功率晶体管（ -60V ， -3A ）
2SB1184 / 2SB1243
■特点
1 ）低V
CE （ SAT ）
.
V
CE （ SAT ）
= -0.5V （典型值）。
(I
C
/I
B
= -2A / -0.2A)
2 ）补充了2SD1760 / 2SD1864 。
尺寸
（单位：毫米）
2SB1184
1.5±0.3
6.5±0.2
5.1
+0.2
0.1
C0.5
2.3
+0.2
0.1
0.5±0.1
4.4
±
0.2
14.5
±
0.5
0.9
2SB1243
6.8
±
0.2
2.5
±
0.2
5.5
+0.3
0.1
Structure
外延平面型
PNP硅晶体管
9.5±0.5
0.9
1.5
2.5
0.75
0.9
0.65±0.1
0.65Max.
0.55±0.1
2.3±0.2 2.3±0.2
1.0±0.2
(1)
(2)
(3)
2.54 2.54
0.5
±
0.1
1.0
(1) (2) (3)
1.05
0.45
±
0.1
ROHM ： CPT3
EIAJ ： SC- 63
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
ROHM ：
亚视
（1 ）发光体
（ 2 ）集电极
（3 ）基
“绝对
最大额定值
(Ta=25C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
收藏家功率2SB1184
耗散
2SB1243
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
60
50
5
3
1
15
1
150
55
150
100mm
2
或更大。
单位
V
V
V
A（ DC ）
W
值w（t
C
=25°C)
W
°C
°C
1
1印刷电路板， 1.7毫米厚，收藏家镀铜
ⅵELECTRICAL
特征
(Ta=25C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
利用脉冲电流测量。
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
60
50
5
120
典型值。
70
50
马克斯。
1
1
1
390
单位
V
V
V
μA
μA
V
兆赫
pF
I
C
= 50μA
I
C
= -1mA
I
E
= 50μA
V
CB
= 40V
V
EB
= 4V
I
C
/I
B
= 2A/ 0.2A
V
CE
= 3V,
I
C
= 0.5A
V
CE
= 5V,
I
E
=0.5A,
f=30MHz
V
CB
= 10V,
I
E
=0A,
f=1MHz
条件
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2010.02 - Rev.C
2SB1184 / 2SB1243
Packaging
规格和h
FE
包
CODE
TYPE
2SB1184
2SB1243
h
FE
QR
QR
基本订购单位（件）
TL
2500
TAPING
TV2
2500
数据表
h
FE
值被分类如下：
项
h
FE
Q
120至270
R
180 390
ⅵELECTRICAL
特性曲线
10
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
2.5
2.0
1.5
1.0
集电极电流：我
C
(A)
5
2
1
0.5
0.2
0.1
Ta=100°C
25°C
-25°C
V
CE
= 3V
3.0
50mA
45mA
40mA
35mA
30mA
25mA
Tc=25°C
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
I
B
=5mA
50mA
45mA
40mA
35mA
30mA
25mA
20mA
15mA
10mA
Tc=25°C
20mA
15mA
10mA
0.05
0.02
0.01
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
基地发射极电压： V
BE
(V)
5mA
0.5
0
0
P
C
=15W
10
20
I
B
=0mA
30
40
50
1
2
3
I
B
=
0mA
4
5
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图1发射极接地
传播特性
图2接地发射极输出
特点（ ）
图3接地发射极输出
特点（ ）
1000
500
直流电流增益：H
FE
Ta=25°C
1k
500
直流电流增益：H
FE
V
CE
= 3V
Ta=100°C
25°C
25°C
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
I
C
/I
B
=50/1
20/1
10/1
Ta=25°C
200
100
50
V
CE
=5V
200
100
50
20
10
5
2
3V
20
10
5
2
1
0.01
0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2
5
10
0.05
0.02
1
0.01
0.02 0.05 0.10.2 0.5 1 2
5 10
0.01
0.01
0.02 0.050.1 0.2 0.5 1 2
5 10
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
图4直流电流增益与
集电极电流（ ）
图5直流电流增益与
集电极电流（ ）
图6集电极 - 发射极饱和
电压电流vs.collector
10
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
基本饱和电压
: V
BE （ SAT ）
(V)
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5
1 2
Ta=100°C
25°C
25°C
V
CE （ SAT ）
TA
25°C
25°C
100°C
V
BE （ SAT ）
跃迁频率：F
T
（兆赫）
l
C
/l
B
=10
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10 20
集电极输出电容：玉米棒
（PF ）
Ta=25
°C
V
CE
=
5V
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.1 0.2 0.5 1 2
Ta=25
°C
f=1MHz
I
E
=0A
5
10
50 100 200 500 1000
5 10 20 50 100
集电极电流：我
C
(A)
发射极电流：我
E
（MA ）
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
图7集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
基极 - 发射极饱和电压相对于
集电极电流
图8的增益带宽积主场迎战
发射极电流
图9集电极输出电容主场迎战
集电极 - 基极电压
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