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JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1087
描述
·带
TO- 220封装
直流电流增益
·达林顿
应用
For
低频功率放大器和低
高速功率开关应用
钉扎
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流DC
T
a
=25℃
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
30
150
-55~150
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
-100
-100
-5
-5
1.5
W
单位
V
V
V
A
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
典型值。
2SB1087
最大
单位
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -30mA ,我
B
=0
-100
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -2A ,我
B
=-2mA
-1.5
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= -2A ,我
B
=-2mA
-2.0
V
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= -100V ,我
E
=0
1
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= -5V ;我
C
=0
-3
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= -2A ,V
CE
=-5V
2000
20000
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= -5A ,V
CE
=-5V
500
2
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB1087
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1087
描述
·带
TO- 220封装
直流电流增益
·达林顿
应用
For
低频功率放大器和低
高速功率开关应用
钉扎
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
参数
固电
IN
导½
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流DC
ES
CH
发射极开路
开基
MIC
E
条件
ND
O
OR
UCT
价值
-100
-100
-5
-5
单位
V
V
V
A
集电极开路
T
a
=25℃
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
1.5
W
30
150
-55~150
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
典型值。
2SB1087
最大
单位
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -30mA ,我
B
=0
-100
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -2A ,我
B
=-2mA
-1.5
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= -2A ,我
B
=-2mA
-2.0
V
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= -100V ,我
E
=0
1
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= -5V ;我
C
=0
-3
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= -2A ,V
CE
=-5V
2000
20000
h
FE-2
直流电流增益
固电
IN
导½
I
C
= -5A ,V
CE
=-5V
500
ES
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB1087
固电
IN
导½
ES
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1087
描述
·采用TO- 220封装
·高直流电流增益
·达林顿
应用
·对于低频功率放大器和低
高速功率开关应用
钉扎
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值( TA = 25 )
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流DC
T
a
=25
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
30
150
-55~150
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
-100
-100
-5
-5
1.5
W
单位
V
V
V
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= -30mA ,我
B
=0
I
C
= -2A ,我
B
=-2mA
I
C
= -2A ,我
B
=-2mA
V
CB
= -100V ,我
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -2A ,V
CE
=-5V
I
C
= -5A ,V
CE
=-5V
2000
500
-100
2SB1087
符号
V
( BR ) CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
典型值。
最大
单位
V
-1.5
-2.0
1
-3
20000
V
V
A
mA
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB1087
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1087
描述
·带
TO- 220封装
直流电流增益
·达林顿
应用
For
低频功率放大器和低
高速功率开关应用
钉扎
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流DC
T
a
=25℃
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
30
150
-55~150
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
-100
-100
-5
-5
1.5
W
单位
V
V
V
A
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
典型值。
2SB1087
最大
单位
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -30mA ,我
B
=0
-100
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -2A ,我
B
=-2mA
-1.5
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= -2A ,我
B
=-2mA
-2.0
V
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= -100V ,我
E
=0
1
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= -5V ;我
C
=0
-3
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= -2A ,V
CE
=-5V
2000
20000
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= -5A ,V
CE
=-5V
500
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB1087
图2外形尺寸
3
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
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    2SB1087
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    -
    -
    -
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电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
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NEC
15+
9000
TO-220
原装现货真实
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
2SB1087
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23000
TO-220
一级代理专营,原装现货,价格优势
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TO-220
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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联系人:刘经理
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全新原装正品/质量有保证
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联系人:刘先生
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2SB1087
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2SB1087
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2SB1087
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联系人:江先生
地址:深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
2SB1087
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