功率晶体管（ -80V ，
1A)
2SB1260 / 2SB1181
■特点
1）海特击穿电压和高电流。
BV
首席执行官
=
80V,
I
C
=
1A
2 ）良好的
FE
linearty 。
3 ）低V
CE （ SAT ）
.
4 ）补充了2SD1898 / 2SD1733 。
尺寸
（单位：毫米）
2SB1260
4.5
+0.2
1.6±0.1
1.5±
2SB1181
1.5
±
0.3
6.5
±
0.2
5.1
+
0.2
2.3
+
0.2
C0.5
0.5
±
0.1
0.5±0.1
5.5
+
0.3
4.0
±0.3
2.5
+0.2
0.75
(1)
(2)
(3)
0.4±0.1
1.5±0.1
0.4
+0.1
0.65
±
0.1
0.9
1.0±0.2
0.55
±
0.1
2.3
±
0.2
2.3
±
0.2
1.0
±
0.2
Structure
外延平面型
PNP硅晶体管
0.4±0.1
1.5±0.1
0.5±0.1
3.0±0.2
(1) (2) (3)
ROHM ： MPT3
EIAJ ：SC- 62
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
ROHM ： CPT3
EIAJ ： SC- 63
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
“绝对
最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
2SB1260
集电极电源
耗散
2SB1181
2SB1181
结温
储存温度
Tj
TSTG
P
C
范围
80
80
5
1
2
0.5
2
1
10
150
55
+150
W（ =锝25
°C
)
2
1
单位
V
V
V
A（ DC ）
A（脉冲）
W
°C
°C
1
2
2SB1260 ： PW = 20ms的占空比= 1 /
2SB1260 ：当安装在一个40
×
40
×
0.7毫米陶瓷板。
ⅵELECTRICAL
特征
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率2SB1181
输出电容
2SB1260
2SB1181
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
80
80
5
120
典型值。
100
20
25
马克斯。
1
1
0.4
390
单位
V
V
V
I
C
= 50μ
A
I
C
= -1mA
I
E
= 50μ
A
V
CB
= 60V
V
EB
= 4V
I
C
/I
B
= -500mA / -50mA
V
CE
= 3V,
I
C
= 0.1A
V
CE
= 10V,
I
E
=50mA,
f=100MHz
V
CB
= 10V
I
E
=0A
f=1MHz
条件
μ
A
μ
A
V
兆赫
pF
pF
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c
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1/2
2012.01 - Rev.G
2.5
9.5
±
0.5
0.9
1.5
2SB1260 / 2SB1181
Packaging
规格和h
FE
数据表
包
CODE
TYPE
2SB1260
2SB1181
h
FE
QR
QR
基本订购
单位（件）
TL
TAPING
T100
1000
2500
h
FE
值被分类如下：
项
h
FE
Q
120至270
R
180 390
ⅵELECTRICAL
特性曲线
1000
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
(A)
Ta
=
25°C
V
CE
= 5V
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
Ta=25°C
4.5mA
4mA
3.5mA
3mA
2.5mA
2mA
1.5mA
1mA
0.5mA
I
B
=0mA
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
1000
500
Ta=25°C
100
直流电流增益：H
FE
200
100
50
V
CE
= 3V
1V
10
1
20
10
1 2
0.1
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
基地发射极电压： V
BE
(V)
5 10 20
50 100 200 500 1000 2000
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
集电极电流：我
C
（MA ）
Fig.1
发射极接地传播
特征
Fig.2
接地发射极输出
特征
Fig.3
直流电流增益主场迎战
集电极电流
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
跃迁频率：F
T
（兆赫）
Ta=25°C
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
2000
集电极电流：我
C
（MA ）
I
C
/I
B
=20
10
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10 20
Ta
=
25°C
V
CE
= 5V
集电极输出电容：玉米棒
（PF ）
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.1
-0.2
0.5
-1
2
5 10 20
50 100
Ta
=
25
°C
f
=
1MHz
I
E
=
0A
50 100 200
500 1000
发射极电流：我
E
（MA ）
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
Fig.4
集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
Fig.5
增益带宽积
与发射极电流
Fig.6
集电极输出电容
与集电极 - 基极电压
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