【INCHANGE半导体产品speci fi cation硅PNP功率晶体管描述·带TO- 3PN封装】,IC型号2SB1230,2SB1230 PDF资料,2SB1230经销商,ic,电子元器件-51电子网

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INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

描述

·带

TO- 3PN封装

ùWide

安全工作区

.Complement

键入2SD1840

ULOW

集电极饱和电压

应用

Motor

驱动器，继电器驱动器，转换器

和其它普通的高电流开关

应用

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器;连接到

安装底座

辐射源

描述

2SB1230

绝对最大额定值（ TC = 25

℃

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

固电

IN

导½

半

参数

Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

ES

昂

CH

发射极开路

ND

ICO

EM

条件

OR

UCT

价值

-110

-100

-6

-15

-25

-5

单位

V

V

V

A

A

A

开基

集电极开路

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流 - 峰值

基极电流

T

a

=25℃

3.0

W

100

150

-55~150

℃

℃

P

C

集电极耗散功率

T

C

=25℃

T

j

T

英镑

结温

储存温度

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

条件

民

典型值。

2SB1230

最大

单位

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

=-5mA;R

BE

=∞

-100

V

V

（ BR ） CBO

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= -1mA ;我

E

=0

-110

V

V

（ BR ） EBO

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= -1mA ;我

C

=0

-6

V

V

CESAT

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= -6A ;我

B

=-0.6A

-0.8

V

V

BE坐

基射极饱和电压

I

C

= -6A ;我

B

=-0.6A

-1.5

V

μA

I

CBO

集电极截止电流

V

CB

= -100V ;我

E

=0

-100

I

EBO

发射极截止电流

h

FE-1

h

FE-2

固电

IN

直流电流增益

导½

半

Q

V

EB

= -5V ;我

C

=0

-100

μA

I

C

= -1.5A ; V

CE

=-2V

50

直流电流增益

I

C

= -6A ; V

CE

=-2V

h

FE-1

分类

P

50-100

ES

昂

CH

70-140

ND

ICO

EM

20

OR

UCT

140

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2SB1230

固电

IN

导½

半

ES

昂

CH

ND

ICO

EM

OR

UCT

图2外形尺寸

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

描述

·带

TO- 3PN封装

ùWide

安全工作区

.Complement

键入2SD1840

ULOW

集电极饱和电压

应用

Motor

驱动器，继电器驱动器，转换器

和其它普通的高电流开关

应用

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器;连接到

安装底座

辐射源

描述

2SB1230

Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号

绝对最大额定值（ TC = 25

℃

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流 - 峰值

基极电流

T

a

=25℃

P

C

集电极耗散功率

T

C

=25℃

T

j

T

英镑

结温

储存温度

100

150

-55~150

℃

℃

发射极开路

开基

集电极开路

条件

价值

-110

-100

-6

-15

-25

-5

3.0

W

单位

V

V

V

A

A

A

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

条件

民

典型值。

2SB1230

最大

单位

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

=-5mA;R

BE

=∞

-100

V

V

（ BR ） CBO

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= -1mA ;我

E

=0

-110

V

V

（ BR ） EBO

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= -1mA ;我

C

=0

-6

V

V

CESAT

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= -6A ;我

B

=-0.6A

-0.8

V

V

BE坐

基射极饱和电压

I

C

= -6A ;我

B

=-0.6A

-1.5

V

μA

I

CBO

集电极截止电流

V

CB

= -100V ;我

E

=0

-100

I

EBO

发射极截止电流

V

EB

= -5V ;我

C

=0

-100

μA

h

FE-1

直流电流增益

I

C

= -1.5A ; V

CE

=-2V

50

140

h

FE-2

直流电流增益

I

C

= -6A ; V

CE

=-2V

20

h

FE-1

分类

P

50-100

Q

70-140

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2SB1230

图2外形尺寸

3

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

描述

·采用TO- 3PN封装

·安全运行的广域

·补键入2SD1840

·低集电极饱和电压

应用

·电机驱动器，继电器驱动器，转换器

和其它普通的高电流开关

应用

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器;连接到

安装底座

辐射源

描述

2SB1230

Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号

绝对最大额定值（ TC = 25 ）

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流 - 峰值

基极电流

T

a

=25

P

C

集电极耗散功率

T

C

=25

T

j

T

英镑

结温

储存温度

100

150

-55~150

发射极开路

开基

集电极开路

条件

价值

-110

-100

-6

-15

-25

-5

3.0

W

单位

V

V

V

A

A

A

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

条件

I

C

=-5mA;R

BE

？＆ LT ;

I

C

= -1mA ;我

E

=0

I

E

= -1mA ;我

C

=0

I

C

= -6A ;我

B

=-0.6A

I

C

= -6A ;我

B

=-0.6A

V

CB

= -100V ;我

E

=0

V

EB

= -5V ;我

C

=0

I

C

= -1.5A ; V

CE

=-2V

I

C

= -6A ; V

CE

=-2V

50

20

民

-100

-110

-6

2SB1230

符号

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

V

CESAT

V

BE坐

I

CBO

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

典型值。

最大

单位

V

V

V

-0.8

-1.5

-100

-100

140

V

V

A

A

h

FE-1

分类

P

50-100

Q

70-140

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2SB1230

图2外形尺寸

3

JMnic

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

描述

·带

TO- 3PN封装

ùWide

安全工作区

.Complement

键入2SD1840

ULOW

集电极饱和电压

应用

Motor

驱动器，继电器驱动器，转换器

和其它普通的高电流开关

应用

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器;连接到

安装底座

辐射源

描述

2SB1230

Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号

绝对最大额定值（ TC = 25

℃

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流 - 峰值

基极电流

T

a

=25℃

P

C

集电极耗散功率

T

C

=25℃

T

j

T

英镑

结温

储存温度

100

150

-55~150

℃

℃

发射极开路

开基

集电极开路

条件

价值

-110

-100

-6

-15

-25

-5

3.0

W

单位

V

V

V

A

A

A

JMnic

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

条件

民

典型值。

2SB1230

最大

单位

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

=-5mA;R

BE

=∞

-100

V

V

（ BR ） CBO

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= -1mA ;我

E

=0

-110

V

V

（ BR ） EBO

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= -1mA ;我

C

=0

-6

V

V

CESAT

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= -6A ;我

B

=-0.6A

-0.8

V

V

BE坐

基射极饱和电压

I

C

= -6A ;我

B

=-0.6A

-1.5

V

μA

I

CBO

集电极截止电流

V

CB

= -100V ;我

E

=0

-100

I

EBO

发射极截止电流

V

EB

= -5V ;我

C

=0

-100

μA

h

FE-1

直流电流增益

I

C

= -1.5A ; V

CE

=-2V

50

140

h

FE-2

直流电流增益

I

C

= -6A ; V

CE

=-2V

20

h

FE-1

分类

P

50-100

Q

70-140

2

JMnic

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2SB1230

图2外形尺寸

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联系人：夏小姐/朱先生

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