功率晶体管（ -80V ，
1A)
2SB1260 / 2SB1181
■特点
1）海特击穿电压和高电流。
BV
首席执行官
=
80V,
I
C
=
1A
2 ）良好的
FE
linearty 。
3 ）低V
CE （ SAT ）
.
4 ）补充了2SD1898 / 2SD1733 。
尺寸
（单位：毫米）
2SB1260
4.5
+0.2
1.6±0.1
1.5±
2SB1181
1.5
±
0.3
6.5
±
0.2
5.1
+
0.2
C0.5
2.3
+
0.2
0.5
±
0.1
0.5±0.1
5.5
+
0.3
4.0
±0.3
2.5
+0.2
0.75
(1)
(2)
(3)
0.4±0.1
1.5±0.1
0.4
+0.1
0.65
±
0.1
0.9
1.0±0.2
0.55
±
0.1
2.3
±
0.2
2.3
±
0.2
1.0
±
0.2
Structure
外延平面型
PNP硅晶体管
0.4±0.1
1.5±0.1
0.5±0.1
3.0±0.2
(1) (2) (3)
ROHM ： MPT3
EIAJ ：SC- 62
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
ROHM ： CPT3
EIAJ ： SC- 63
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
“绝对
最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
2SB1260
集电极电源
耗散
2SB1181
2SB1181
结温
储存温度
Tj
TSTG
P
C
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
范围
80
80
5
1
2
0.5
2
1
10
150
55
+150
W（ =锝25
°C
)
2
1
单位
V
V
V
A（ DC ）
A（脉冲）
W
°C
°C
1
2
2SB1260 ： PW = 20ms的占空比= 1 /
2SB1260 ：当安装在一个40
×
40
×
0.7毫米陶瓷板。
ⅵELECTRICAL
特征
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率2SB1181
输出电容
2SB1260
2SB1181
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
80
80
5
120
典型值。
100
20
25
马克斯。
1
1
0.4
390
单位
V
V
V
I
C
= 50μ
A
I
C
= -1mA
I
E
= 50μ
A
V
CB
= 60V
V
EB
= 4V
I
C
/I
B
= -500mA / -50mA
V
CE
= 3V,
I
C
= 0.1A
V
CE
= 10V,
I
E
=50mA,
f=100MHz
V
CB
= 10V
I
E
=0A
f=1MHz
条件
μ
A
μ
A
V
兆赫
pF
pF
www.rohm.com
c
○
2012 ROHM有限公司保留所有权利。
1/2
2012.01 - Rev.G
2.5
9.5
±
0.5
0.9
1.5
2SB1260 / 2SB1181
Packaging
规格和h
FE
数据表
包
CODE
TYPE
2SB1260
2SB1181
h
FE
QR
QR
基本订购
单位（件）
TL
TAPING
T100
1000
2500
h
FE
值被分类如下：
项
h
FE
Q
120至270
R
180 390
ⅵELECTRICAL
特性曲线
1000
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
(A)
Ta
=
25°C
V
CE
= 5V
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
Ta=25°C
4.5mA
4mA
3.5mA
3mA
2.5mA
2mA
1.5mA
1mA
0.5mA
I
B
=0mA
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
1000
500
Ta=25°C
100
直流电流增益：H
FE
200
100
50
V
CE
= 3V
1V
10
1
20
10
1 2
0.1
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
基地发射极电压： V
BE
(V)
5 10 20
50 100 200 500 1000 2000
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
集电极电流：我
C
（MA ）
Fig.1
发射极接地传播
特征
Fig.2
接地发射极输出
特征
Fig.3
直流电流增益主场迎战
集电极电流
跃迁频率：F
T
（兆赫）
Ta=25°C
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
2000
集电极电流：我
C
（MA ）
I
C
/I
B
=20
10
500
200
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10 20
Ta
=
25°C
V
CE
= 5V
集电极输出电容：玉米棒
（PF ）
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
1000
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.1
-0.2
0.5
-1
2
5 10 20
50 100
Ta
=
25
°C
f
=
1MHz
I
E
=
0A
50 100 200
500 1000
发射极电流：我
E
（MA ）
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
Fig.4
集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
Fig.5
增益带宽积
与发射极电流
Fig.6
集电极输出电容
与集电极 - 基极电压
www.rohm.com
c
○
2012 ROHM有限公司保留所有权利。
2/2
2012.01 - Rev.G
通告
笔记
没有拷贝或复制该文件的部分或全部，则允许不
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这里所指定的内容是用于引入ROHM的产品的目的（在下文中
"Products" ） 。如果你希望使用任何此类产品，请务必参阅规格，
这可以从ROHM要求获得。
的应用电路，电路常数和任何其它信息的例子在此包含
示出了产品的标准用法和操作。外围条件必须
在设计用于大规模生产的电路时，必须考虑到。
时非常谨慎，以确保本文档中指定的信息的准确性。
但是，如果你承担从这种不准确或印刷错误而引起的任何损害
信息， ROHM ，应当承担此类损害概不负责。
本文中规定的技术信息仅是为了表明的典型功能和
为产品应用电路的例子。 ROHM不授予你，或明或
隐，任何许可使用或行使知识产权或由Rohm and持有的其他权益
其他各方。 ROHM应当承担不承担任何责任从产生的任何纠纷
使用这样的技术信息。
本文档中指定的产品意图被与使用一般使用的电子
设备或装置（诸如视听设备，办公自动化设备， commu-
讯设备，电子电器，娱乐设备） 。
本文档中指定的产品没有设计成抗辐射。
而ROHM一直努力提高其产品的质量和可靠性，一
产品可能会失败或因各种原因发生故障。
请务必在使用该产品的安全性措施来保护你的设备来实现
对人身伤害，火灾或其它任何损害引起的事件的可能性
任何产品的故障，如降级，冗余，消防和故障安全设计。 ROHM
不承担任何责任不对您使用的任何产品的规定外
范围或者没有按照使用说明书。
该产品并非设计或制造任何设备，设备使用，或
系统，该系统要求的可靠性非常高的水平的故障或失灵，其中
可能会导致直接威胁到人的生命或创建人伤害的危险（如医疗
仪表，交通运输设备，航空器械，核反应器，燃
控制器或其他安全装置） 。 ROHM应承担以任何方式使用任何不承担责任
的产品适用于上述特殊用途。如果一个产品打算用于任何
这种特殊用途，请购买前联系ROHM销售代表。
如果您打算出口或海外的船舶的任何产品或技术在此指定的可
根据外汇及对外贸易法来控制，你会被要求
获得许可或根据法律允许。
感谢您的访问，以ROHM的产品信息。
更详细的产品信息和目录都可以，请与我们联系。
ROHM的客户支持系统
http://www.rohm.com/contact/
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2012 ROHM有限公司保留所有权利。
R1120A
2SB1260
公司Bauelemente
-1 ， -80 V
PNP塑料封装晶体管
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
特点
高击穿电压和高电流BV
首席执行官
= -80V ，我
C
=-1A
好
FE
线性
补充到2SD1898
A
E
SOT-89
4
1
B C
3
E
C
2
包装信息
重量0.05克（约）
集热器
B
F
G
H
J
REF 。
毫米
分钟。
马克斯。
4.40
4.60
3.94
4.25
1.40
1.60
2.30
2.60
1.50
1.70
0.89
1.20
D
K
L
REF 。
G
H
J
K
L
毫米
分钟。
马克斯。
0.40
0.58
1.50 TYP
3.00 （典型值）
0.32
0.52
0.35
0.44
24
记号
ZL
1
BASE
3
辐射源
A
B
C
D
E
F
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结&储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
, T
英镑
评级
-80
-80
-5
-1
0.5
150, -55~150
单位
V
V
V
A
W
°C
PNP电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
OB
分钟。
-80
-80
-5
-
-
82
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
100
25
马克斯。
-
-
-
-1
-1
390
-0.4
-
-
单位
V
V
V
μA
μA
V
兆赫
pF
测试条件
I
C
= -50μA ，我
E
=0
I
C
= -1mA ，我
B
=0
I
E
= -50μA ，我
C
=0
V
CB
= -60V ，我
E
=0
V
EB
= -4 V，I
C
=0
V
CE
= -3V ，我
C
= -100mA
I
C
= -500mA ，我
B
= -50mA
V
CE
= -5V ，我
C
= -50mA ， F = 30MHz的
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
中hFE2分类
秩
范围
Q
82 - 180
R
120 - 270
S
180 - 390
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
01月7日至2007年A版
第1页2
2SB1260
公司Bauelemente
-1 ， -80 V
PNP塑料封装晶体管
特性曲线
-1000
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
TA = 25℃
V
CE
=-5V
-1.0
TA = 25℃
-0.45mA
1000
500
直流电流增益：H
FE
TA = 25℃
-100
-0.8
-0.6
-0.4mA
-0.35mA
-0.3mA
-0.25mA
-0.2mA
-0.15mA
-0.1mA
200
100
50
V
CE
=-3V
-1V
-10
-0.4
-0.2
-1
-0.1
0
-0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2 -1.4 -1.6
基地发射极电压： V
BE
(V)
-0.05mA
I
B
=0mA
0
0 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2 -1.4 -1.6 -1.8 -2.0
20
10
-1 -2
-5 -10 -20 -50-100 -200-500-1000-2000
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
集电极电流：我
C
（MA ）
图1发射极接地传播
特征
Fig.2
接地发射极输出
特征
Fig.3
直流电流增益主场迎战
集电极电流
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
跃迁频率：F
T
（兆赫）
TA = 25℃
-2
-1
-0.5
-0.2
-0.1
-0.05
-0.02
-0.01
-1 -2
-5 -10 -20 -50-100-200-500-1000-2000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10 20
TA = 25℃
V
CE
=-5V
集电极输出电容：玉米棒（
pF的）
1000
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
-0.1 -0.2
-0.5 -1
-2
-5 -10 -20
-50 -100
TA = 25℃
f=1MHz
I
E
=0A
I
C
/I
B
=20
10
50 100 200 500 1000
集电极电流：我
C
（MA ）
发射极电流：我
E
（MA ）
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
Fig.4
集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
Fig.5
增益带宽积主场迎战
发射极电流
Fig.6
集电极输出电容
与集电极 - 基极电压
发射极输入电容： CIB
（PF ）
1000
500
集电极电流：我
C
(A)
TA = 25℃
f=1MHz
I
C
=0A
-2
I
C（最大值）
。 （脉冲）
-1 I
C（最大值）
.
-0.5
TA = 25℃
单身
不重复
脉冲
*
P
W
200
100
50
=1
0m
s
=1
P
W
DC
s
m
00
-0.2
-0.1
-0.05
-0.5
-1
-2
20
10
-0.1 -0.2
-0.5
-1
-2
-5
-10
-5
-10
-20
-50 -100
发射极 - 基极电压： V
EB
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图。 7发射器的输入电容
与发射极 - 基极电压
图。 8安全工作区
(2SB1260)
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
01月7日至2007年A版
第2页2
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
2SB1260
功率晶体管
描述
在UTC
2SB1260
是一种外延平面型PNP硅
晶体管。
PNP硅晶体管
特点
*高击穿电压和高电流。
*
BV
首席执行官
= -80V ，我
C
= -1A
*良好的
FE
线性度。
*低V
CE （ SAT ）
无铅：
2SB1260L
无卤： 2SB1260G
订购信息
正常
2SB1260-x-AB3-R
2SB1260-x-TN3-R
订购数量
无铅
2SB1260L-x-AB3-R
2SB1260L-x-TN3-R
无卤
2SB1260G-x-AB3-R
2SB1260G-x-TN3-R
包
SOT-89
TO-252
引脚分配
1
2
3
B
C
E
B
C
E
填料
带盘
带盘
www.unisonic.com.tw
2008 Unisonic技术有限公司
1 4
QW-R208-017,E
2SB1260
ABSOLUATE最大信号额定值
（ TA = 25℃ ）
参数
集电极基极电压
集电极发射极电压
发射极基极电压连续
峰值集电极电流
(
单脉冲， PW = 100毫秒）
DC集电极电流
功耗
SOT-89
TO-252
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
D
PNP硅晶体管
评级
-80
-80
-5
-2
-1
0.5
1.9
+150
-40 ~ +150
单位
V
V
V
A
A
W
W
℃
℃
结温
T
J
储存温度
T
英镑
注意事项1.印刷电路板， 1.7毫米厚，收藏家镀铜百毫米
2
或更大。
2.绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气特性
（ TA = 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
符号
集电极基极击穿电压
BV
CBO
集电极发射极击穿电压
BV
首席执行官
发射极基极击穿电压
BV
EBO
集电极截止电流
I
CBO
发射极截止电流
I
EBO
直流电流增益（注1 ）
h
FE
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
跃迁频率
f
T
输出电容
COB
注1 ：脉冲测试：P
W
<300μs ，职务Cycle<2 ％
测试条件
I
C
= -50μA
I
C
= -1mA
I
E
= -50μA
V
CB
=-60V
V
EB
=-4V
V
CE
= -3V ，我
OUT
=-0.1A
I
C
= -500mA ，我
B
=-50mA
V
CE
= -5V ，我
E
= 50mA时F = 30MHz的
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
民
-80
-80
-5
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
V
兆赫
pF
82
100
25
-1
-1
390
-0.4
分类h及
FE
秩
范围
P
82 ~ 180
Q
120 ~ 270
R
180 ~ 390
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2 4
QW-R208-017,E
■
2SB1260
过渡频率f
T
（兆赫）
直流电流增益，H
FE
集电极电流IC （MA ）
典型特性的影响
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
集电极饱和电压，V
CE （ SAT ）
( V)
集电极电流IC （MA ）
www.unisonic.com.tw
集电极输出电容，COB （PF ）
PNP硅晶体管
QW-R208-017,E
3 4
2SB1260
典型特性的影响（续）
PNP硅晶体管
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
4 4
QW-R208-017,E
功率晶体管（ -80V ，
1A)
2SB1260 / 2SB1181 / 2SB1241
■特点
1）海特击穿电压和高电流。
BV
首席执行官
= 80V ，我
C
=
1A
2 ）良好的
FE
linearty 。
3 ）低V
CE （ SAT ）
.
补充2SD1898 / 2SD1863 / 2SD1733 。
尺寸
（单位：毫米）
2SB1260
4.5
+0.2
1.6±0.1
1.5±
2SB1181
1.5
±
0.3
0.5±0.1
6.5
±
0.2
5.1
+
0.2
2.3
+
0.2
C0.5
0.5
±
0.1
9.5
±
0.5
5.5
+
0.3
0.9
4.0
±0.3
2.5
+0.2
1.5
0.75
(1)
(2)
(3)
0.4±0.1
1.5±0.1
0.4
+0.1
0.65
±
0.1
0.9
1.0±0.2
0.55
±
0.1
2.3
±
0.2
2.3
±
0.2
1.0
±
0.2
Structure
外延平面型
PNP硅晶体管
0.4±0.1
1.5±0.1
0.5±0.1
3.0±0.2
(1) (2) (3)
ROHM ： MPT3
EIAJ ：SC- 62
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
ROHM ： CPT3
EIAJ ： SC- 63
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
2SB1241
6.8±0.2
2.5±0.2
0.65Max.
1.0
0.5±0.1
(1)
(2)
(3)
2.54 2.54
1.05
0.45±0.1
14.5±0.5
4.4±0.2
0.9
ROHM ： ATV
（1 ）发光体
（ 2 ）集电极
（3 ）基
“绝对
最大额定值
(Ta=25C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
2SB1260
集电极电源
耗散
2SB1241 ， 2SB1181
2SB1181
结温
储存温度
Tj
TSTG
P
C
范围
80
80
5
1
2
0.5
2
1
10
150
55
+150
2
3
1
单位
V
V
V
A（ DC ）
A（脉冲）
W
W（ =锝25
°C
)
°C
°C
1
2SB1260 ： PW = 20ms的占空比= 1 /
2SB1241 ：单脉冲， PW = 100毫秒
2 2SB1260 ：当安装在一个40
×
40
×
0.7毫米陶瓷板。
3 2SB1241 ：
印刷电路板， 1.7毫米厚，收藏家镀铜100毫米
2
或更大。
www.rohm.com
c
○
2011 ROHM有限公司保留所有权利。
1/2
2011.05 - Rev.F
2.5
2SB1260 / 2SB1181 / 2SB1241
ⅵELECTRICAL
特征
(Ta=25C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
2SB1260 ， 2SB1181
2SB1241
跃迁频率2SB1181
输出电容
2SB1260
2SB1181 ， 2SB1241
f
T
COB
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
分钟。
80
80
5
120
120
典型值。
100
20
25
马克斯。
1
1
0.4
390
390
单位
V
V
V
I
C
= 50μ
A
I
C
= -1mA
I
E
= 50μ
A
V
CB
= 60V
V
EB
= 4V
I
C
/I
B
= -500mA / -50mA
V
CE
= 3V,
I
C
= 0.1A
V
CE
= 10V,
I
E
=50mA,
f=100MHz
V
CB
= 10V
I
E
=0A
f=1MHz
条件
数据表
μ
A
μ
A
V
兆赫
pF
pF
Packaging
规格和h
FE
包
CODE
TYPE
2SB1260
2SB1241
2SB1181
h
FE
QR
QR
QR
基本订购
单位（件）
TL
2500
TAPING
TV2
2500
T100
1000
h
FE
值被分类如下：
项
h
FE
Q
120至270
R
180 390
ⅵELECTRICAL
特性曲线
500
4.5mA
5.0mA
4.0mA
3.5mA
1000
3.0mA
400
Ta=25
℃
V
CE
=-5V
1000
Ta=25
℃
集电极电流：我
C
[马]
集电极电流：我
C
[马]
2.5mA
2.0mA
100
直流电流增益：H
FE
V
CE
=-3V
300
1.5mA
200
1.0mA
100
Ta=25
℃
脉冲
0
0.5
1
1.5
2
I
B
=0.5mA
10
100
V
CE
=-1V
1
0
0.1
0.2
10
0.4
0.6
0.8
基地发射极电压： V
BE
[V]
1
1
10
100
集电极电流：我
C
[马]
1000
COLLECOR - 发射极电压： V
CE
[V]
图1地面发射极输出特性
图2发射极接地传播
特征
图3直流电流增益V集电极电流
Ta=25
℃
集电极饱和电压：
V
CE （ SAT ）
[V]
跃迁频率：F
T
[兆赫]
Ta=25
℃
V
CE
=-5V
集电极输出电容：玉米棒（PF ）
发射极输入电容： CIB （PF ）
1
1000
1000
Ta=25
℃
f=1MHz
I
E
=0A
I
C
=0A
兴业银行
0.1
I
C
/I
B
=20
10
100
100
COB
0.01
1
10
100
集电极电流：我
C
[马]
1000
10
1
10
100
发射极电流：我
E
[马]
1000
10
0.1
1
10
100
图4集电极 - 发射极饱和
电压V的集电极电流
图5过渡Frewuency νs的
发射极电流
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
发射极 - 基极电压： V
EB
(V)
图6发射器输入电容V秒。发射极 - 基极电压
集电极输出电容V秒。集电极 - 基
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c
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2011 ROHM有限公司保留所有权利。
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2011.05 - Rev.F
通告
笔记
没有拷贝或复制该文件的部分或全部，则允许不
ROHM有限公司的同意。
此规定的内容如有变更，恕不另行通知。
这里所指定的内容是用于引入ROHM的产品的目的（在下文中
"Products" ） 。如果你希望使用任何此类产品，请务必参阅规格，
这可以从ROHM要求获得。
的应用电路，电路常数和任何其它信息的例子在此包含
示出了产品的标准用法和操作。外围条件必须
在设计用于大规模生产的电路时，必须考虑到。
时非常谨慎，以确保本文档中指定的信息的准确性。
但是，如果你承担从这种不准确或印刷错误而引起的任何损害
信息， ROHM ，应当承担此类损害概不负责。
本文中规定的技术信息仅是为了表明的典型功能和
为产品应用电路的例子。 ROHM不授予你，或明或
隐，任何许可使用或行使知识产权或由Rohm and持有的其他权益
其他各方。 ROHM应当承担不承担任何责任从产生的任何纠纷
使用这样的技术信息。
本文档中指定的产品意图被与使用一般使用的电子
设备或装置（诸如视听设备，办公自动化设备， commu-
讯设备，电子电器，娱乐设备） 。
本文档中指定的产品没有设计成抗辐射。
而ROHM一直努力提高其产品的质量和可靠性，一
产品可能会失败或因各种原因发生故障。
请务必在使用该产品的安全性措施来保护你的设备来实现
对人身伤害，火灾或其它任何损害引起的事件的可能性
任何产品的故障，如降级，冗余，消防和故障安全设计。 ROHM
不承担任何责任不对您使用的任何产品的规定外
范围或者没有按照使用说明书。
该产品并非设计或制造任何设备，设备使用，或
系统，该系统要求的可靠性非常高的水平的故障或失灵，其中
可能会导致直接威胁到人的生命或创建人伤害的危险（如医疗
仪表，交通运输设备，航空器械，核反应器，燃
控制器或其他安全装置） 。 ROHM应承担以任何方式使用任何不承担责任
的产品适用于上述特殊用途。如果一个产品打算用于任何
这种特殊用途，请购买前联系ROHM销售代表。
如果您打算出口或海外的船舶的任何产品或技术在此指定的可
根据外汇及对外贸易法来控制，你会被要求
获得许可或根据法律允许。
感谢您的访问，以ROHM的产品信息。
更详细的产品信息和目录都可以，请与我们联系。
ROHM的客户支持系统
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2011 ROHM有限公司保留所有权利。
R1120A
功率晶体管（ -80V ，
1A)
2SB1260 / 2SB1181 / 2SB1241
■特点
1）海特击穿电压和高电流。
BV
首席执行官
= 80V ，我
C
=
1A
2 ）良好的
FE
linearty 。
3 ）低V
CE （ SAT ）
.
补充2SD1898 / 2SD1863 / 2SD1733 。
尺寸
（单位：毫米）
2SB1260
4.5
+0.2
0.1
1.6±0.1
2SB1181
1.5
±
0.3
6.5
±
0.2
5.1
+
0.2
0.1
C0.5
2.3
+
0.2
0.1
0.5
±
0.1
0.5±0.1
1.5
+0.2
0.1
0.3
5.5
+
0.1
4.0
±0.3
2.5
+0.2
0.1
0.75
(1)
(2)
(3)
0.4±0.1
1.5±0.1
0.4
+0.1
0.05
0.65
±
0.1
0.9
1.0±0.2
0.55
±
0.1
2.3
±
0.2
2.3
±
0.2
1.0
±
0.2
Structure
外延平面型
PNP硅晶体管
0.4±0.1
1.5±0.1
0.5±0.1
3.0±0.2
(1) (2) (3)
ROHM ： MPT3
EIAJ ：SC- 62
简短的
符号： BE
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
ROHM ： CPT3
EIAJ ： SC- 63
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
2SB1241
6.8±0.2
2.5±0.2
0.65Max.
1.0
0.5±0.1
(1)
(2)
(3)
2.54 2.54
1.05
0.45±0.1
14.5±0.5
4.4±0.2
0.9
ROHM ： ATV
（1 ）发光体
（ 2 ）集电极
（3 ）基
指H
“绝对
最大额定值
(Ta=25C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
2SB1260
集电极电源
耗散
2SB1241 ， 2SB1181
2SB1181
结温
储存温度
Tj
TSTG
P
C
范围
80
80
5
1
2
0.5
2
1
10
150
55
150
2
3
1
FE
单位
V
V
V
A（ DC ）
A（脉冲）
W
W（ =锝25
°C
)
°C
°C
1
2SB1260 ： PW = 20ms的占空比= 1 /
2SB1241 ：单脉冲， PW = 100毫秒
2 2SB1260 ：当安装在一个40
×
40
×
0.7毫米陶瓷板。
3 2SB1241 ：
印刷电路板， 1.7毫米厚，收藏家镀铜100毫米
2
或更大。
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c
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2009.12 - Rev.E
2.5
9.5
±
0.5
0.9
1.5
2SB1260 / 2SB1181 / 2SB1241
ⅵELECTRICAL
特征
(Ta=25C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
2SB1260 ， 2SB1181
2SB1241
跃迁频率2SB1181
输出电容
2SB1260
2SB1181 ， 2SB1241
f
T
COB
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
分钟。
80
80
5
120
120
典型值。
100
20
25
马克斯。
1
1
0.4
390
390
单位
V
V
V
I
C
= 50μ
A
I
C
= -1mA
I
E
= 50μ
A
V
CB
= 60V
V
EB
= 4V
I
C
/I
B
= -500mA / -50mA
V
CE
= 3V,
I
C
= 0.1A
V
CE
= 10V,
I
E
=50mA,
f=100MHz
V
CB
= 10V
I
E
=0A
f=1MHz
条件
数据表
μ
A
μ
A
V
兆赫
pF
pF
Packaging
规格和h
FE
包
CODE
TYPE
2SB1260
2SB1241
2SB1181
h
FE
QR
QR
QR
基本订购
单位（件）
TL
2500
TAPING
TV2
2500
T100
1000
h
FE
值被分类如下：
项
h
FE
Q
120至270
R
180 390
ⅵELECTRICAL
特性曲线
500
4.5mA
5.0mA
4.0mA
3.5mA
3.0mA
400
1000
集电极电流：我
C
[马]
Ta=25
℃
V
CE
=-5V
1000
Ta=25
℃
集电极电流：我
C
[马]
2.5mA
2.0mA
1.5mA
100
直流电流增益：H
FE
V
CE
=-3V
300
10
100
V
CE
=-1V
200
1.0mA
100
Ta=25
℃
脉冲
0
0.5
1
1.5
2
I
B
=0.5mA
1
0
0.1
0.2
10
0.4
0.6
0.8
基地发射极电压： V
BE
[V]
1
1
10
100
集电极电流：我
C
[马]
1000
COLLECOR - 发射极电压： V
CE
[V]
图1地面发射极输出特性
图2发射极接地传播
特征
图3直流电流增益V集电极电流
Ta=25
℃
集电极饱和电压：
V
CE （ SAT ）
[V]
跃迁频率：F
T
[兆赫]
Ta=25
℃
V
CE
=-5V
集电极输出电容：玉米棒（PF ）
发射极输入电容： CIB （PF ）
1
1000
1000
Ta=25
℃
f=1MHz
I
E
=0A
I
C
=0A
兴业银行
0.1
I
C
/I
B
=20
10
100
100
COB
0.01
1
10
100
1000
集电极电流：我
C
[马]
10
1
10
100
1000
发射极电流：我
E
[马]
10
0.1
1
10
100
图4集电极 - 发射极饱和
电压V的集电极电流
图5过渡Frewuency νs的
发射极电流
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
发射极 - 基极电压： V
EB
(V)
图6发射器输入电容V秒。发射极 - 基极电压
集电极输出电容V秒。集电极 - 基
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○
2009年ROHM有限公司保留所有权利。
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2009.12 - Rev.E
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笔记
没有拷贝或复制该文件的部分或全部，则允许不
ROHM有限公司的同意。
此规定的内容如有变更，恕不另行通知。
这里所指定的内容是用于引入ROHM的产品的目的（在下文中
"Products" ） 。如果你希望使用任何此类产品，请务必参阅规格，
这可以从ROHM要求获得。
的应用电路，电路常数和任何其它信息的例子在此包含
示出了产品的标准用法和操作。外围条件必须
在设计用于大规模生产的电路时，必须考虑到。
时非常谨慎，以确保本文档中指定的信息的准确性。
但是，如果你承担从这种不准确或印刷错误而引起的任何损害
信息， ROHM ，应当承担此类损害概不负责。
本文中规定的技术信息仅是为了表明的典型功能和
为产品应用电路的例子。 ROHM不授予你，或明或
隐，任何许可使用或行使知识产权或由Rohm and持有的其他权益
其他各方。 ROHM应当承担不承担任何责任从产生的任何纠纷
使用这样的技术信息。
本文档中指定的产品意图被与使用一般使用的电子
设备或装置（诸如视听设备，办公自动化设备， commu-
讯设备，电子电器，娱乐设备） 。
本文档中指定的产品没有设计成抗辐射。
而ROHM一直努力提高其产品的质量和可靠性，一
产品可能会失败或因各种原因发生故障。
请务必在使用该产品的安全性措施来保护你的设备来实现
对人身伤害，火灾或其它任何损害引起的事件的可能性
任何产品的故障，如降级，冗余，消防和故障安全设计。 ROHM
不承担任何责任不对您使用的任何产品的规定外
范围或者没有按照使用说明书。
该产品并非设计或制造任何设备，设备使用，或
系统，该系统要求的可靠性非常高的水平的故障或失灵，其中
可能会导致直接威胁到人的生命或创建人伤害的危险（如医疗
仪表，交通运输设备，航空器械，核反应器，
燃料控制器或其他安全装置） 。 ROHM应承担的任何方式使用任何责任
任何产品的上述特殊用途。如果一个产品打算用于任何
这种特殊用途，请购买前联系ROHM销售代表。
如果您打算出口或海外的船舶的任何产品或技术在此指定的可
根据外汇及对外贸易法来控制，你会被要求
获得许可或根据法律允许。
感谢您的访问，以ROHM的产品信息。
更详细的产品信息和目录都可以，请与我们联系。
ROHM的客户支持系统
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2009 ROHM有限公司保留所有权利。
R0039A
2SB1260 / 2SB1181 / 2SB1241
晶体管
功率晶体管（ -80V ，
1A)
2SB1260 / 2SB1181 / 2SB1241
特点
1）海特击穿电压和高电流。
BV
首席执行官
=
80V,
I
C
=
1A
2 ）良好的
FE
linearty 。
3 ）低V
CE （ SAT ）
.
4 ）补充了2SD1898 / 2SD1863 /
2SD1733.
外形尺寸
（单位：毫米）
2SB1260
4.5
+0.2
0.1
1.6±0.1
2SB1181
1.5
±
0.3
0.5±0.1
6.5
±
0.2
5.1
+
0.2
0.1
C0.5
2.3
+
0.2
0.1
0.5
±
0.1
9.5
±
0.5
1.5
+0.2
0.1
0.3
5.5
+
0.1
0.9
4.0
±0.3
2.5
+0.2
0.1
1.5
0.75
(1)
(2)
(3)
0.4±0.1
1.5±0.1
0.4
+0.1
0.05
0.65
±
0.1
0.9
1.0±0.2
0.55
±
0.1
2.3
±
0.2
2.3
±
0.2
1.0
±
0.2
0.4±0.1
1.5±0.1
0.5±0.1
3.0±0.2
(1) (2) (3)
结构
外延平面型
PNP硅晶体管
ROHM ： MPT3
EIAJ ：SC- 62
简短的
符号： BE
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
ROHM ： CPT3
EIAJ ： SC- 63
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
2SB1241
6.8±0.2
2.5±0.2
0.65Max.
1.0
0.5±0.1
(1)
(2)
(3)
2.54 2.54
1.05
0.45±0.1
14.5±0.5
4.4±0.2
0.9
ROHM ： ATV
（1 ）发光体
（ 2 ）集电极
（3 ）基
指H
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
2SB1260
集电极电源
耗散
2SB1241 ， 2SB1181
2SB1181
结温
储存温度
Tj
TSTG
P
C
FE
范围
80
80
5
1
2
0.5
2
1
10
150
55
150
2
3
1
单位
V
V
V
A（ DC ）
A（脉冲）
W
W（ =锝25
°C
)
°C
°C
1
2SB1260 ： PW = 20ms的占空比= 1 /
2SB1241 ：单脉冲， PW = 100毫秒
2 2SB1260 ：当安装在一个40
×
40
×
0.7毫米陶瓷板。
3 2SB1241 ：
印刷电路板， 1.7毫米厚，收藏家镀铜100毫米
2
或更大。
REV.C
2.5
1/3
2SB1260 / 2SB1181 / 2SB1241
晶体管
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
2SB1260 ， 2SB1181
2SB1241
跃迁频率2SB1181
输出电容
2SB1260
2SB1181 ， 2SB1241
f
T
COB
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
分钟。
80
80
5
82
120
典型值。
100
20
25
马克斯。
1
1
0.4
390
390
单位
V
V
V
I
C
= 50
A
I
C
= -1mA
I
E
= 50
A
V
CB
= 60V
V
EB
= 4V
I
C
/I
B
= -500mA / -50mA
V
CE
= 3V,
I
C
= 0.1A
V
CE
= 10V,
I
E
=50mA,
f=100MHz
V
CB
= 10V
I
E
=0A
f=1MHz
条件
A
A
V
兆赫
pF
pF
包装规格和h
FE
包
CODE
TYPE
TAPING
TL
2500
TV2
2500
T100
h
FE
PQR
QR
PQR
基本订购
单位（件）
1000
2SB1260
2SB1241
2SB1181
h
FE
值被分类如下：
项
h
FE
P
82至180
Q
120至270
R
180 390
电气特性曲线
1000
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
(A)
Ta
=
25°C
V
CE
= 5V
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Ta=25°C
4.5mA
4mA
3.5mA
3mA
2.5mA
2mA
1.5mA
1mA
1000
500
直流电流增益：H
FE
Ta=25°C
100
200
100
50
V
CE
= 3V
1V
10
1
0.1
0
0.2 0.4
0.6
0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
基地发射极电压： V
BE
(V)
0.5mA
I
B
=0mA
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
20
10
1 2
5 10 20
50 100 200 500 1000 2000
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
集电极电流：我
C
（MA ）
Fig.1
发射极接地传播
特征
Fig.2
接地发射极输出
特征
Fig.3
直流电流增益主场迎战
集电极电流
REV.C
2/3
2SB1260 / 2SB1181 / 2SB1241
晶体管
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
跃迁频率：F
T
（兆赫）
Ta=25°C
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10 20
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
2000
集电极电流：我
C
（MA ）
Ta
=
25°C
V
CE
= 5V
集电极输出电容：玉米棒
（PF ）
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.1
-0.2
0.5
-1
2
5 10 20
50 100
Ta
=
25
°C
f
=
1MHz
I
E
=
0A
I
C
/I
B
=20
10
50 100 200
500 1000
发射极电流：我
E
（MA ）
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
Fig.4
集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
Fig.5
增益带宽积
与发射极电流
Fig.6
集电极输出电容
与集电极 - 基极电压
发射极输入电容： CIB
（PF ）
1000
500
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
Ta
=
25°C
f
=
1MHz
I
C
=
0A
10
I
C（最大值）
（脉冲）
I
C（最大值）
.
Ta=25°C
*单
不重复
脉冲
10
5
2
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
I
C（最大值）
（脉冲）
P
W
1
DC
Ta=25°C
单身
不重复
脉冲
0
=
1
=
1
P
W
0
=
1
P
W
200
100
50
P
W
0.1
s
m
0m
s
ms
=
1
00
s
0m
DC
0.01
20
10
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
印刷电路板：
0.001
0.1
1
10
100
2m
2
1m
镀铜至少1厘米。
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100200 5001000
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
1.7毫米厚收藏家
发射极 - 基极电压： V
EB
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图。 7
发射极输入电容
与发射极 - 基极电压
图8安全工作区
(2SB1260)
Fig.9
安全工作区
(2SB1241)
5
集电极电流：我
C
(A)
2
1
Ta=25°C
单身
不重复
脉冲
=
1
P
W
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.1 0.2 0.5 1
2
5 10 20
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图10安全工作区
(2SB1181)
00
ms
50 100
REV.C
3/3
附录
笔记
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本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
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该规范将单独提供。
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在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
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凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
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本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
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关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
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