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订购数量： EN2040B

2SB1122 / 2SD1622

三洋半导体

数据表

2SB1122 / 2SD1622

应用

PNP / NPN外延平面硅晶体管

低频功率放大器的应用

稳压器继电器驱动器，灯驱动器，电气设备。

特点

采用FBET过程。

超小的尺寸使其易于提供高密度混合集成电路。

特定网络阳离子

（）： 2SB1122

绝对最大额定值

在TA = 25℃

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流（脉冲）

集电极耗散

结温

储存温度

符号

VCBO

VCEO

VEBO

ICP

TSTG

安装在陶瓷板（ 250毫米

0.8mm)

条件

评级

(--)60

(--)50

(--)5

(--)1

(--)2

500

1.3

150

--55到150

单位

°C

电气特性

在TA = 25℃

参数

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

符号

ICBO

IEBO

条件

VCB = （ - ） 50V ， IE = 0A

VEB = （ -

- ） 4V ， IC = 0A

评级

民

典型值

最大

-)100

单位

标记2SB1122 ： BE

2SD1622 ： DE

接下页。

任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品

"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，

通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。本文提到的产品不得

意欲用于任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，航天

仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号控制系统，安全

设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁到人的生命的情况下，

故障或产品或故障可能导致危害人体组织中，也不得给予任何保证

物。如果您打算使用我们的产品的标准应用之外的应用我们

客户谁是考虑到这样的使用和/或外面的我们的预期标准的应用程序的范围，请

与我们之前的预期用途进行磋商。如果在预定使用之前没有咨询或查询，我们

客户应自行负责使用。

产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定

的性能，特点，以及在独立的状态下所描述的产品的功能，并且不

的性能，特点，以及所述产品的功能，作为安装在保证

客户的产品或设备。要验证的症状，并且不能在一个独立的评估状态

设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的产品或

设备。

www.semiconductor-sanyo.com/network

http://semicon.sanyo.com/en/network

31710EA TK IM / O1003TN （ KOTO ） / 92098HA （ KT ） / 4107KI / 9266AT ， TS No.2040-1 / 5

2SB1122 / 2SD1622

从接下页。

参数

直流电流增益

增益带宽积

输出电容

集电极 - 发射极饱和电压

基极 - 发射极饱和电压

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

开启时间

贮存时间

下降时间

符号

hFE1

hFE2

COB

VCE （ SAT ）

VBE （ SAT ）

V（ BR ） CBO

V（ BR ） CEO

V（ BR ） EBO

吨

TSTG

条件

VCE = （ - ） 2V ， IC = （ -

-)100mA

VCE = （ - ） 2V ， IC = （ - ） 1A

VCE = （ - ） 10V ， IC = （ - ） 50毫安

VCB = （ - ） 10V ， F = 1MHz的

IC = （ -

- ） 500毫安， IB = （ -

-)50mA

IC = （ -

- ） 500毫安， IB = （ -

-)50mA

IC = （ -

- ） 10μA ， IE = 0A

IC = （ -

- ） 1mA时， RBE = ∞

IE = （ -

- ） 10μA ， IC = 0A

见指定的测试电路。

(--)60

(--)50

(--)5

(40)40

(300)350

(30)30

评级

民

100*

150

(12)8.5

-180)120 (-

-500)300

(--)0.9

(--)1.2

兆赫

典型值

最大

560*

单位

该2SB1122 / 2SD1622由百毫安的hFE分类如下：

秩

的hFE

100至200

140至280

200至400

280 560

包装尺寸

单位：mm （典型值）

7007B-004

开关时间测试电路

PW=20μs

D.C.≤1%

输入

IB1

IB2

产量

50Ω

470μF

25V

100μF

--5V

IC = 10IB1 = --10IB2 = 500毫安

（对于PNP ，极性是相反的）

No.2040-2/5

2SB1122 / 2SD1622

--1.0

IC - VCE

2SB1122

--1

1.0

IC - VCE

2SD1622

--10

--8mA

6mA

5mA

集电极电流， IC - 一个

--0.6

--4mA

集电极电流， IC - 一个

--0.8

--6mA

0.8

4mA

3mA

2mA

0.6

--0.4

--2mA

--1mA

0.4

--0.2

0.2

1mA

--1

--2

--3

IB=0mA

--4

--5

ITR08877

IB=0mA

ITR08878

集电极 - 发射极电压VCE - V

--1200

IC - VBE

集电极 - 发射极电压VCE - V

1200

IC - VBE

2SB1122

VCE = --2V

2SD1622

VCE=2V

1000

--1000

集电极电流， IC - 毫安

--800

集电极电流， IC - 毫安

800

--600

600

Ta=7

--25

--400

400

--200

200

--0.2

--0.4

--0.6

--0.8

--1.0

--1.2

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

ITR08880

基极发射极电压VBE - V

1000

ITR08879

1000

的hFE - IC

基极发射极电压VBE - V

的hFE - IC

2SB1122

VCE = --2V

Ta=75°C

Ta=7

--25

2SD1622

VCE=2V

Ta=75°C

直流电流增益， hFE参数

--25°C

100

7 --10

7 --100

7 --1000

直流电流增益， hFE参数

100

7 10

7 100

7 1000

--25°C

集电极电流， IC - 毫安

ITR08881

F T - IC

集电极电流， IC - 毫安

ITR08882

COB - VCB

VCE=10V

f=1MHz

增益带宽积， F T - 兆赫

输出电容，科夫 - pF的

2SD1622

2SB1122

100

2SB

2SD

162

为PNP型，省略了负号

100

1.0

为PNP型，省略了负号

集电极电流， IC - 毫安

ITR08883

集电极 - 基极电压VCB - V

7 100

ITR08884

No.2040-3/5

2SB1122 / 2SD1622

--1000

VCE （SAT） - IC

集电极 - 发射极

饱和电压VCE （SAT） - 毫伏

集电极 - 发射极

饱和电压VCE （SAT） - 毫伏

2SB1122

IC / IB = 10

1000

VCE （SAT） - IC

2SD1622

IC / IB = 10

--100

100

--25

--2

--10

7 --10

7 --100

集电极电流， IC - 毫安

--10

5 7 --1000

ITR08885

7 100

VBE （星期六） - IC

集电极电流， IC - 毫安

5 7 1000

ITR08886

VBE （星期六） - IC

基极 - 发射极

饱和电压VBE （星期六） - V

基极 - 发射极

饱和电压VBE （星期六） - V

2SB1122

IC / IB = 10

2SD1622

IC / IB = 10

--1.0

7 --10

--25

°C

1.0

--25

°C

7 --100

集电极电流， IC - 毫安

1.0

0.1

0.01

5 7 --1000

ITR08887

1.4

1.3

1.2

7 100

集电极电流， IC - 毫安

5 7 1000

ITR08888

ASO

ICP=2A

IC=1A

PC - TA

2SB1122 / 2SD1622

2SB1122 /

2SD1622

集电极耗散，电脑 - 含

集电极电流， IC - 一个

1.0

ERA

TIO

0.8

0.6

0.5

0.4

热

SINK

0.8

为PNP型，省略了负号

TA = 25 ℃，单脉冲

安装在陶瓷板（ 250毫米

0.8mm)

1.0

0.2

100

ITR08889

100

120

)

140

160

集电极 - 发射极电压VCE - V

环境温度，钽 -

°C

ITR08890

No.2040-4/5

2SB1122 / 2SD1622

三洋半导体有限公司。承担设备故障而导致的使用不承担任何责任

超出的价值产品，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作条件

在产品规格的任何及所有三洋半导体股份有限公司上市范围或其他参数）。

本文描述或包含的产品。

三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品，然而，任何和所有

半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的，这些概率的故障或

故障可能会引起事故或事件，危及人的生命，这可能会引起麻烦

烟雾或火灾，事故或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用

安全的措施，确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不

为了保护电路，电路错误预防安全的设计，多余的设计和结构

设计。

倘任何或所有三洋半导体有限公司。描述或包含的产品均为

在任何当地出口管制法律和法规控制，这些产品可能需要

从有关根据上述法律，当局出口许可证。

本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或

机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，或其他方式，

没有三洋半导体有限公司的事先书面同意。

任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化

产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"的

三洋半导体有限公司。你打算使用的产品。

本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不能保证

量产。

当使用的技术信息或本文描述的产品，既没有担保也没有牌照，应准予

关于知识产权或三洋半导体有限公司的任何其他权利。或任何第三

派对。三洋半导体有限公司。不得与有关第三方的任何索赔或诉讼承担责任

这导致从使用的技术信息和产品中提到的知识产权

以上。

该目录规定的3月， 2010年规范和信息此处如有

更改，恕不另行通知。

PS No.2040-5 / 5

SMD型

晶体管

PNP外延平面硅晶体管

2SB1122

特点

采用FBET过程..

非常小的尺寸使其易于提供高密度

混合集成电路“

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流（脉冲）

集电极耗散

Jumction温度

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

-60

-50

-5

-1

-2

500

150

-55到+150

单位

www.kexin.com.cn

SMD型

2SB1122

电气特性TA = 25

参数

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益

增益带宽积

输出电容

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

开启时间

符号

CBO

EBO

Testconditons

= -50V ，我

= 0

= -4V ，我

= 0

= -2V ，我

= -100mA

= -10V ，我

= -50mA

= -10V ， F = 1MHz的

晶体管

民

典型值

最大

-100

单位

100

150

-180

-0.9

-60

-50

-5

560

兆赫

-500

-1.2

CE （ SAT ）

= -500mA ，我

= -50mA

BE （ SAT ）

= -500mA ，我

= -50mA

（ BR ） CBO

= -10ìA ，我

= 0

（ BR ） CEO

= -1mA ，R

（ BR ） EBO

= -10ìA ，我

= 0

吨

贮存时间

TSTG

300

下降时间

分类

记号

秩

的hFE

100

200

140

280

200

400

280

560

www.kexin.com.cn

产品speci fi cation

2SB1122

特点

采用FBET过程..

非常小的尺寸使其易于提供高密度

混合集成电路“

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流（脉冲）

集电极耗散

Jumction温度

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

-60

-50

-5

-1

-2

500

150

-55到+150

单位

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

1 2

产品speci fi cation

电气特性TA = 25

参数

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益

增益带宽积

输出电容

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

开启时间

符号

CBO

EBO

Testconditons

= -50V ，我

= 0

= -4V ，我

= 0

= -2V ，我

= -100mA

= -10V ，我

= -50mA

= -10V ， F = 1MHz的

100

民

2SB1122

典型值

最大

-100

560

150

-180

-0.9

-60

-50

-5

-500

-1.2

兆赫

单位

CE （ SAT ）

= -500mA ，我

= -50mA

BE （ SAT ）

= -500mA ，我

= -50mA

（ BR ） CBO

= -10ìA ，我

= 0

（ BR ） CEO

= -1mA ，R

（ BR ） EBO

= -10ìA ，我

= 0

吨

贮存时间

TSTG

300

下降时间

分类

记号

秩

的hFE

100

200

140

280

200

400

280

560

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

2 2