【JMnic产品speci fi cation硅PNP功率晶体管2SB1156描述·带TO- 3PFa】,IC型号2SB1156,2SB1156 PDF资料,2SB1156经销商,ic,电子元器件-51电子网

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JMnic

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

2SB1156

描述

·带

TO- 3PFa包

.Complement

键入2SD1707

ULOW

集电极饱和电压

●大

集电极电流

应用

For

电源开关应用

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器

辐射源

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

T

a

=25℃

P

C

集电极耗散功率

T

C

=25℃

T

j

T

英镑

结温

储存温度

100

150

-55~150

℃

℃

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

-130

-80

-7

-20

-30

3

W

单位

V

V

V

A

A

JMnic

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

2SB1156

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

（ BR ） CEO

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BEsat-1

V

BEsat-2

I

CBO

I

EBO

h

FE -1

h

FE -2

h

FE -3

f

T

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

直流电流增益

跃迁频率

条件

I

C

= -10mA ;我

B

=0

I

C

= -8A ，我

B

=-0.4A

I

C

= -20A ，我

B

=-2A

I

C

= -8A ，我

B

=-0.4A

I

C

= -20A ，我

B

=-2A

V

CB

= -100V ;我

E

=0

V

EB

= -5V ;我

C

=0

I

C

= -0.1A ; V

CE

=-2V

I

C

= -3A ; V

CE

=-2V

I

C

= -10A ; V

CE

=-2V

I

C

= -0.5A ; V

CE

=-10V

45

60

30

25

兆赫

260

民

-80

-0.5

-1.5

-1.5

-2.5

-10

-50

典型值。

最大

单位

V

V

V

V

V

μA

μA

开关时间

t

on

t

英镑

t

f

开启时间

贮存时间

下降时间

V

CC

=-50V;

I

C

=-3A;I

B1

= -0.8A ，我

B2

=0.8A

0.5

1.2

0.2

μs

μs

μs

h

FE-2

分类

R

60-120

Q

90-180

P

130-260

2

JMnic

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2SB1156

图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.30毫米）

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

2SB1156

描述

·带

TO- 3PFa包

.Complement

键入2SD1707

ULOW

集电极饱和电压

●大

集电极电流

应用

For

电源开关应用

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器

辐射源

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

参数

固电

IN

导½

半

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

的HAn

C

ES

G

发射极开路

ND

ICO

EM

条件

OR

UCT

价值

-130

-80

-7

-20

-30

单位

V

V

V

A

A

开基

集电极开路

集电极电流峰值

T

a

=25℃

3

W

100

150

-55~150

℃

℃

P

C

集电极耗散功率

T

C

=25℃

T

j

T

英镑

结温

储存温度

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

2SB1156

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

（ BR ） CEO

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BEsat-1

V

BEsat-2

I

CBO

I

EBO

h

FE -1

h

FE -2

h

FE -3

f

T

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

条件

I

C

= -10mA ;我

B

=0

I

C

= -8A ，我

B

=-0.4A

I

C

= -20A ，我

B

=-2A

I

C

= -8A ，我

B

=-0.4A

I

C

= -20A ，我

B

=-2A

V

CB

= -100V ;我

E

=0

V

EB

= -5V ;我

C

=0

I

C

= -0.1A ; V

CE

=-2V

I

C

= -3A ; V

CE

=-2V

45

60

民

-80

-0.5

-1.5

-1.5

-2.5

-10

-50

典型值。

最大

单位

V

V

V

V

V

μA

μA

电半

固

IN

直流电流增益

直流电流增益

直流电流增益

导½

跃迁频率

开关时间

t

on

t

英镑

t

f

ES

昂

CH

I

C

= -10A ; V

CE

=-2V

I

C

= -0.5A ; V

CE

=-10V

ND

ICO

EM

OR

UCT

260

25

兆赫

30

开启时间

贮存时间

下降时间

V

CC

=-50V;

I

C

=-3A;I

B1

= -0.8A ，我

B2

=0.8A

0.5

1.2

0.2

μs

μs

μs

h

FE-2

分类

R

60-120

Q

90-180

P

130-260

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2SB1156

固电

IN

导½

半

ES

昂

CH

ND

ICO

EM

OR

UCT

图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.30毫米）

3

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

2SB1156

描述

·采用TO- 3PFa包

·补键入2SD1707

·低集电极饱和电压

·大型集电极电流

应用

·对于功率开关应用

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器

辐射源

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

T

a

=25

P

C

集电极耗散功率

T

C

=25

T

j

T

英镑

结温

储存温度

100

150

-55~150

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

-130

-80

-7

-20

-30

3

W

单位

V

V

V

A

A

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

2SB1156

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

直流电流增益

跃迁频率

条件

I

C

= -10mA ;我

B

=0

I

C

= -8A ，我

B

=-0.4A

I

C

= -20A ，我

B

=-2A

I

C

= -8A ，我

B

=-0.4A

I

C

= -20A ，我

B

=-2A

V

CB

= -100V ;我

E

=0

V

EB

= -5V ;我

C

=0

I

C

= -0.1A ; V

CE

=-2V

I

C

= -3A ; V

CE

=-2V

I

C

= -10A ; V

CE

=-2V

I

C

= -0.5A ; V

CE

=-10V

45

60

30

25

兆赫

260

民

-80

-0.5

-1.5

-1.5

-2.5

-10

-50

典型值。

最大

单位

V

V

V

V

V

A

A

符号

V

（ BR ） CEO

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BEsat-1

V

BEsat-2

I

CBO

I

EBO

h

FE -1

h

FE -2

h

FE -3

f

T

开关时间

t

on

t

英镑

t

f

开启时间

贮存时间

下降时间

V

CC

=-50V;

I

C

=-3A;I

B1

= -0.8A ，我

B2

=0.8A

0.5

1.2

0.2

s

s

s

h

FE-2

分类

R

60-120

Q

90-180

P

130-260

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2SB1156

图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.30毫米）

3

功率晶体管

2SB1156

PNP硅外延平面型

对于开关电源

补充2SD1707

单位：mm

s

特点

q

q

q

q

16.2±0.5

12.5

3.5

浸焊

s

绝对最大额定值

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

峰值集电极电流

集电极电流

集电极电流T

C

=25°C

耗散

Ta=25°C

结温

储存温度

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CP

I

C

P

C

T

j

T

英镑

(T

C

=25C)

评级

–130

–80

–7

–30

–20

100

3

150

-55到+150

单位

V

V

V

A

A

W

C

C

21.0±0.5

15.0±0.2

低集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

的盼着电流传输比H良好的线性

FE

大的集电极电流I

C

可与被安装在散热片的全包包

一颗螺丝

0.7

15.0±0.3

11.0±0.2

5.0±0.2

3.2

φ3.2±0.1

2.0±0.2

2.0±0.1

1.1±0.1

5.45±0.3

10.9±0.5

1

2

3

0.6±0.2

1 ：基本

2 ：收藏家

3 ：发射器

TOP- 3全包套餐（一）

s

电气特性

参数

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

集电极到发射极电压

(T

C

=25C)

符号

I

CBO

I

EBO

V

首席执行官

h

FE1

h

FE2*

h

FE3

V

CE(sat)1

V

CE(sat)2

V

BE(sat)1

V

BE(sat)2

f

T

t

on

t

英镑

t

f

条件

V

CB

= -100V ，我

E

= 0

V

EB

= -5V ，我

C

= 0

I

C

= -10mA ，我

B

= 0

V

CE

= -2V ，我

C

= – 0.1A

V

CE

= -2V ，我

C

= –3A

V

CE

= -2V ，我

C

= –10A

I

C

= -8A ，我

B

= – 0.4A

I

C

= -20A ，我

B

= –2A

I

C

= -8A ，我

B

= – 0.4A

I

C

= -20A ，我

B

= –2A

V

CE

= -10V ，我

C

= - 0.5A ， F = 10MHz时

I

C

= -3A ，我

B1

= - 0.8A ，我

B2

= 0.8A,

V

CC

= –50V

25

0.5

1.2

0.2

–80

45

90

30

– 0.5

–1.5

–1.5

–2.5

V

V

V

V

兆赫

s

s

s

260

民

典型值

最大

–10

–50

单位

A

A

V

正向电流传输比

集电极到发射极饱和电压

基地发射极饱和电压

跃迁频率

开启时间

贮存时间

下降时间

*

h

FE2

等级分类

Q

90至180

P

130 260

秩

h

FE2

注：订货可以通过共同的秩进行PQ（秩

FE2

= 90 260 ）中的排名分类。

1

功率晶体管

P

C

- TA

200

–20

(1) T

C

= TA

（2）在一个100

×

100

×

2mm

铝散热器

（ 3 ）不带散热片

(P

C

=3W)

I

B

=–300mA

–16

–200mA

–12

–140mA

–100mA

–8

–80mA

–60mA

–4

(2)

(3)

0

0

25

50

75

100

125

150

0

0

–2

–4

–6

–8

–10

–12

–40mA

–20mA

T

C

=25C

2SB1156

I

C

— V

CE

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

–10

V

CE （ SAT ）

— I

C

(1) I

C

/I

B

=10

(2) I

C

/I

B

=20

T

C

=25C

集电极耗散功率P

C

(W)

集电极电流I

C

(A)

160

–3

120

(1)

80

–1

(2)

(1)

– 0.3

– 0.1

40

– 0.03

– 0.01

– 0.1

– 0.3

–1

–3

–10

–30

环境温度Ta （C ）

集电极到发射极电压V

CE

(V)

集电极电流I

C

(A)

V

CE （ SAT ）

— I

C

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

–100

–10

I

C

/I

B

=10

V

BE （ SAT ）

— I

C

基地发射极饱和电压V

BE （ SAT ）

(V)

I

C

/I

B

=10

1000

–30

–10

–3

–1

100C

25C

T

C

=–25C

h

FE

— I

C

V

CE

=–2V

–3

T

C

=100C

25C

正向电流传输比H

FE

300

T

C

=100C

25C

–1

100

–25C

30

– 0.3

–25C

– 0.3

– 0.1

– 0.03

– 0.1

10

– 0.03

3

– 0.01

– 0.1

– 0.3

–1

–3

–10

–30

– 0.01

– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3

–1

–3

–10

1

– 0.1

– 0.3

–1

–3

–10

–30

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

f

T

— I

C

1000

300

100

30

10

3

1

0.3

0.1

– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3

0.01

–1

–3

–10

0

–1

V

CE

=–10V

f=10MHz

T

C

=25C

10

t

on

, t

英镑

, t

f

— I

C

安全操作区（ ASO ）

–100

–30

I

CP

I

C

–10

–3

–1

DC

非重复脉冲

T

C

=25C

t=1ms

10ms

过渡频率f

T

（兆赫）

开关时间t

on

,t

英镑

,t

f

(

s

)

3

1

t

on

t

f

0.3

0.1

脉冲吨

w

=1ms

占空比= 1 ％

I

C

/I

B

=10

(–I

B1

=I

B2

)

V

CC

=–50V

T

C

=25C

–2

–3

–4

–5

–6

–7

–8

0.03

集电极电流I

C

(A)

t

英镑

– 0.3

– 0.1

– 0.03

– 0.01

–1

–3

–10

–30

–100 –300 –1000

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

集电极到发射极电压V

CE

(V)

2

功率晶体管

R

日（T ）

— t

10

3

(1) P

T

=10V

×

0.3A （ 3W ）和不带散热片

(2) P

T

=10V

×

1A（ 10W ）中，用一个100

×

100

×

2毫米铝散热片

2SB1156

热阻R

th

（吨）（ C / W）

10

2

(1)

10

(2)

1

10

–1

10

–3

10

–2

10

–1

1

10

10

2

10

3

10

4

时间t （S ）

3

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联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

2SB1156

-

-

-

-

终端采购配单精选

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

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电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

2SB1156

-

-

-

-

终端采购配单精选

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电话：0755-88291559

联系人：陈泽强

地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318

2SB1156

SANKEN

2443+

23000

TO-220

一级代理专营，原装现货，价格优势

深圳市芯满林科技有限公司

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电话：18926544209/18025435189

联系人：夏小姐/朱先生

地址：深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514

2SB1156

MAT

24+

32000

TO-3P

百分百原装现货，价格优势，欢迎查询！

北京元坤国际科技有限公司

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联系人：何小姐

地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

2SB1156

PANASONIC/松下

21+

15360

TO-3PF

全新原装正品/质量有保证

深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

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电话：0755-23607529/23603360/83258002

联系人：江先生

地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813

2SB1156

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