功率晶体管
2SB0928
(2SB928)
, 2SB0928A
(2SB928A)
PNP硅外延平面型
进行功率放大
电视垂直偏转输出
补充2SD1250和2SD1250A
■
特点
高集电极 - 发射极电压(基本开)V
首席执行官
高集电极耗散功率P
C
N型包使散热片直接焊接到
印刷电路板的小型电子设备等。
8.5
±0.2
6.0
±0.2
单位:mm
3.4
±0.3
1.0
±0.1
10.0
±0.3
1.5
±0.1
4.4
±0.5
2.0
±0.5
2.54
±0.3
1.4
±0.1
5.08
±0.5
1
2
3
0.8
±0.1
R = 0.5
R = 0.5
1.0
±0.1
0.4
±0.1
(8.5)
(6.0)
4.4
±0.5
00.4
■
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压2SB0928
(基地开)
2SB0928A
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
a
=
25°C
T
j
T
英镑
符号
V
CBO
V
首席执行官
等级
200
150
180
6
2
3
30
1.3
150
55 +150
°C
°C
V
A
A
W
单位
V
V
(6.5)
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
N-二G1套餐
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极电流
峰值集电极电流
集电极电源
耗散
结温
储存温度
注)自支撑式封装也准备
■
电气特性
T
C
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压
(基地开)
2SB0928
2SB0928A
V
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1 *
h
FE2
基射极电压
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
V
BE
V
CE ( SAT )
f
T
I
E
= 500 A,
I
C
=
0
V
CB
= 200
V,I
E
=
0
V
EB
= 4
V,I
C
=
0
V
CE
= 10
V,I
C
= 150
mA
V
CE
= 10
V,I
C
= 400
mA
V
CE
= 10
V,I
C
= 400
mA
I
C
= 500
妈,我
B
= 50
mA
V
CE
= 10
V,I
C
=
0.5 A,F
=
10兆赫
40
60
50
1.0
1.0
V
V
兆赫
符号
V
CBO
V
首席执行官
条件
I
C
= 500 A,
I
E
=
0
I
C
= 5
妈,我
B
=
0
民
200
150
180
6
50
50
240
V
A
A
典型值
最大
单位
V
V
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极 - 基极截止电流(发射极开路)
发射极 - 基极截止电流(集电极开路)
正向电流传输比
注) 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * :等级分类
秩
h
FE1
Q
60至140
P
100至240
注)括号内显示常规零件号的零件号。
出版日期: 2003年2月
SJD00010BED
(7.6)
(1.5)
1.3
14.4
±0.5
3.0
+0.4
–0.2
1.5
+0
–0.4
1
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保质期的时间,让站在非密封件)同意在规格表后,
单独交流。
( 8 )该材料可不能转载或复制全部或部分,未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2002年七月