数据表
硅晶体管
2SB1116 ， 1116A
PNP硅外延晶体管
低频功率放大器和中速切换
特点
低V
CE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
=
0.20
V TYP 。 （我
C
=
1.0
A，I
B
=
50
毫安）
高P
T
在与通用的小尺寸
P
T
= 0.75 W，V
首席执行官
=
50/60
V，I
C（ DC ）
=
1.0
A
与2SD1616和1616A互补晶体管
封装图（单位：mm ）
绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）
°
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C（ DC ）
I
C（脉冲）
*
P
T
T
j
T
英镑
评级
2SB1116 2SB1116A
60
80
50
6.0
1.0
2.0
0.75
150
55
+150
60
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
* PW
≤
10毫秒，占空比
≤
50%
电气特性（Ta = 25 ° C）
°
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
DC基极电压
集电极饱和电压
基本饱和电压
输出电容
增益带宽积
开启时间
储存温度
下降时间
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE1
**
h
FE2
**
V
BE
**
V
CE （ SAT ）
**
V
BE （ SAT ）
**
C
ob
f
T
t
on
t
英镑
t
f
条件
V
CB
=
60
V，I
E
= 0
V
EB
=
6.0
V，I
C
= 0
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
100
mA
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
1.0
A
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
50
mA
I
C
=
1.0
A，I
B
=
50
mA
I
C
=
1.0
A，I
B
=
50
mA
V
CB
=
10
V，I
E
= 0中，f = 1.0兆赫
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
100
mA
V
CC
=
10
V，I
C
=
100
mA
I
B1
=
I
B2
=
10
毫安，
V
BE （OFF）的
= 2至3伏
70
135
81
600
分钟。
2SB1116 ， 1116A
典型值。
马克斯。
100
100
600/400
650
0.20
0.9
25
120
0.07
0.70
0.07
700
0.3
1.2
mV
V
V
pF
兆赫
s
单位
nA
nA
s
s
**脉冲测试PW
≤
350
S，占空比
≤
2%
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一号文件D16195EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2002年4月 CP （ K）
日本印刷
2002
1998
QQ：2880707522 复制
