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JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1228
描述
·带
TO- 220F封装
.Complement
键入2SD1830
高
直流电流增益。
●大
电流容量和广泛的ASO 。
ULOW
饱和电压。
·达林顿
应用
适用
在电机驱动控制使用，
打印机锤驱动器，继电器驱动器，并
恒定电压稳压器。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
T
C
=25℃
P
C
集电极耗散
2
T
j
T
英镑
结温
储存温度
150
-55~150
℃
℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-110
-100
-6
-8
-12
20
W
单位
V
V
V
A
A
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SB1228
最大
单位
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= -5mA ;我
E
=0
-110
V
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -50mA ;
BE
=∞
-100
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -4A ;我
B
=-8mA
-1.0
-1.5
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= -4A ;我
B
=-8mA
-2.0
V
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
=-80V;I
E
=0
-0.1
mA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
=-5V;I
C
=0
-3.0
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= -4A ; V
CE
=-3V
1500
4000
f
T
跃迁频率
I
C
= -4A ; V
CE
=-5V
20
兆赫
开关时间
μs
t
on
开启时间
I
C
=500I
B1
=-500I
B2
=-4A
V
CC
= -50V ，R
L
=12.5Ω
0.7
t
英镑
贮存时间
1.4
μs
t
f
下降时间
1.5
μs
2
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB1228
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1228
描述
·带
TO- 220F封装
.Complement
键入2SD1830
高
直流电流增益。
●大
电流容量和广泛的ASO 。
ULOW
饱和电压。
·达林顿
应用
适用
在电机驱动控制使用，
打印机锤驱动器，继电器驱动器，并
恒定电压稳压器。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
T
C
=25℃
P
C
集电极耗散
2
T
j
T
英镑
结温
储存温度
150
-55~150
℃
℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-110
-100
-6
-8
-12
20
W
单位
V
V
V
A
A
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SB1228
最大
单位
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= -5mA ;我
E
=0
-110
V
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -50mA ;
BE
=∞
-100
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -4A ;我
B
=-8mA
-1.0
-1.5
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= -4A ;我
B
=-8mA
-2.0
V
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
=-80V;I
E
=0
-0.1
mA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
=-5V;I
C
=0
-3.0
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= -4A ; V
CE
=-3V
1500
4000
f
T
跃迁频率
I
C
= -4A ; V
CE
=-5V
20
兆赫
开关时间
μs
t
on
开启时间
I
C
=500I
B1
=-500I
B2
=-4A
V
CC
= -50V ，R
L
=12.5Ω
0.7
t
英镑
贮存时间
1.4
μs
t
f
下降时间
1.5
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB1228
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1228
描述
·采用TO- 220F封装
.Complement
键入2SD1830
·高直流电流增益。
·大电流容量，广ASO 。
·低饱和电压。
·达林顿
应用
·适用于电机驱动控制使用，
打印机锤驱动器，继电器驱动器，并
恒定电压稳压器。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
T
C
=25
P
C
集电极耗散
2
T
j
T
英镑
结温
储存温度
150
-55~150
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-110
-100
-6
-8
-12
20
W
单位
V
V
V
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= -5mA ;我
E
=0
I
C
= -50mA ;
BE
＆ GT ;
I
C
= -4A ;我
B
=-8mA
I
C
= -4A ;我
B
=-8mA
V
CB
=-80V;I
E
=0
V
EB
=-5V;I
C
=0
I
C
= -4A ; V
CE
=-3V
I
C
= -4A ; V
CE
=-5V
1500
民
-110
-100
2SB1228
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
典型值。
最大
单位
V
V
-1.0
-1.5
-2.0
-0.1
-3.0
V
V
mA
mA
4000
20
兆赫
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=500I
B1
=-500I
B2
=-4A
V
CC
= -50V ，R
L
=12.5D
0.7
1.4
1.5
s
s
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB1228
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1223
描述
·带
TO- 220F封装
.Complement
键入2SD1825
高
直流电流增益。
●大
电流容量和广泛的ASO 。
·达林顿
应用
适用
在电机驱动控制使用，
打印机锤驱动器，并且恒定电压
监管机构。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
描述
固电
辐射源
导½
半
参数
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
IN
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
条件
OR
UCT
价值
-70
-60
-6
-4
-6
单位
V
V
V
A
A
发射极开路
开基
集电极开路
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
T
C
=25℃
P
C
集电极耗散
T
a
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
20
W
2
150
-55~150
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SB1223
最大
单位
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= -5mA ;我
E
=0
-70
V
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -50mA ;
BE
=∞
-60
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -2A ;我
B
=-4mA
-1.0
-1.5
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= -2A ;我
B
=-4mA
-2.0
V
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
=-40V;I
E
=0
-0.1
mA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
=-5V;I
C
=0
-3.0
mA
h
FE
直流电流增益
f
T
开关时间
固电
IN
跃迁频率
导½
半
I
C
= -2A ; V
CE
=-2V
2000
5000
I
C
= -2A ; V
CE
=-5V
t
on
开启时间
t
英镑
贮存时间
ES
昂
CH
ICO
EM
OR
UCT
ND
20
0.5
1.4
兆赫
μs
I
C
=500I
B1
=-500I
B2
=-2A
V
CC
= -20V ，R
L
=10Ω
μs
t
f
下降时间
1.2
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB1223
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸
3
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2SB1332R
2SK758
28C04AT-15I/P
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2SA891
2SC1472K
2SK2039
22-28-2369
2SD1273
296XA252A3C
2-FF-32-TT
2sa1365
2032-6350-00
22-02-3203
2020-6627-20
2359
2SK3695-01
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    2SB1228
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2SB1228
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TO-220F
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ROHM
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原装现货上海库存！专营进口元件
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全新原装正品/质量有保证
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