功率晶体管
2SB1054
PNP硅三重扩散平面型
对于高功率放大
(0.7)
单位：mm
15.0
±0.3
11.0
±0.2
5.0
±0.2
(3.2)
补充2SD1485
■
特点
优良的集电极电流I
C
正向电流的特性
传输比H
FE
广泛的安全工作区
高转换频率f
T
这可以用一个可安装在散热片的全包包
螺丝
21.0
±0.5
φ
3.2
±0.1
15.0
±0.2
(3.5)
浸焊
2.0
±0.2
1.1
±0.1
2.0
±0.1
0.6
±0.2
■
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
T
a
=
25°C
结温
储存温度
T
j
T
英镑
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
等级
100
100
5
5
8
60
3
150
55
to
+150
°C
°C
单位
V
V
V
A
A
W
1
16.2
±0.5
5.45
±0.3
10.9
±0.5
2
3
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
EIAJ ：SC- 92
TOP- 3F -A1套餐
■
电气特性
T
C
=
25°C
±
3°C
参数
基射极电压
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
发射极 - 基极截止电流（集电极开路）
正向电流传输比
符号
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2 *
h
FE3
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
（共同的基础，输入开路）
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
条件
V
CE
= 5
V，I
C
= 3
A
V
CB
= 100
V，I
E
=
0
V
EB
= 3
V，I
C
=
0
V
CE
= 5
V，I
C
= 20
mA
V
CE
= 5
V，I
C
= 1
A
V
CE
= 5
V，I
C
= 3
A
I
C
= 3
A，I
B
=
0.3 A
V
CE
= 5
V，I
C
=
0.5 A，F
=
1兆赫
V
CB
= 10
V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
20
170
20
40
20
2.0
V
兆赫
pF
200
民
典型值
最大
1.8
50
50
单位
V
A
A
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * ：等级分类
秩
h
FE2
R
40至80
Q
60至120
P
100至200
出版日期： 2003年3月
SJD00038BED
1
2SB1054
P
C
T
a
80
(1)T
C
= TA
（2）在一个100 ×100× 2毫米
铝散热器
（ 3 ）不带散热片
(P
C
=3.0W)
I
C
V
CE
6
I
B
=–80mA
T
C
=25C
I
C
V
BE
6
25C
T
C
=100C
–25C
V
CE
=–5V
集电极耗散功率P
C
(W)
5
集电极电流I
C
(A)
4
–60mA
–50mA
–40mA
集电极电流I
C
(A)
60
(1)
–70mA
5
4
40
3
–30mA
–20mA
–10mA
3
2
2
20
(2)
(3)
1
–5mA
1
0
0
0
40
80
120
160
0
2
4
6
8
10
12
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
环境温度T
a
(°C)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
V
CE （ SAT ）
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
I
C
/I
B
=10
h
FE
I
C
10
4
f
T
I
C
V
CE
=–5V
1 000
V
CE
=–5V
f=1MHz
T
C
=25C
正向电流传输比H
FE
10
10
3
T
C
=100C
25C
过渡频率f
T
（兆赫）
1
10
100
1
T
C
=100C
25C
–25C
10
2
–25C
10
0.1
10
1
0.01
0.01
0.1
1
10
1
0.01
0.1
0.1
0.01
0.1
1
10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
安全工作区
100
非重复脉冲
T
C
=25C
R
th
t
10
3
(1)P
T
= 10V × 0.3A （ 3W ）和不带散热片
(2)P
T
= 10V × 1A（ 10W ）中，用一个100 ×100× 2毫米铝散热器
集电极电流I
C
(A)
10
I
CP
I
C
DC
t=1ms
热阻R
th
（ ° C / W）
10
2
(1)
10
(2)
1
t=10ms
0.1
1
0.01
1
10
100
1
000
10
1
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
10
3
10
4
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
时间t （S ）
2
SJD00038BED
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
（ 1）出口许可证需要从日本政府主管部门获得的
如果在此材料的任何产品或技术的描述和控制下"Foreign
外汇及外贸Law"是要出口或带出日本。
（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表characteris-
抽搐和产品的应用电路示例。它既不保证不侵权的好知识
识产权权利或本公司或第三方，也不授予任何许可拥有的任何其他权利。
（ 3 ）我们不为权利所产生出使用的第三方拥有的侵权责任
产品或如在本材料中描述的技术。
（4）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般
电子设备（如办公设备，通讯设备，测量仪器
ments和家用电器） 。
提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备，
燃烧设备，生命支持系统和安全装置），其中卓越的品质和
可靠性是必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
（ 5 ）在本材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不
通知进行修改和/或改进。在您的设计，采购，或使用的最后阶段
的产品，因此，要求的最先进的最新产品标准提前，以确保
最新的规格满足您的要求。
（ 6 ）在设计你的装备，符合保障的价值，特别是对马克西 -
妈妈等级，工作电源电压的范围内，和热辐射特性。其它 -
明智的，我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用，考虑到审议
分解，失效模式，可能的发病发生于半导体产品。措施
在系统上，如冗余设计，火势蔓延或预防干扰的
建议为了防止物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用
产品。
（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括
保质期的时间，让站在非密封件）同意在规格表后，
单独交流。
（ 8 ）该材料可不能转载或复制全部或部分，未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2002年七月
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB1054
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.30毫米）
3
功率晶体管
2SB1054
PNP硅三重扩散平面型
对于高功率放大
(0.7)
单位：mm
15.0
±0.3
11.0
±0.2
5.0
±0.2
(3.2)
补充2SD1485
■
特点
优良的集电极电流I
C
正向电流的特性
传输比H
FE
广泛的安全工作区
高转换频率f
T
这可以用一个可安装在散热片的全包包
螺丝
21.0
±0.5
φ
3.2
±0.1
15.0
±0.2
(3.5)
浸焊
2.0
±0.2
1.1
±0.1
2.0
±0.1
0.6
±0.2
■
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
T
a
=
25°C
结温
储存温度
T
j
T
英镑
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
等级
100
100
5
5
8
60
3
150
55
to
+150
°C
°C
单位
V
V
V
A
A
W
1
16.2
±0.5
5.45
±0.3
10.9
±0.5
2
3
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
EIAJ ：SC- 92
TOP- 3F -A1套餐
■
电气特性
T
C
=
25°C
±
3°C
参数
基射极电压
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
发射极 - 基极截止电流（集电极开路）
正向电流传输比
符号
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2 *
h
FE3
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
（共同的基础，输入开路）
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
条件
V
CE
= 5
V，I
C
= 3
A
V
CB
= 100
V，I
E
=
0
V
EB
= 3
V，I
C
=
0
V
CE
= 5
V，I
C
= 20
mA
V
CE
= 5
V，I
C
= 1
A
V
CE
= 5
V，I
C
= 3
A
I
C
= 3
A，I
B
=
0.3 A
V
CE
= 5
V，I
C
=
0.5 A，F
=
1兆赫
V
CB
= 10
V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
20
170
20
40
20
2.0
V
兆赫
pF
200
民
典型值
最大
1.8
50
50
单位
V
A
A
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * ：等级分类
秩
h
FE2
R
40至80
Q
60至120
P
100至200
出版日期： 2003年3月
SJD00038BED
1
2SB1054
P
C
T
a
80
(1)T
C
= TA
（2）在一个100 ×100× 2毫米
铝散热器
（ 3 ）不带散热片
(P
C
=3.0W)
I
C
V
CE
6
I
B
=–80mA
T
C
=25C
I
C
V
BE
6
25C
T
C
=100C
–25C
V
CE
=–5V
集电极耗散功率P
C
(W)
5
集电极电流I
C
(A)
4
–60mA
–50mA
–40mA
集电极电流I
C
(A)
60
(1)
–70mA
5
4
40
3
–30mA
–20mA
–10mA
3
2
2
20
(2)
(3)
1
–5mA
1
0
0
0
40
80
120
160
0
2
4
6
8
10
12
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
环境温度T
a
(°C)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
V
CE （ SAT ）
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
I
C
/I
B
=10
h
FE
I
C
10
4
f
T
I
C
V
CE
=–5V
1 000
V
CE
=–5V
f=1MHz
T
C
=25C
正向电流传输比H
FE
10
10
3
T
C
=100C
25C
过渡频率f
T
（兆赫）
1
10
100
1
T
C
=100C
25C
–25C
10
2
–25C
10
0.1
10
1
0.01
0.01
0.1
1
10
1
0.01
0.1
0.1
0.01
0.1
1
10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
安全工作区
100
非重复脉冲
T
C
=25C
R
th
t
10
3
(1)P
T
= 10V × 0.3A （ 3W ）和不带散热片
(2)P
T
= 10V × 1A（ 10W ）中，用一个100 ×100× 2毫米铝散热器
集电极电流I
C
(A)
10
I
CP
I
C
DC
t=1ms
热阻R
th
（ ° C / W）
10
2
(1)
10
(2)
1
t=10ms
0.1
1
0.01
1
10
100
1
000
10
1
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
10
3
10
4
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
时间t （S ）
2
SJD00038BED
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
（ 1）出口许可证需要从日本政府主管部门获得的
如果在此材料的任何产品或技术的描述和控制下"Foreign
外汇及外贸Law"是要出口或带出日本。
（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表characteris-
抽搐和产品的应用电路示例。它既不保证不侵权的好知识
识产权权利或本公司或第三方，也不授予任何许可拥有的任何其他权利。
（ 3 ）我们不为权利所产生出使用的第三方拥有的侵权责任
产品或如在本材料中描述的技术。
（4）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般
电子设备（如办公设备，通讯设备，测量仪器
ments和家用电器） 。
提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备，
燃烧设备，生命支持系统和安全装置），其中卓越的品质和
可靠性是必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
（ 5 ）在本材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不
通知进行修改和/或改进。在您的设计，采购，或使用的最后阶段
的产品，因此，要求的最先进的最新产品标准提前，以确保
最新的规格满足您的要求。
（ 6 ）在设计你的装备，符合保障的价值，特别是对马克西 -
妈妈等级，工作电源电压的范围内，和热辐射特性。其它 -
明智的，我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用，考虑到审议
分解，失效模式，可能的发病发生于半导体产品。措施
在系统上，如冗余设计，火势蔓延或预防干扰的
建议为了防止物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用
产品。
（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括
保质期的时间，让站在非密封件）同意在规格表后，
单独交流。
（ 8 ）该材料可不能转载或复制全部或部分，未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2002年七月
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB1054
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.30毫米）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB1054
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.30毫米）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB1054
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.30毫米）
3
QQ：2880707522 复制
