms的占空比= 1 /
2SB1241 ：单脉冲， PW = 100毫秒
2 2SB1260 ：当安装在一个40
×
40
×
0.7毫米陶瓷板。
3 2SB1241 ：
印刷电路板， 1.7毫米厚，收藏家镀铜100毫米
2
或更大。
REV.C
2.5
1/3
2SB1260 / 2SB1181 / 2SB1241
晶体管
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
2SB1260 ， 2SB1181
2SB1241
跃迁频率2SB1181
输出电容
2SB1260
2SB1181 ， 2SB1241
f
T
COB
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
分钟。
80
80
5
82
120
典型值。
100
20
25
马克斯。
1
1
0.4
390
390
单位
V
V
V
I
C
= 50
A
I
C
= -1mA
I
E
= 50
A
V
CB
= 60V
V
EB
= 4V
I
C
/I
B
= -500mA / -50mA
V
CE
= 3V,
I
C
= 0.1A
V
CE
= 10V,
I
E
=50mA,
f=100MHz
V
CB
= 10V
I
E
=0A
f=1MHz
条件
A
A
V
兆赫
pF
pF
包装规格和h
FE
包
CODE
TYPE
TAPING
TL
2500
TV2
2500
T100
h
FE
PQR
QR
PQR
基本订购
单位（件）
1000
2SB1260
2SB1241
2SB1181
h
FE
值被分类如下：
项
h
FE
P
82至180
Q
120至270
R
180 390
电气特性曲线
1000
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
(A)
Ta
=
25°C
V
CE
= 5V
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Ta=25°C
4.5mA
4mA
3.5mA
3mA
2.5mA
2mA
1.5mA
1mA
1000
500
直流电流增益：H
FE
Ta=25°C
100
200
100
50
V
CE
= 3V
1V
10
1
0.1
0
0.2 0.4
0.6
0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
基地发射极电压： V
BE
(V)
0.5mA
I
B
=0mA
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
20
10
1 2
5 10 20
50 100 200 500 1000 2000
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
集电极电流：我
C
（MA ）
Fig.1
发射极接地传播
特征
Fig.2
接地发射极输出
特征
Fig.3
直流电流增益主场迎战
集电极电流
REV.C
2/3
2SB1260 / 2SB1181 / 2SB1241
晶体管
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
跃迁频率：F
T
（兆赫）
Ta=25°C
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10 20
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
2000
集电极电流：我
C
（MA ）
Ta
=
25°C
V
CE
= 5V
集电极输出电容：玉米棒
（PF ）
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.1
-0.2
0.5
-1
2
5 10 20
50 100
Ta
=
25
°C
f
=
1MHz
I
E
=
0A
I
C
/I
B
=20
10
50 100 200
500 1000
发射极电流：我
E
（MA ）
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
Fig.4
集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
Fig.5
增益带宽积
与发射极电流
Fig.6
集电极输出电容
与集电极 - 基极电压
发射极输入电容： CIB
（PF ）
1000
500
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
Ta
=
25°C
f
=
1MHz
I
C
=
0A
10
I
C（最大值）
（脉冲）
I
C（最大值）
.
Ta=25°C
*单
不重复
脉冲
10
5
2
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
I
C（最大值）
（脉冲）
P
W
1
DC
Ta=25°C
单身
不重复
脉冲
0
=
1
=
1
P
W
0
=
1
P
W
200
100
50
P
W
0.1
s
m
0m
s
ms
=
1
00
s
0m
DC
0.01
20
10
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
印刷电路板：
0.001
0.1
1
10
100
2m
2
1m
镀铜至少1厘米。
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100200 5001000
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
1.7毫米厚收藏家
发射极 - 基极电压： V
EB
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图。 7
发射极输入电容
与发射极 - 基极电压
图8安全工作区
(2SB1260)
Fig.9
安全工作区
(2SB1241)
5
集电极电流：我
C
(A)
2
1
Ta=25°C
单身
不重复
脉冲
=
1
P
W
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.1 0.2 0.5 1
2
5 10 20
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图10安全工作区
(2SB1181)
00
ms
50 100
REV.C
3/3
附录
笔记
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任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
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（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
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交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
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关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
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