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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1020
描述
·带
TO- 220Fa包
高
直流电流增益
ULOW
饱和电压
.Complement
键入2SD1415
应用
高
电源开关应用
·哈默
驱动器，脉冲电机驱动应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
固电
IN
导½
半
参数
Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号
集电极 - 基极电压
集电极发射极电压
ES
昂
CH
发射极开路
ND
ICO
EM
条件
OR
UCT
价值
-100
-100
-5
-7
-0.2
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
开基
集电极开路
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
30
150
-55~150
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1020
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= -50mA ;我
B
=0
I
C
= -3A ，我
B
=-6mA
I
C
= -7A ，我
B
=-14mA
I
C
= -3A ，我
B
=-6mA
V
CB
= -100V ;我
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -3A ; V
CE
=-3V
I
C
= -7A ; V
CE
=-3V
2000
1000
民
-100
-0.95
-1.3
-1.55
-1.5
-2.0
-2.5
-100
-4.0
15000
典型值。
最大
单位
V
V
V
V
μA
mA
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
固电
IN
导½
半
开启时间
贮存时间
下降时间
昂
CH
MIC
ê SE
I
B1
=-I
B2
=-6mA
V
CC
= -45V ，R
L
=15Ω
ND
O
OR
UCT
0.8
2.0
2.5
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB1020
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸（ unindicated公差：
±0.15
mm)
3
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1020
描述
·带
TO- 220Fa包
高
直流电流增益
ULOW
饱和电压
.Complement
键入2SD1415
应用
高
电源开关应用
·哈默
驱动器，脉冲电机驱动应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-100
-100
-5
-7
-0.2
30
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1020
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= -50mA ;我
B
=0
I
C
= -3A ，我
B
=-6mA
I
C
= -7A ，我
B
=-14mA
I
C
= -3A ，我
B
=-6mA
V
CB
= -100V ;我
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -3A ; V
CE
=-3V
I
C
= -7A ; V
CE
=-3V
2000
1000
民
-100
-0.95
-1.3
-1.55
-1.5
-2.0
-2.5
-100
-4.0
15000
典型值。
最大
单位
V
V
V
V
μA
mA
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
B1
=-I
B2
=-6mA
V
CC
= -45V ，R
L
=15Ω
0.8
2.0
2.5
μs
μs
μs
2
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB1020
图2外形尺寸（ unindicated公差：
±0.15
mm)
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1020
描述
·带
TO- 220Fa包
高
直流电流增益
ULOW
饱和电压
.Complement
键入2SD1415
应用
高
电源开关应用
·哈默
驱动器，脉冲电机驱动应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-100
-100
-5
-7
-0.2
30
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1020
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= -50mA ;我
B
=0
I
C
= -3A ，我
B
=-6mA
I
C
= -7A ，我
B
=-14mA
I
C
= -3A ，我
B
=-6mA
V
CB
= -100V ;我
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -3A ; V
CE
=-3V
I
C
= -7A ; V
CE
=-3V
2000
1000
民
-100
-0.95
-1.3
-1.55
-1.5
-2.0
-2.5
-100
-4.0
15000
典型值。
最大
单位
V
V
V
V
μA
mA
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
B1
=-I
B2
=-6mA
V
CC
= -45V ，R
L
=15Ω
0.8
2.0
2.5
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB1020
图2外形尺寸（ unindicated公差：
±0.15
mm)
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1020
描述
·采用TO- 220Fa包
·高直流电流增益
·低饱和电压
·补键入2SD1415
应用
·高功率开关应用
·锤驱动器，脉冲电机驱动应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-100
-100
-5
-7
-0.2
30
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1020
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= -50mA ;我
B
=0
I
C
= -3A ，我
B
=-6mA
I
C
= -7A ，我
B
=-14mA
I
C
= -3A ，我
B
=-6mA
V
CB
= -100V ;我
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -3A ; V
CE
=-3V
I
C
= -7A ; V
CE
=-3V
2000
1000
民
-100
-0.95
-1.3
-1.55
-1.5
-2.0
-2.5
-100
-4.0
15000
典型值。
最大
单位
V
V
V
V
A
mA
符号
V
（ BR ） CEO
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
B1
=-I
B2
=-6mA
V
CC
= -45V ，R
L
=15?
0.8
2.0
2.5
s
s
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB1020
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
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206036-1
2SC5398
2SD1319
24FC128TE/MS
2SB0936Q
2SA1163-GR
2SA1163GR
2SD186
2020EN103J4
20389
20IMX15-05-9RG
22-15-3113
2450FB14K0001
2SA1205
2041-6203-00
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    2SB1020
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2SB1020
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32000
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联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
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TOS
2024
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