2SB1182
PNP塑料封装TRA NSISTORS
P B
铅（Pb ） - 免费
1.BASE
2.COLLECTOR
3.EMITTER
1
2
3
D-PAK(TO-252)
绝对最大额定值（T
A
=25C)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
T
j
T
英镑
范围
-40
-32
-5.0
-2.0
1.5
+150
-55到+150
单位
V
V
V
A
W
C
C
电气特性（T
A
= 25° Cunless另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿电压
I
C
=-50A
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
民
-40
-32
-5.0
-
-
典型值
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-1.0
-1.0
单位
V
V
V
A
A
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
=-1.0mA
发射极 - 基极击穿电压
I
E
=-50A
V
CB
=-20V
V
EB
=-4.0V
WEITRON
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1/5
30-Nov-07
2SB1182
基本特征
直流电流增益
V
CE
= -3V ，我
C
=-500mA
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -2A ，我
B
=-200mA
h
FE(1)
V
CE （ SAT ）
82
-
-
-
390
-0.8
-
V
动态特性
跃迁频率
V
CE
= -5V ，我
C
= -500mA ， F = 30MHz的
输出电容
V
CB
= -10V ，我
E
= 0 ， F = 1.0MHz的
f
T
C
ob
-
-
100
50
-
-
兆赫
pF
分类h及
FE(1)
秩
范围
P
82 - 180
Q
120 - 270
R
180 - 390
WEITRON
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2/5
30-Nov-07
2SB1182
典型特征
V
CE
= 3V
集电极电流：我
C
（MA ）
0.5
集热器
电流：I
C
(A)
Ta=25°C
1000
Ta=100°C
25°C
500
40°C
200
100
50
20
10
5
2
1
2.5mA
2
.25mA
0.4
2mA
1.75mA
1.5mA
1.25mA
0.3
0.2
1mA
750A
500A
0.1
0
250A
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2
基地发射极电压： V
BE
(V)
0
0.4
0.8
1.2
I
B
=0A
1.6
2
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图1发射极接地传播
特征
500
直流电流增益：H
FE
图2接地发射极输出
特征
500
直流电流增益：H
FE
Ta=25°C
V
CE
= 6V
3V
1V
V
CE
= 3V
Ta=100°C
25°C
25°C
200
200
100
100
50
50
20
5 10 20
50 100 200 500 1000 2000
20
5 10 20
50 100 200 500 1000 2000
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
图3直流电流增益与
收藏家柯伦（ ）
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
（毫伏）
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
（毫伏）
图4直流电流增益与
集电极电流（ ）
500
l
C
/l
B
=10
500
Ta=25°C
200
200
100
50
100
I
C
/I
B
=50
20
10
Ta=100°C
25°C
40°C
50
20
5 10 20
50 100 200 500 1000 2000
5 10 20
50 100 200 500 1000 2000
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
图5集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（ ）
图6集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（ ）
WEITRON
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3/5
30-Nov-07
2SB1182
典型特征
盐基饱和电压： V
BE （ SAT ）
(V)
跃迁频率：F
T
（兆赫）
Ta=25°C
1
I
C
/I
B
=10
0.5
500
Ta=25°C
V
CE
= 5V
200
100
0.2
0.1
0.05
50
5 10 20
50 100 200 500 1000 2000
5
10
20
50
100 200
500 1000 2000
COLLETOR电流：I
C
（MA ）
发射极电流：我
E
（MA ）
图7基极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
集电极输出电容：玉米棒
（PF ）
发射极输入电容
： CIB
（PF ）
图8的增益带宽积主场迎战
发射极电流
5
I
C（最大值）
。 （脉冲）
DC
300
200
100
50
20
10
兴业银行
集电极电流：我
C
(A)
Ta=25°C
f=1MHz
I
E
=0A
I
C
=0A
COB
P
W
=500s
2
1
0.5
0.2
0.1
P
W
=1ms
P
W
=100ms
0.5
1
2
5
10
20 30
Ta=25°C
*单
0.02
不重复
脉冲
0.01
0.1 0.2 0.5 1
0.05
2
5 10 20
50
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
发射器基极电压
: V
EB
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图9集电极输出电容主场迎战
集电极 - 基极电压
发射器的输入电容与
发射极 - 基极电压
图10安全作业区
WEITRON
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4/5
30-Nov-07
2SB1182
TO- 252外形尺寸
单位：mm
E
A
4
G
H
J
1
2
3
B
TO-252
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
M
D
C
L
K
民
6.40
9.00
0.50
-
2.20
0.45
1.00
5.40
0.30
0.70
0.90
最大
6.80
10.00
0.80
2.30
2.50
0.55
1.60
5.80
0.64
1.70
1.50
WEITRON
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30-Nov-07
晶体管
中等功率晶体管（ 32V ， 2A ）
2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862 / 2SD1055 /
2SD1919 / 2SD1227M
FFeatures
1 ）低V
CE （ SAT ）
.
V
CE （ SAT ）
= 0.5V （典型值）。
(I
C
/ I
B
= 2A / 0.2A)
2 ）补充了
2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240 /
2SB891F / 2SB822 / 2SB1277 /
2SB911M
FStructure
外延平面型
NPN硅晶体管
FExternal
尺寸（单位：毫米）
(96-217-B24)
256
晶体管
FAbsolute
最大额定值（Ta = 25_C ）
2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862 / 2SD1055 /
2SD1919 / 2SD1227M
FElectrical
特性（Ta = 25_C ）
257
晶体管
FPackaging
规格和h
FE
2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862 / 2SD1055 /
2SD1919 / 2SD1227M
h
FE
值被分类如下：
FElectrical
特性曲线
258
晶体管
2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862 / 2SD1055 /
2SD1919 / 2SD1227M
259
晶体管
中等功率晶体管（ * 32V ， 2A * ）
2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240 /
2SB822 / 2SB1277 / 2SB911M
FFeatures
1 ）低V
CE （ SAT ）
.
V
CE （ SAT ）
=
*0.5V
（典型值）。
(I
C
/ I
B
=
*2A
/
*0.2A)
2 ）补充了2SD1766 /
2SD1758 / 2SD1862 / 2SD1189F /
2SD1055 / 2SD1919 / SD1227M 。
FStructure
外延平面型
PNP硅晶体管
FExternal
尺寸（单位：毫米）
(96-131-B24)
215
晶体管
FAbsolute
最大额定值（Ta = 25_C ）
2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240 /
2SB822 / 2SB1277 / 2SB911M
FElectrical
特性（Ta = 25_C ）
216
晶体管
FPackaging
规格和h
FE
2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240 /
2SB822 / 2SB1277 / 2SB911M
h
FE
值被分类如下：
FElectrical
特性曲线
217
晶体管
2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240 /
2SB822 / 2SB1277 / 2SB911M
218
晶体管
中等功率晶体管（ 32V ， 2A ）
2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862 / 2SD1055 /
2SD1919 / 2SD1227M
FFeatures
1 ）低V
CE （ SAT ）
.
V
CE （ SAT ）
= 0.5V （典型值）。
(I
C
/ I
B
= 2A / 0.2A)
2 ）补充了
2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240 /
2SB891F / 2SB822 / 2SB1277 /
2SB911M
FStructure
外延平面型
NPN硅晶体管
FExternal
尺寸（单位：毫米）
(96-217-B24)
256
晶体管
FAbsolute
最大额定值（Ta = 25_C ）
2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862 / 2SD1055 /
2SD1919 / 2SD1227M
FElectrical
特性（Ta = 25_C ）
257
晶体管
FPackaging
规格和h
FE
2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862 / 2SD1055 /
2SD1919 / 2SD1227M
h
FE
值被分类如下：
FElectrical
特性曲线
258
晶体管
2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862 / 2SD1055 /
2SD1919 / 2SD1227M
259
2SB1182 / 2SB1240
Packaging
规格和h
FE
包
CODE
TYPE
2SB1182
2SB1240
h
FE
QR
QR
基本订购单位（件）
TL
2500
TAPING
TV2
2500
数据表
h
FE
值被分类如下：
项
h
FE
Q
120至270
R
180 390
ⅵELECTRICAL
特性曲线
V
CE
= 3V
集电极电流：我
C
（MA ）
0.5
Ta=25°C
1.75mA
直流电流增益：H
FE
1000
Ta=100°C
25°C
500
40°C
200
100
50
20
10
5
2
1
集热器
电流：I
C
(A)
2.5mA
2
.25mA
500
V
CE
= 6V
3V
1V
Ta=25°C
0.4
2mA
1.5mA
1.25mA
1mA
750
μ
A
500μA
200
0.3
100
0.2
50
0.1
250μA
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2
基地发射极电压： V
BE
(V)
0
0
0.4
0.8
1.2
I
B
=0A
1.6
2
20
5 10 20
50 100 200 500 1000 2000
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
集电极电流：我
C
（MA ）
图1发射极接地传播
特征
图2接地发射极输出
特征
图3直流电流增益与
收藏家柯伦（ ）
500
Ta=100°C
25°C
25°C
200
V
CE
= 3V
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
（毫伏）
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
（毫伏）
500
Ta=25°C
500
l
C
/l
B
=10
直流电流增益：H
FE
200
200
100
50
100
100
I
C
/I
B
=
50
50
Ta=100°C
25°C
40°C
50
20
10
5 10 20
50 100 200 500 1000 2000
20
5 10 20
50 100 200 500 1000 2000
20
5 10 20
50 100 200 500 1000 2000
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
图4直流电流增益与
集电极电流（ ）
图5集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（ ）
图6集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（ ）
跃迁频率：F
T
（兆赫）
Ta=25°C
1
I
C
/I
B
=10
0.5
500
Ta
=
25°C
V
CE
= 5V
集电极输出电容：玉米棒
（PF ）
发射极输入电容
： CIB
（PF ）
盐基饱和电压： V
BE （ SAT ）
(V)
300
200
100
50
兴业银行
Ta
=
25°C
f
=
1MHz
I
E
=
0A
I
C
=
0A
COB
200
100
0.2
0.1
0.05
20
10
50
5 10 20 50 100 200 500 1000 2000
COLLETOR电流：I
C
（MA ）
5
10
20
50
100 200
500 1000 2000
0.5
1
2
5
10
20 30
发射极电流：我
E
（MA ）
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
发射器基极电压
: V
EB
(V)
图7基极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
图8的增益带宽积主场迎战
发射极电流
图9集电极输出电容主场迎战
集电极 - 基极电压
发射器的输入电容与
发射极 - 基极电压
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c
○
2010 ROHM有限公司保留所有权利。
2/3
2010.04 - Rev.C
通告
笔记
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"Products" ） 。如果你希望使用任何此类产品，请务必参阅规格，
这可以从ROHM要求获得。
的应用电路，电路常数和任何其它信息的例子在此包含
示出了产品的标准用法和操作。外围条件必须
在设计用于大规模生产的电路时，必须考虑到。
时非常谨慎，以确保本文档中指定的信息的准确性。
但是，如果你承担从这种不准确或印刷错误而引起的任何损害
信息， ROHM ，应当承担此类损害概不负责。
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为产品应用电路的例子。 ROHM不授予你，或明或
隐，任何许可使用或行使知识产权或由Rohm and持有的其他权益
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使用这样的技术信息。
本文档中指定的产品意图被与使用一般使用的电子
设备或装置（诸如视听设备，办公自动化设备， commu-
讯设备，电子电器，娱乐设备） 。
本文档中指定的产品没有设计成抗辐射。
而ROHM一直努力提高其产品的质量和可靠性，一
产品可能会失败或因各种原因发生故障。
请务必在使用该产品的安全性措施来保护你的设备来实现
对人身伤害，火灾或其它任何损害引起的事件的可能性
任何产品的故障，如降级，冗余，消防和故障安全设计。 ROHM
不承担任何责任不对您使用的任何产品的规定外
范围或者没有按照使用说明书。
该产品并非设计或制造任何设备，设备使用，或
系统，该系统要求的可靠性非常高的水平的故障或失灵，其中
可能会导致直接威胁到人的生命或创建人伤害的危险（如医疗
仪表，交通运输设备，航空器械，核反应器，燃
控制器或其他安全装置） 。 ROHM应承担以任何方式使用任何不承担责任
的产品适用于上述特殊用途。如果一个产品打算用于任何
这种特殊用途，请购买前联系ROHM销售代表。
如果您打算出口或海外的船舶的任何产品或技术在此指定的可
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ROHM的客户支持系统
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R1010A
2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240
晶体管
中等功率晶体管（ 32V ，
2A)
2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240
特点
1 ）低V
CE （ SAT ）
.
V
CE （ SAT ）
=
0.5V
（典型值）。
(I
C
/I
B
=
2A
/
0.2A)
2 ）补充了2SD1766 / 2SD1758 /
2SD1862.
外形尺寸
（单位：毫米）
2SB1188
0.5±0.1
4.5
+0.2
0.1
1.6±0.1
2SB1182
1.5
±
0.3
6.5
±
0.2
5.1
+0.2
0.1
2.3
+0.2
0.1
0.5
±
0.1
+
0.2
1.5
0.1
C0.5
5.5
+0.3
0.1
4.0±0.3
2.5
+
0.2
0.1
(1)
(2)
(3)
0.4±0.1
1.5±0.1
1.0±0.2
0.4
+
0.1
0.05
0.75
0.9
0.65
±
0.1
0.4±0.1
1.5±0.1
0.5±0.1
3.0±0.2
0.55
±
0.1
2.3
±
0.2 2.3
±
0.2
1.0
±
0.2
结构
外延平面型
PNP硅晶体管
ROHM ： MPT3
EIAJ ：SC- 62
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
(1) (2) (3)
ROHM ： CPT3
EIAJ ： SC- 63
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
缩写符号：BC
2.5
±
0.2
2SB1240
6.8
±
0.2
0.65Max.
1.0
0.5
±
0.1
(1)
(2)
(3)
2.54 2.54
1.05
14.5
±
0.5
4.4
±
0.2
0.9
0.45
±
0.1
ROHM ：
亚视
（1 ）发光体
（ 2 ）集电极
（3 ）基
指H
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
FE
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
范围
40
32
5
2
3
0.5
单位
V
V
V
A（ DC ）
A（脉冲）
1
W
W
2SB1188
集电极电源
耗散
P
C
2SB1182
2SB1240
2
10
1
2
3
W（ =锝25
°C
)
W
结温
储存温度
Tj
TSTG
150
55
150
°C
°C
1
2
3
单脉冲， PW = 100毫秒
当安装在一个40
×
40
×
0.7毫米陶瓷板。
印刷电路板， 1.7毫米厚，收藏家镀铜100毫米
2
或更大。
Rev.A的
2.5
9.5
±
0.5
0.9
1.5
1/3
2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240
晶体管
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
40
32
5
82
典型值。
0.5
100
50
马克斯。
1
1
0.8
390
单位
V
V
V
I
C
= 50
A
I
C
= -1mA
I
E
= 50
A
V
CB
= 20V
V
EB
= 4V
I
C
/I
B
= 2A/ 0.2A
V
CE
= 3V,
I
C
= 0.5A
V
CE
= 5V,
I
E
=0.5A,
f=100MHz
V
CB
= 10V,
I
E
=0A,
f=1MHz
条件
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
A
A
V
兆赫
pF
利用脉冲电流测量。
包装规格和h
FE
包
CODE
TYPE
2SB1188
2SB1182
2SB1240
h
FE
PQR
PQR
PQR
基本订购单位（件）
T100
1000
TAPING
TL
2500
TV2
2500
h
FE
值被分类如下：
项
h
FE
P
82至180
Q
120至270
R
180 390
电气特性曲线
V
CE
= 3V
集电极电流：我
C
（MA ）
0.5
集热器
电流：I
C
(A)
Ta=25°C
2.5mA
1.75mA
直流电流增益：H
FE
1000
Ta=100°C
25°C
500
40°C
200
100
50
20
10
5
2
1
2
.25mA
500
Ta=25°C
0.4
2mA
1.5mA
1.25mA
200
V
CE
= 6V
3V
1V
0.3
0.2
1mA
750
A
500A
100
50
0.1
250A
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2
基地发射极电压： V
BE
(V)
0
0
0.4
0.8
1.2
I
B
=0A
1.6
2
20
5 10 20
50 100 200 500 1000 2000
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
集电极电流：我
C
（MA ）
图1发射极接地传播
特征
图2接地发射极输出
特征
图3直流电流增益与
收藏家柯伦（ ）
Rev.A的
2/3
2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240
晶体管
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
（毫伏）
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
（毫伏）
500
Ta=100°C
25°C
25°C
V
CE
= 3V
500
Ta=25°C
500
l
C
/l
B
=10
直流电流增益：H
FE
200
200
200
100
50
100
100
I
C
/I
B
=
50
Ta=100°C
25°C
40°C
50
50
20
10
20
5 10 20
50 100 200 500 1000 2000
20
5 10 20
50 100 200 500 1000 2000
5 10 20
50 100 200 500 1000 2000
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
图4直流电流增益与
集电极电流（ ）
图5集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（ ）
图6集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（ ）
跃迁频率：F
T
（兆赫）
Ta=25°C
1
500
Ta
=
25°C
V
CE
= 5V
集电极输出电容：玉米棒
（PF ）
发射极输入电容
： CIB
（PF ）
盐基饱和电压： V
BE （ SAT ）
(V)
300
200
100
50
兴业银行
I
C
/I
B
=10
0.5
Ta
=
25°C
f
=
1MHz
I
E
=
0A
I
C
=
0A
COB
200
100
0.2
0.1
0.05
20
10
50
5 10 20
50 100 200 500 1000 2000
5
10
20
50
100 200
500 1000 2000
0.5
1
2
5
10
20 30
COLLETOR电流：I
C
（MA ）
发射极电流：我
E
（MA ）
图7基极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
图8的增益带宽积主场迎战
发射极电流
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
发射器基极电压
: V
EB
(V)
图9集电极输出电容主场迎战
集电极 - 基极电压
发射器的输入电容与
发射极 - 基极电压
5
集电极电流：我
C
(A)
I
C最大。 （脉冲）
集电极电流：我
C
(A)
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
I
C（最大值）
。 （脉冲）
DC
P
W
=500s
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
Ta=25°C
*单
0.02
不重复
脉冲
0.01
0.1 0.2 0.5 1
D
C
s
0m
=
1
Pw
s
m
00
=
1
Pw
P
W
=1ms
P
W
=100ms
2
5 10 20
50
Ta=25°C
*单
0.02
不重复
脉冲
0.01
0.1 0.2 0.5 1
2
5 10 20
50
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图10安全作业区
(2SB1188)
图11安全作业区
(2SB1182)
Rev.A的
3/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
中等功率晶体管（ 32V ，
2A)
2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240
■特点
1 ）低V
CE （ SAT ）
.
V
CE （ SAT ）
=
0.5V
（典型值）。
(I
C
/I
B
=
2A
/
0.2A)
2 ）补充了2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862 。
尺寸
（单位：毫米）
2SB1188
0.5±0.1
4.5
+0.2
0.1
1.6±0.1
2SB1182
1.5
±
0.3
6.5
±
0.2
5.1
+0.2
0.1
2.3
+0.2
0.1
0.5
±
0.1
1.5
+
0.2
0.1
C0.5
5.5
+0.3
0.1
4.0±0.3
2.5
+
0.2
0.1
Structure
外延平面型
PNP硅晶体管
(1)
(2)
(3)
0.4±0.1
1.5±0.1
1.0±0.2
0.4
+
0.1
0.05
0.75
0.9
0.65
±
0.1
0.4±0.1
1.5±0.1
0.5±0.1
3.0±0.2
0.55
±
0.1
2.3
±
0.2 2.3
±
0.2
1.0
±
0.2
ROHM ： MPT3
EIAJ ：SC- 62
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
(1) (2) (3)
ROHM ： CPT3
EIAJ ： SC- 63
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
缩写符号：BC
2.5
±
0.2
2SB1240
6.8
±
0.2
0.65Max.
1.0
0.5
±
0.1
(1)
(2)
(3)
2.54 2.54
1.05
14.5
±
0.5
4.4
±
0.2
0.9
0.45
±
0.1
ROHM ：
亚视
（1 ）发光体
（ 2 ）集电极
（3 ）基
指H
“绝对
最大额定值
(Ta=25C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
范围
40
32
5
2
3
0.5
P
C
2SB1182
2SB1240
结温
储存温度
Tj
TSTG
2
10
1
150
55
150
单位
V
V
V
FE
A（ DC ）
A（脉冲）
1
W
W
2SB1188
集电极电源
耗散
2
3
W（ =锝25
°C
)
W
°C
°C
1
2
3
单脉冲， PW = 100毫秒
当安装在一个40
×
40
×
0.7毫米陶瓷板。
印刷电路板， 1.7毫米厚，收藏家镀铜100毫米
2
或更大。
www.rohm.com
c
○
2009年ROHM有限公司保留所有权利。
1/3
2009.12 - Rev.B的
2.5
9.5
±
0.5
0.9
1.5
2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240
ⅵELECTRICAL
特征
(Ta=25C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
40
32
5
120
典型值。
0.5
100
50
马克斯。
1
1
0.8
390
单位
V
V
V
I
C
= 50μ
A
I
C
= -1mA
I
E
= 50μ
A
V
CB
= 20V
V
EB
= 4V
I
C
/I
B
= 2A/ 0.2A
V
CE
= 3V,
I
C
= 0.5A
V
CE
= 5V,
I
E
=0.5A,
f=100MHz
V
CB
= 10V,
I
E
=0A,
f=1MHz
条件
数据表
μ
A
μ
A
V
兆赫
pF
利用脉冲电流测量。
Packaging
规格和h
FE
包
CODE
TYPE
2SB1188
2SB1182
2SB1240
h
FE
QR
QR
QR
基本订购单位（件）
T100
1000
TAPING
TL
2500
TV2
2500
h
FE
值被分类如下：
项
h
FE
Q
120至270
R
180 390
ⅵELECTRICAL
特性曲线
V
CE
= 3V
0.5
Ta=25°C
集电极电流：我
C
（MA ）
1.75mA
直流电流增益：H
FE
1000
Ta=100°C
25°C
500
40°C
200
100
50
20
10
5
2
1
集热器
电流：I
C
(A)
2.5mA
2
.25mA
500
V
CE
= 6V
3V
1V
Ta=25°C
0.4
2mA
1.5mA
1.25mA
1mA
750
μ
A
500μA
200
0.3
100
0.2
50
0.1
250μA
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2
基地发射极电压： V
BE
(V)
0
0
0.4
0.8
1.2
I
B
=0A
1.6
2
20
5 10 20
50 100 200 500 1000 2000
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
集电极电流：我
C
（MA ）
图1发射极接地传播
特征
图2接地发射极输出
特征
图3直流电流增益与
收藏家柯伦（ ）
www.rohm.com
c
○
2009年ROHM有限公司保留所有权利。
2/3
2009.12 - Rev.B的
2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240
500
Ta=100°C
25°C
25°C
200
V
CE
= 3V
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
（毫伏）
数据表
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
（毫伏）
500
Ta=25°C
500
l
C
/l
B
=10
直流电流增益：H
FE
200
200
100
50
100
100
I
C
/I
B
=
50
50
Ta=100°C
25°C
40°C
50
20
10
5 10 20
50 100 200 500 1000 2000
20
20
5 10 20
50 100 200 500 1000 2000
5 10 20
50 100 200 500 1000 2000
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
图4直流电流增益与
集电极电流（ ）
图5集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（ ）
图6集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（ ）
跃迁频率：F
T
（兆赫）
Ta=25°C
1
I
C
/I
B
=10
0.5
500
Ta
=
25°C
V
CE
= 5V
集电极输出电容：玉米棒
（PF ）
发射极输入电容
： CIB
（PF ）
盐基饱和电压： V
BE （ SAT ）
(V)
300
200
100
50
兴业银行
Ta
=
25°C
f
=
1MHz
I
E
=
0A
I
C
=
0A
COB
200
100
0.2
0.1
0.05
20
10
50
5 10 20 50 100 200 500 1000 2000
COLLETOR电流：I
C
（MA ）
5
10
20
50
100 200
500 1000 2000
0.5
1
2
5
10
20 30
发射极电流：我
E
（MA ）
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
发射器基极电压
: V
EB
(V)
图7基极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
图8的增益带宽积主场迎战
发射极电流
图9集电极输出电容主场迎战
集电极 - 基极电压
发射器的输入电容与
发射极 - 基极电压
5
I
C最大。 （脉冲）
5
I
C（最大值）
。 （脉冲）
DC
P
W
=500μs
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
Ta=25°C
*单
0.02
不重复
脉冲
0.01
0.1 0.2 0.5 1
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
s
0m
=
1
Pw
s
m
00
=
1
Pw
D
C
2
5 10 20
50
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
P
W
=1ms
P
W
=100ms
Ta=25°C
*单
不重复
脉冲
0.01
0.1 0.2 0.5 1
0.02
2
5 10 20
50
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图10安全作业区
(2SB1188)
图11安全作业区
(2SB1182)
www.rohm.com
c
○
2009年ROHM有限公司保留所有权利。
3/3
2009.12 - Rev.B的
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"Products" ） 。如果你希望使用任何此类产品，请务必参阅规格，
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示出了产品的标准用法和操作。外围条件必须
在设计用于大规模生产的电路时，必须考虑到。
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隐，任何许可使用或行使知识产权或由Rohm and持有的其他权益
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ROHM的客户支持系统
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R0039A
中等功率晶体管（ 32V ，
2A)
2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240
■特点
1 ）低V
CE （ SAT ）
.
V
CE （ SAT ）
=
0.5V
（典型值）。
(I
C
/I
B
=
2A
/
0.2A)
2 ）补充了2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862 。
尺寸
（单位：毫米）
2SB1188
0.5±0.1
4.5
+0.2
0.1
1.6±0.1
2SB1182
1.5
±
0.3
6.5
±
0.2
5.1
+0.2
0.1
2.3
+0.2
0.1
0.5
±
0.1
1.5
+
0.2
0.1
C0.5
5.5
+0.3
0.1
4.0±0.3
2.5
+
0.2
0.1
Structure
外延平面型
PNP硅晶体管
(1)
(2)
(3)
0.4±0.1
1.5±0.1
1.0±0.2
0.4
+
0.1
0.05
0.75
0.9
0.65
±
0.1
0.4±0.1
1.5±0.1
0.5±0.1
3.0±0.2
0.55
±
0.1
2.3
±
0.2 2.3
±
0.2
1.0
±
0.2
ROHM ： MPT3
EIAJ ：SC- 62
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
(1) (2) (3)
ROHM ： CPT3
EIAJ ： SC- 63
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
缩写符号：BC
2.5
±
0.2
2SB1240
6.8
±
0.2
0.65Max.
1.0
0.5
±
0.1
(1)
(2)
(3)
2.54 2.54
1.05
14.5
±
0.5
4.4
±
0.2
0.9
0.45
±
0.1
ROHM ：
亚视
（1 ）发光体
（ 2 ）集电极
（3 ）基
指H
“绝对
最大额定值
(Ta=25C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
范围
40
32
5
2
3
0.5
P
C
2SB1182
2SB1240
结温
储存温度
Tj
TSTG
2
10
1
150
55
150
单位
V
V
V
FE
A（ DC ）
A（脉冲）
1
W
W
2SB1188
集电极电源
耗散
2
3
W（ =锝25
°C
)
W
°C
°C
1
2
3
单脉冲， PW = 100毫秒
当安装在一个40
×
40
×
0.7毫米陶瓷板。
印刷电路板， 1.7毫米厚，收藏家镀铜100毫米
2
或更大。
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2009.12 - Rev.B的
2.5
9.5
±
0.5
0.9
1.5
2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240
ⅵELECTRICAL
特征
(Ta=25C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
40
32
5
120
典型值。
0.5
100
50
马克斯。
1
1
0.8
390
单位
V
V
V
I
C
= 50μ
A
I
C
= -1mA
I
E
= 50μ
A
V
CB
= 20V
V
EB
= 4V
I
C
/I
B
= 2A/ 0.2A
V
CE
= 3V,
I
C
= 0.5A
V
CE
= 5V,
I
E
=0.5A,
f=100MHz
V
CB
= 10V,
I
E
=0A,
f=1MHz
条件
数据表
μ
A
μ
A
V
兆赫
pF
利用脉冲电流测量。
Packaging
规格和h
FE
包
CODE
TYPE
2SB1188
2SB1182
2SB1240
h
FE
QR
QR
QR
基本订购单位（件）
T100
1000
TAPING
TL
2500
TV2
2500
h
FE
值被分类如下：
项
h
FE
Q
120至270
R
180 390
ⅵELECTRICAL
特性曲线
V
CE
= 3V
0.5
Ta=25°C
集电极电流：我
C
（MA ）
1.75mA
直流电流增益：H
FE
1000
Ta=100°C
25°C
500
40°C
200
100
50
20
10
5
2
1
集热器
电流：I
C
(A)
2.5mA
2
.25mA
500
V
CE
= 6V
3V
1V
Ta=25°C
0.4
2mA
1.5mA
1.25mA
1mA
750
μ
A
500μA
200
0.3
100
0.2
50
0.1
250μA
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2
基地发射极电压： V
BE
(V)
0
0
0.4
0.8
1.2
I
B
=0A
1.6
2
20
5 10 20
50 100 200 500 1000 2000
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
集电极电流：我
C
（MA ）
图1发射极接地传播
特征
图2接地发射极输出
特征
图3直流电流增益与
收藏家柯伦（ ）
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2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240
500
Ta=100°C
25°C
25°C
200
V
CE
= 3V
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
（毫伏）
数据表
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
（毫伏）
500
Ta=25°C
500
l
C
/l
B
=10
直流电流增益：H
FE
200
200
100
50
100
100
I
C
/I
B
=
50
50
Ta=100°C
25°C
40°C
50
20
10
5 10 20
50 100 200 500 1000 2000
20
20
5 10 20
50 100 200 500 1000 2000
5 10 20
50 100 200 500 1000 2000
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
图4直流电流增益与
集电极电流（ ）
图5集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（ ）
图6集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（ ）
跃迁频率：F
T
（兆赫）
Ta=25°C
1
I
C
/I
B
=10
0.5
500
Ta
=
25°C
V
CE
= 5V
集电极输出电容：玉米棒
（PF ）
发射极输入电容
： CIB
（PF ）
盐基饱和电压： V
BE （ SAT ）
(V)
300
200
100
50
兴业银行
Ta
=
25°C
f
=
1MHz
I
E
=
0A
I
C
=
0A
COB
200
100
0.2
0.1
0.05
20
10
50
5 10 20 50 100 200 500 1000 2000
COLLETOR电流：I
C
（MA ）
5
10
20
50
100 200
500 1000 2000
0.5
1
2
5
10
20 30
发射极电流：我
E
（MA ）
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
发射器基极电压
: V
EB
(V)
图7基极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
图8的增益带宽积主场迎战
发射极电流
图9集电极输出电容主场迎战
集电极 - 基极电压
发射器的输入电容与
发射极 - 基极电压
5
I
C最大。 （脉冲）
5
I
C（最大值）
。 （脉冲）
DC
P
W
=500μs
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
Ta=25°C
*单
0.02
不重复
脉冲
0.01
0.1 0.2 0.5 1
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
s
0m
=
1
Pw
s
m
00
=
1
Pw
D
C
2
5 10 20
50
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
P
W
=1ms
P
W
=100ms
Ta=25°C
*单
不重复
脉冲
0.01
0.1 0.2 0.5 1
0.02
2
5 10 20
50
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图10安全作业区
(2SB1188)
图11安全作业区
(2SB1182)
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