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功率晶体管
2SB0944
(2SB944)
PNP硅外延平面型
对于开关电源
补充2SD1269
0.7±0.1
10.0±0.2
5.5±0.2
2.7±0.2
4.2±0.2
单位:mm
4.2±0.2
I
特点
G
G
G
G
低集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
的盼着电流传输比H良好的线性
FE
大的集电极电流I
C
可与被安装在散热片的全包包
一颗螺丝
(T
C
=25C)
评级
–130
–80
–7
–8
–4
35
2
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
C
C
7.5±0.2
16.7±0.3
φ3.1±0.1
14.0±0.5
浸焊
I
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极电流T
C
=25°C
耗散
Ta=25°C
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
4.0
1.4±0.1
1.3±0.2
0.5
+0.2
–0.1
0.8±0.1
2.54±0.25
5.08±0.5
1
2
3
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
TO- 220全包套餐(一)
I
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极到发射极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
*
h
FE2
(T
C
=25C)
符号
I
CBO
I
EBO
V
首席执行官
h
FE1
h
FE2*
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
t
on
t
英镑
t
f
I
C
= -1A ,我
B1
= - 0.1A ,我
B2
= 0.1A
条件
V
CB
= -100V ,我
E
= 0
V
EB
= -5V ,我
C
= 0
I
C
= -10mA ,我
B
= 0
V
CE
= -2V ,我
C
= – 0.1A
V
CE
= -2V ,我
C
= –1A
I
C
= -3A ,我
B
= – 0.15A
I
C
= -3A ,我
B
= – 0.15A
V
CE
= -10V ,我
C
= - 0.5A , F = 10MHz时
30
0.15
0.8
0.15
–80
45
90
260
– 0.5
–1.5
V
V
兆赫
s
s
s
典型值
最大
–10
–50
单位
A
A
V
等级分类
Q
90至180
P
130 260
h
FE2
注:订货可以通过共同的秩进行PQ(秩
FE2
= 90 260 )中的排名分类。
注)括号中的部分数字显示传统的零件编号。
1
功率晶体管
P
C
- TA
50
–6
(1) T
C
= TA
(2)在一个100
×
100
×
2mm
铝散热器
(3)同一个50
×
50
×
2mm
铝散热器
( 4 )不带散热片
(P
C
=2W)
T
C
=25C
I
B
=–100mA
–90mA
–80mA
–70mA
–60mA
–50mA
–40mA
–3
–30mA
–2
–20mA
2SB0944
I
C
— V
CE
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
–100
I
C
/I
B
=20
–30
–10
–3
–1
25C
T
C
=100C
–25C
V
CE ( SAT )
— I
C
集电极耗散功率P
C
(W)
集电极电流I
C
(A)
40
–5
–4
30
20
(1)
– 0.3
– 0.1
10
(3)
(4)
0
0
20
40
60
–8mA
–1
–5mA
0
(2)
– 0.03
– 0.01
– 0.01 – 0.03 – 0.3 – 0.1
80 100 120 140 160
0
–2
–4
–6
–8
–10
–1
–3
–10
环境温度Ta (C )
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
BE ( SAT )
— I
C
–100
10000
I
C
/I
B
=20
h
FE
— I
C
10000
V
CE
=–2V
3000
1000
300
100
30
10
3
f
T
— I
C
V
CE
=–10V
f=10MHz
T
C
=25C
基地发射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
–10
–3
–1
T
C
=–25C
100C
25C
1000
300
100
–25C
30
10
3
1
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
25C
T
C
=100C
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
过渡频率f
T
(兆赫)
–1
–3
–10
–30
正向电流传输比H
FE
3000
–1
–3
–10
1
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
C
ob
— V
CB
10000
100
I
E
=0
f=1MHz
T
C
=25C
30
t
on
, t
英镑
, t
f
— I
C
脉冲吨
w
=1ms
占空比= 1 %
I
C
/I
B
=10
(I
B1
=–I
B2
)
V
CC
=–50V
T
C
=25C
安全操作区( ASO )
–100
–30
非重复脉冲
T
C
=25C
I
CP
I
C
–3
–1
DC
10ms
1ms
t=0.5ms
集电极输出电容C
ob
(PF )
3000
1000
300
100
30
10
3
1
– 0.1 – 0.3
开关时间t
on
,t
英镑
,t
f
(
s
)
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
集电极电流I
C
(A)
–10
t
英镑
t
on
t
f
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
–1
–1
–3
–10
–30
–100
0
– 0.8
–1.6
–2.4
–3.2
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极电流I
C
(A)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2
功率晶体管
R
日(T )
— t
10
3
( 1 )不带散热片
(2)在一个100
×
100
×
2毫米铝散热片
(1)
2SB0944
热阻R
th
(吨)( C / W)
10
2
10
(2)
1
10
–1
10
–2
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
10
2
10
3
10
4
时间t (S )
3
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
( 1)出口许可证需要从日本Govern-主管部门获得的
换货如果有下这种材料描述和控制的产品或技术
& QUOT ;外汇及外国贸易法& QUOT ;要导出或带出日本。
( 2 )在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表character-
istics和产品的应用电路示例。它不构成产业的值得
物业,给予相对权利,或者给予任何许可。
(3)在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或gen-
ERAL电子设备(如办公设备,通讯设备,测量IN-
struments和家用电器) 。
提前为下列应用程序的信息,请咨询我们的销售人员:
特殊应用(例如用于飞机,航天,汽车,交通控制设备,
燃烧设备,生命支持系统和安全装置),其中卓越的品质和
可靠性是必需的,或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
( 4 )在这种材料中描述的产品和产品规格如有变更,恕不
通知进行修改和/或改进的原因。在设计的最后阶段,采购
荷兰国际集团,或使用的产品,因此,事先要求的最先进的最新产品标准
确保最新的技术规格满足您的要求。
( 5 )在设计你的装备,符合保障的价值,特别是对马克西 -
妈妈等级,操作电源电压和热辐射特性的范围内。其它 -
明智的,我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用,多余的设计建议,
所以,这样的设备可能没有违反,因为功能的有关法律,法规我们
产品。
( 6 )使用了该干的包装要求的产品,观察条件(包括保质期
及后拆包待机时间)约定,当规格表被单独更换。
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从我们公司。
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半导体产品最适合他们的应用程序。
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产品类型,技术参数等,如有更改,恕不另行通知。
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B.松下正在努力不断改进这些材料的质量和可靠性,但
总是有进一步的纠正将被要求在未来的可能性。因此,
松下将不承担任何错误等,可能AP-而引起的任何损失承担任何责任
梨在这种材料。
C.这些材料仅适用于客户的个人使用。
因此,如果没有松下的事先书面同意,任何其他用途,如再现,
销售或分发该材料给第三方,通过互联网或以任何其他方式,是禁止的。
2001年MAR
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    2SB0944P
    -
    -
    -
    -
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联系人:刘先生
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