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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP达林顿功率晶体管
2SB1024
描述
ULOW
集电极饱和电压 -
: V
CE （ SAT ）
= -1.5V （最大值） @我
C
= -3A
高
直流电流GAIN-
: h
FE
=
2000 （最小值） @ （V
CE
= -2V ，我
C
= -1A)
.Complement
键入2SD1414
应用
·设计
对于功率放大器的应用程序。
绝对最大额定值（T
a
=25℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流连续
集电极耗散功率
@T
a
=25℃
P
C
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
T
J
T
英镑
结温
储存温度
20
150
-55~150
℃
℃
价值
-100
-80
-5
-4
-6
-0.3
2
W
单位
V
V
V
A
A
A
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP达林顿功率晶体管
电气特性
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= -10mA ;我
B
= 0
I
C
= -3A ;我
B
= -6mA
I
C
= -3A ;我
B
= -6mA
V
CB
= -100V ;我
E
= 0
V
EB
= -5V ;我
C
= 0
I
C
= -1A ; V
CE
= -2V
I
C
= -3A ; V
CE
= -2V
2000
1000
民
-80
典型值。
2SB1024
最大
单位
V
-1.5
-2.0
-20
-2.5
V
V
μA
mA
开关时间
开启时间
贮存时间
下降时间
V
CC
≈
-30V ，R
L
= 10Ω,
I
C
= -3A ;我
B1
= -I
B2
= -6mA ，
0.15
0.80
0.40
μs
μs
μs
t
on
t
英镑
t
f
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1024
描述
·采用TO- 220Fa包
·高直流电流增益
·低饱和电压
·补键入2SD1414
应用
·电源放大器和开关应用
·锤驱动器，脉冲电机驱动应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-100
-80
-5
-4
-0.5
20
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1024
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= -10mA ;我
B
=0
I
C
= -3A ，我
B
=-6mA
I
C
= -3A ，我
B
=-6mA
V
CB
= -100V ;我
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-2V
I
C
= -3A ; V
CE
=-2V
2000
1000
民
-80
-1.5
-2.0
-20
-2.5
典型值。
最大
单位
V
V
V
A
mA
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
B1
=-I
B2
=-6mA
V
CC
= -30V ，R
L
=10=
0.15
0.80
0.40
s
s
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB1024
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1024
描述
·带
TO- 220Fa包
高
直流电流增益
ULOW
饱和电压
.Complement
键入2SD1414
应用
“权力
放大器和开关应用
·哈默
驱动器，脉冲电机驱动应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-100
-80
-5
-4
-0.5
20
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1024
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= -10mA ;我
B
=0
I
C
= -3A ，我
B
=-6mA
I
C
= -3A ，我
B
=-6mA
V
CB
= -100V ;我
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-2V
I
C
= -3A ; V
CE
=-2V
2000
1000
民
-80
-1.5
-2.0
-20
-2.5
典型值。
最大
单位
V
V
V
μA
mA
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
B1
=-I
B2
=-6mA
V
CC
= -30V ，R
L
=10Ω
0.15
0.80
0.40
μs
μs
μs
2
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB1024
图2外形尺寸（ unindicated公差：
±0.15
mm)
3
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2223-17
2MBI800UG-170
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2410-39-G-MSP-T
25LC040A-I/P
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2020DN103M7
2SK4101LS
24AA64F-I/P
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    2SB1024
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