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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
的TO-220封装
高
允许集电极耗散。
.Complement
键入2SD1459
应用
For
彩电垂直输出，
声音输出的应用
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
2SB1037
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-150
-150
-5
-1.5
-3
2.0
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
30
175
-55~175
℃
℃
W
单位
V
V
V
A
A
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SB1037
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止offcurrent
发射极截止offcurrent
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= -10mA ;我
B
=0
I
C
= -0.5A ，我
B
=-50mA
I
C
= -0.5A ，我
B
=-50mA
V
CB
=-120V;I
E
=0
V
EB
=-5V;I
C
=0
I
C
= -0.3A ; V
CE
=-5V
I
C
= -0.1A ; V
CE
=-5V
70
15
民
-150
-1.5
-1.2
-10
-10
200
兆赫
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
h
FE
分类
Q
70-140
R
100-200
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SB1037
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SB1037
4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
的TO-220封装
高
允许集电极耗散。
.Complement
键入2SD1459
应用
For
彩电垂直输出，
声音输出的应用
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
2SB1037
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
固电
IN
导½
半
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
ES
昂
CH
发射极开路
开基
MIC
E
条件
ND
O
OR
UCT
价值
-150
-150
-5
-1.5
-3
2.0
单位
V
V
V
A
A
集电极开路
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25℃
30
175
-55~175
W
T
j
T
英镑
结温
储存温度
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SB1037
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止offcurrent
发射极截止offcurrent
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= -10mA ;我
B
=0
I
C
= -0.5A ，我
B
=-50mA
I
C
= -0.5A ，我
B
=-50mA
V
CB
=-120V;I
E
=0
V
EB
=-5V;I
C
=0
I
C
= -0.3A ; V
CE
=-5V
I
C
= -0.1A ; V
CE
=-5V
70
15
民
-150
-1.5
-1.2
-10
-10
200
兆赫
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
h
FE
分类
Q
R
固电
IN
导½
半
70-140
100-200
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SB1037
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SB1037
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
4
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
的TO-220封装
高
允许集电极耗散。
.Complement
键入2SD1459
应用
For
彩电垂直输出，
声音输出的应用
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
2SB1037
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-150
-150
-5
-1.5
-3
2.0
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
30
175
-55~175
℃
℃
W
单位
V
V
V
A
A
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SB1037
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止offcurrent
发射极截止offcurrent
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= -10mA ;我
B
=0
I
C
= -0.5A ，我
B
=-50mA
I
C
= -0.5A ，我
B
=-50mA
V
CB
=-120V;I
E
=0
V
EB
=-5V;I
C
=0
I
C
= -0.3A ; V
CE
=-5V
I
C
= -0.1A ; V
CE
=-5V
70
15
民
-150
-1.5
-1.2
-10
-10
200
兆赫
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
h
FE
分类
Q
70-140
R
100-200
2
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SB1037
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SB1037
4
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·采用TO- 220封装
·高允许集电极耗散。
·补键入2SD1459
应用
·对于彩电垂直输出，
声音输出的应用
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
2SB1037
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-150
-150
-5
-1.5
-3
2.0
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
30
175
-55~175
W
单位
V
V
V
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SB1037
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止offcurrent
发射极截止offcurrent
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= -10mA ;我
B
=0
I
C
= -0.5A ，我
B
=-50mA
I
C
= -0.5A ，我
B
=-50mA
V
CB
=-120V;I
E
=0
V
EB
=-5V;I
C
=0
I
C
= -0.3A ; V
CE
=-5V
I
C
= -0.1A ; V
CE
=-5V
70
15
民
-150
-1.5
-1.2
-10
-10
200
兆赫
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
h
FE
分类
Q
70-140
R
100-200
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SB1037
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SB1037
4
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26PCCNN5G
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2944770302
2SC5881
2SC2021M
2SD1254Q
2SD1749P
2SK2252-01S
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