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SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

2SB1034

描述

·采用TO- 126封装

·低集电极饱和电压

·高直流电流增益

·达林顿

应用

·对于功率放大器的应用

钉扎

针

1

2

3

描述

辐射源

集热器;连接到

安装底座

BASE

绝对最大额定值（Ta = 25

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

B

P

C

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

基极电流（DC）的

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

-80

-80

-8

-2

-0.5

15

150

-55~150

单位

V

V

V

A

A

W

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

输出电容

跃迁频率

条件

I

C

= -10mA ;我

B

=0

I

C

= -1A ，我

B

=-1mA

I

C

= -1A ，我

B

=-1mA

V

CB

= -80V ;我

E

=0

V

EB

= -8V ;我

C

=0

I

C

= -1A ; V

CE

=-2V

I

E

=0; V

CB

=-10V;f=1MHz

I

C

= -0.5A ; V

CE

=-2V

2000

30

50

民

-80

典型值。

2SB1034

符号

V

（ BR ） CEO

V

CESAT

V

BESAT

I

CBO

I

EBO

h

FE

C

OB

f

T

最大

单位

V

-1.5

-2.0

-10

-4

V

V

A

mA

pF

兆赫

开关时间

t

on

t

s

t

f

开启时间

贮存时间

下降时间

R

L

=30A

I

B1

=I

B2

=1mA

V

CC

=-30V

0.4

2.0

0.4

s

s

s

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2SB1034

图2外形尺寸

3

JMnic

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

2SB1034

描述

·带

TO- 126封装

ULOW

集电极饱和电压

高

直流电流增益

·达林顿

应用

For

功率放大器的应用

钉扎

针

1

2

3

描述

辐射源

集热器;连接到

安装底座

BASE

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

B

P

C

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

基极电流（DC）的

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

-80

-80

-8

-2

-0.5

15

150

-55~150

单位

V

V

V

A

A

W

℃

℃

JMnic

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

（ BR ） CEO

V

CESAT

V

BESAT

I

CBO

I

EBO

h

FE

C

OB

f

T

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

输出电容

跃迁频率

条件

I

C

= -10mA ;我

B

=0

I

C

= -1A ，我

B

=-1mA

I

C

= -1A ，我

B

=-1mA

V

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= -8V ;我

C

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C

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2000

30

50

民

-80

典型值。

2SB1034

最大

单位

V

-1.5

-2.0

-10

-4

V

V

μA

mA

pF

兆赫

开关时间

t

on

t

s

t

f

开启时间

贮存时间

下降时间

R

L

=30Ω

I

B1

=I

B2

=1mA

V

CC

=-30V

0.4

2.0

0.4

μs

μs

μs

2

JMnic

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2SB1034

图2外形尺寸

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

2SB1034

描述

·带

TO- 126封装

ULOW

集电极饱和电压

高

直流电流增益

·达林顿

应用

For

功率放大器的应用

钉扎

针

1

2

3

描述

辐射源

集热器;连接到

安装底座

BASE

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

B

P

C

T

j

T

英镑

参数

固电

IN

导½

半

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

昂

CH

MIC

ê SE

发射极开路

开基

集电极开路

条件

ND

O

OR

UCT

价值

-80

-80

-8

-2

-0.5

单位

V

V

V

A

A

W

℃

℃

集电极电流（ DC ）

基极电流（DC）的

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

15

150

-55~150

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

（ BR ） CEO

V

CESAT

V

BESAT

I

CBO

I

EBO

h

FE

C

OB

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参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

输出电容

条件

I

C

= -10mA ;我

B

=0

I

C

= -1A ，我

B

=-1mA

I

C

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B

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V

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E

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I

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2000

30

民

-80

典型值。

2SB1034

最大

单位

V

-1.5

-2.0

-10

-4

V

V

μA

mA

pF

兆赫

开关时间

t

on

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开启时间

贮存时间

下降时间

跃迁频率

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INC。

ES

G

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I

B1

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V

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ND

ICO

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OR

UCT

50

0.4

2.0

0.4

μs

μs

μs

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2SB1034

固电

IN

导½

半

ES

昂

CH

ND

ICO

EM

OR

UCT

图2外形尺寸

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

2SB1034

描述

·带

TO- 126封装

ULOW

集电极饱和电压

高

直流电流增益

·达林顿

应用

For

功率放大器的应用

钉扎

针

1

2

3

描述

辐射源

集热器;连接到

安装底座

BASE

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

B

P

C

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

基极电流（DC）的

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

-80

-80

-8

-2

-0.5

15

150

-55~150

单位

V

V

V

A

A

W

℃

℃

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

（ BR ） CEO

V

CESAT

V

BESAT

I

CBO

I

EBO

h

FE

C

OB

f

T

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

输出电容

跃迁频率

条件

I

C

= -10mA ;我

B

=0

I

C

= -1A ，我

B

=-1mA

I

C

= -1A ，我

B

=-1mA

V

CB

= -80V ;我

E

=0

V

EB

= -8V ;我

C

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I

C

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CE

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I

E

=0; V

CB

=-10V;f=1MHz

I

C

= -0.5A ; V

CE

=-2V

2000

30

50

民

-80

典型值。

2SB1034

最大

单位

V

-1.5

-2.0

-10

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V

V

μA

mA

pF

兆赫

开关时间

t

on

t

s

t

f

开启时间

贮存时间

下降时间

R

L

=30Ω

I

B1

=I

B2

=1mA

V

CC

=-30V

0.4

2.0

0.4

μs

μs

μs

2

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硅PNP功率晶体管

包装外形

2SB1034

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联系人：杨小姐

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-

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地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

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联系人：欧阳

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TOSHIBA

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9000

TO-126

原装现货真实

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电话：0755-88291559

联系人：陈泽强

地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318

2SB1034

TOSHIBA/东芝

2443+

23000

TO-126

一级代理专营，原装现货，价格优势

深圳市芯满林科技有限公司

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电话：18926544209/18025435189

联系人：夏小姐/朱先生

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2SB1034

TOSHIBA/东芝

24+

32000

TO-126

百分百原装现货，价格优势，欢迎查询！

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联系人：李

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2406+

392

TO126

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联系人：刘经理

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26500

TO126

全新原装正品/质量有保证

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联系人：刘先生

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√ 欧美㊣品

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联系人：吴小姐

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2SB1034

TOSHIBA/东芝

24+

98600

TO126

假一罚十，原装进口正品现货供应，只做原装

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联系人：江先生

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O

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