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CHENMKO ENTERPRISE CO。 ， LTD。
表面贴装
PNP中功率晶体管
电压32伏特
应用
*电源驱动器和DC -DC转换器。
2SB1188PT
当前2安培
特征
*小型扁平封装。 （ SC - 62 / SOT- 89 ）
*低饱和电压V
CE （ SAT ）
=-0.5V(typ.)(I
C/
I
B
=-2A/-0.2A)
SC-62/SOT-89
施工
* PNP开关晶体管
4.6MAX.
1.7MAX.
1.6MAX.
0.4+0.05
2.5+0.1
+0.08
0.45-0.05
+0.08
0.40-0.05
1.50+0.1
+0.08
0.40-0.05
1.50+0.1
记号
* HFE （ P）：在P1188
* HFE （ Q） ： Q1188
* HFE （R）： R1188
1
1 BASE
2
3
电路
(1)
B
C
(2)
2集电极（散热器）
3发射器
E
(3)
0.8MIN.
4.6MAX.
单位：毫米
SC-62/SOT-89
最大RATINGES
（在T
A
= 25°C除非另有说明）
评级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流DC
峰值集电极电流
总功耗
储存温度
结温
注1
注2
条件
发射极开路
开基
集电极开路
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
T
英镑
T
J
分钟。
-
-
-
-
-
-
-55
-
马克斯。
-40
-32
-5
-2
-3
2
+150
+150
单位
伏
伏
伏
安培
安培
W
o
o
C
C
o
记
1.单脉冲， PW = 100毫秒
2.当安装在一个40 * 40 * 0.7毫米陶瓷板
2007-04
额定值特性曲线（ 2SB1188PT ）
特征
（在T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和
电压
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
=-50uA
I
C
=-1.0mA
I
E
=-50uA
I
E
=0; V
CB
=-20V
I
C
=0; V
EB
=-4V
V
CE
= -3V ;注3
I
C
=-0.5A
I
C
= -2A ;我
B
= -0.2A ;注3
I
E
= IE = 0 ; V
CB
=-10V;
f=1MHz
I
E
= -0.5A ; V
CE
=-5.0V;
f=100MHz
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
ECO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CESAT
C
C
f
T
分钟。
-40
-32
-5
-
-
82
-
-
-
TYPE
-
-
-
-
-
-
-0.5
50
100
马克斯。
-
-
-
-1.0
-1.0
390
-0.8
-
-
伏
pF
兆赫
单位
伏
伏
伏
uA
uA
o
注意：
3.测量ueing脉冲电流
4.分类的hFE P： 82 180 ，Q ： 120 270 ， R： 180 390
额定值特性曲线（ 2SB1188PT ）
典型电气特性
图1.发射极接地传播
特征
-3000
图2. DC Cueewnt增益VS收藏家
当前
600
V
CE
=-3V
-1000
V
CE
=-3V
I
C
，集电极电流（毫安）
a
T
=100°C
-100
a
T
=-40°C
h
FE
，直流电流增益
T
a
=100°C
T
a
=25°C
100
T
a
=-25°C
-10
T
a
=25°C
-1
0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
V
BE
，基地发射极电压（ V）
-2.0
-2.2
20
-3
-10
-100
I
C
，集电极电流（毫安）
-1000
-3000
图3.集电极 - 发射极饱和
电压Vs集电极电流
V
CE （ SAT ）
，集电极饱和压（MV ）
-600
I
C
/ I
B
=10
-100
a
T
=-40°C
a
T
=100°C
T
a
=25°C
-10
-3
-10
-100
I
C
，集电极电流（毫安）
-1000
-3000
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