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首字符2的型号第135页
> 2SB1218
SMD型
PNP硅外延平面型
2SB1218
晶体管
IC
特点
高正向电流传输比H
FE
.
1辐射源
2基地
3收藏家
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
-45
-45
-7
-200
-100
150
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
首席执行官
h
FE
Testconditons
I
C
= -10 IA ，我
E
= 0
I
C
= -2毫安，我
B
= 0
I
E
= -10 IA ，我
C
= 0
V
CB
= -20 V，I
E
= 0
V
CE
= -10 V，I
B
= 0
V
CE
= -10 V，I
C
= -2毫安
160
-0.3
80
2.7
民
-45
-45
-7
-0.1
-100
460
-0.5
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
ìA
V
CE （ SAT ）
I
C
= -100毫安，我
B
= -10毫安
f
T
C
ob
V
CB
= -10 V，I
E
= 1毫安， F = 200 MHz的
V
CB
= -10 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
h
FE
分类
记号
秩
h
FE
BQ
Q
160 260
BR
R
210 340
BS
S
290 460
B
无秩
160 460
www.kexin.com.cn
1
产品speci fi cation
2SB1218
特点
高正向电流传输比H
FE
.
1辐射源
2基地
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绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
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峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
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CP
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P
C
T
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英镑
等级
-45
-45
-7
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-100
150
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
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CBO
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首席执行官
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= -10 IA ，我
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= -20 V，I
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B
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V
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160
-0.3
80
2.7
民
-45
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-7
-0.1
-100
460
-0.5
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
ìA
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= -100毫安，我
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= -10 V，I
E
= 1毫安， F = 200 MHz的
V
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= -10 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
h
FE
分类
记号
秩
h
FE
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160 260
BR
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210 340
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290 460
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无秩
160 460
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4008-318-123
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2SB1218
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24E24D
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22-05-7068
26-65-5090
228RSS016M
2-435668-7
250MXY390M25X35
2SD1411
20020106-H241A01LF
2SK3541_1
208-1112LPTNP
25C160T-E/SN
225TMA400M
2SC5231A
2SC3360N17
221033
2082-6014-25
2SK3901
2593934
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